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PMOS緩啟電路

  • 本文來源于一個實際項目，需要由一個PMOS作為開關來控制電源的導通。但對實際參數(shù)進行測量時，發(fā)現(xiàn)PMOS導通時間太短，使得后級電路的dV/dt太大，造成一些不好的影響，因此本文對如何延緩PMOS啟動速度進行簡單學習與概述性介紹。1 米勒平臺上圖所示為PMOS的等效模型，其柵極、源極與漏極相互之間都存在寄生電容，分別為CGD，CGS，CDS。MOS管的開啟時序如下圖所示：開啟過程如下：（1）T0-T1階段，G端輸出電平，CGS開始從0充電直至VGS(th)，漏極源極之間的電壓UDS與電路IDS保持不變，MO
  • 關鍵字： PMOS電路  開關電路  MOS  電源  

緩沖反激式轉(zhuǎn)換器

  • 本期，我們將聚焦于緩沖反激式轉(zhuǎn)換器，探討如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關斷電壓為大家提供全新的解決思路！上一期，我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導通時緩沖輸出整流器的電壓?，F(xiàn)在，我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關斷電壓。圖 1 顯示了反激式轉(zhuǎn)換器功率級和初級 MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器的工作原理是將能量存儲在變壓器的初級電感中，并在 MOSFET 關斷時將能量釋放到次級電感。圖 1. 漏電感會在 FET 關斷時產(chǎn)生過高電壓當 MOSFET 關斷時，通常需要一個緩沖器，因為變壓器的漏電感會導
  • 關鍵字： FET  反激式轉(zhuǎn)換器  

用Python自動化雙脈沖測試

  • 電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業(yè)領域中。由于工作電壓高，SiC技術正被應用于電動汽車動力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設備和其他消費設備的快速充電器。本文主要說明的是，但雙脈沖測試也可應用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設備的可靠性，雙脈沖測試（DPT）已發(fā)展成為一種行業(yè)標準技術，用于測量開啟、關閉和反向恢復期的一系列重要參數(shù)。雙脈沖測試系統(tǒng)包括示波
  • 關鍵字： 202411  寬禁帶  FET  測試  

內(nèi)置MOS全集成三相直流無刷電機BLDC驅(qū)動芯片方案

  • 引言全球高速無刷電機行業(yè)正在經(jīng)歷持續(xù)的增長和發(fā)展。根據(jù)市場調(diào)研，亞洲市場占據(jù)了全球高速無刷電機行業(yè)的首位，市場規(guī)模占比達47%，并且預計未來增長將主要集中在亞洲地區(qū)。特別是在我國，無刷電機技術已逐漸成熟，電機和驅(qū)動器的價格均已下探到可以廣泛應用的程度，也就拓展了無刷電機的使用場景。而控制芯片作為無刷電機系統(tǒng)中的關鍵組件，通過接收轉(zhuǎn)子位置的反饋信號，精確控制電機的電流和電壓，實現(xiàn)電機的高效運轉(zhuǎn)和精確控制。目前直流無刷電機的控制主要分兩大類：方波控制（梯形波控制）與正弦波控制，這兩類控制方式的原理分別是什么呢
  • 關鍵字： MOS  三相直流無刷電機  BLDC  驅(qū)動芯片  

碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應用

  • 碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
  • 關鍵字： 202407  太陽能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏  

一文了解SiC MOS的應用

  • 作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調(diào)、新能
  • 關鍵字： SiC  MOS  碳化硅  MOSFET  

從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應用，這篇文章把MOS管講透了。

  • MOS管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話詳細描述。其結(jié)構(gòu)示意圖：解釋1：溝道上面圖中，下邊的p型中間一個窄長條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導通后是電阻特性，因此它的一個重要參數(shù)就是導通電阻，選用mos管必須清楚這個參數(shù)是否符合需求。解釋2：n型上圖表示的是p型mos管，讀者可以依據(jù)此圖理解n型的，都是反過來即可，因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會導致導通，而p型的相反。解釋3：增強型相對于耗盡型
  • 關鍵字： 模擬電路  MOS  

GaN FET讓您實現(xiàn)高性能D類音頻放大器

  • D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實現(xiàn)全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負載時，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個PWM調(diào)制器和兩個半橋功率級子板，實現(xiàn)具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
  • 關鍵字： GaN FET  D類音頻放大器  

測試共源共柵氮化鎵 FET

  • Cascode GaN FET 動態(tài)測試面臨的挑戰(zhàn)　　Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅(qū)動電壓范圍。然而，電路設計人員發(fā)現(xiàn)該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關斷時的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導通時的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
  • 關鍵字： 氮化鎵  FET  

EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET

  • 全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導通電阻
  • 關鍵字： EPC  1mΩ  導通電阻  GaN FET  

適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

  • 激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農(nóng)業(yè)。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發(fā)射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性，因為需要使用微控制器或其他大型數(shù)字集成電路 (IC) 來控制激光二極管，但又不能直接驅(qū)動它，這樣就必須增加一個柵極
  • 關鍵字： 自主駕駛  LiDAR  GaN  FET  

Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設計性能

  • 中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC 
  • 關鍵字： Qorvo  SiC FET  電動汽車  

徹底弄清MOS管 （NMOS為例

  • 來自專欄芯片基礎課說來慚愧，大二學了一遍模電數(shù)電，考研專業(yè)課又學了一遍模電數(shù)電，但拿到如下這張mos管結(jié)構(gòu)圖，讓我立馬說出：【這是什么型mos管，標準符號襯底的箭頭指向哪里，簡化符號柵極有沒有小圓圈，襯底該接高接低，柵極高電平導通還是低電平導通，導通電流方向是什么】的答案，時不時還真有點卡殼。這真的不能怪我們，是真的太繞了，比如PMOS管柵極居然是低電平有效，簡化圖上輸入帶圈，這真的太反人性了。今天就用一篇文章把這些關系徹底理順，開始吧！首先，你應該已經(jīng)懂得：硅中參雜電子多的話，會在那里寫個N，參雜空穴多
  • 關鍵字： 模擬電路  MOS  

EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動激光二極管，實現(xiàn)75~231A脈沖電流

  • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出三款激光驅(qū)動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達系統(tǒng)。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動器和通過車規(guī)級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
  • 關鍵字： EPC GaN FET  激光二極管  

MOS 管的死區(qū)損耗計算

  • MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET　為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同時導通，就會導致電源短路，ＭOS 管會損壞，甚至時電源損壞，這種損壞是災難行動，必須避免．由于MOS 的開通和關斷都是有時沿的，為了避免上管和下管同時導通，造成短路現(xiàn)象，從而引入了死區(qū)的概念，也就是上下管同時關斷的區(qū)間，如圖Figure2 中的E 和 F.死區(qū)E---tDf: 上
  • 關鍵字： MOS 管  逆變電路  
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