首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mos-fet

采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

  • 采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品 ...
  • 關(guān)鍵字： C-MOS  轉(zhuǎn)換器  石英晶體  振蕩電路  

可設(shè)定10~100秒的長時間C-MOS定時電路及工作原理

  • 電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅(qū)動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
  • 關(guān)鍵字： 工作  原理  電路  定時  時間  C-MOS  設(shè)定  

使用結(jié)型FET的簡易電壓控制放大器電路及工作原理

  • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
  • 關(guān)鍵字： FET  結(jié)型  電壓控制  放大器電路    

保護(hù)汽車?yán)鋮s風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞

  • 在嚴(yán)苛的汽車環(huán)境中，各種功率場效應(yīng)晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會讓該器件疲損，致使其進(jìn)入開路、短路或阻性模式。
  • 關(guān)鍵字： RTP器件  FET  

V-MOS管測試

通過優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率

  • 　在計算和消費電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計人員開始認(rèn)識到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)?！　C/DC平均系統(tǒng)
  • 關(guān)鍵字： 改善  能量  效率  開關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  通過  

羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC  MOS  

用射頻開關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號

  • 智能手機(jī)代表了射頻個人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
  • 關(guān)鍵字： 射頻開關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

Intersil集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡化電源設(shè)計

  • 簡介 　　一提到電源設(shè)計，大多數(shù)工程師都會感到撓頭，他們往往會問，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓?fù)洹ń祲?、升壓、flyback、半橋和全橋等。
  • 關(guān)鍵字： intersil  FET  DC/DC  

MOS場效應(yīng)管逆變器自制

  • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管。該變壓器的工作原理及制作過程：　　 　　圖1　　工作原理　　一、方波的產(chǎn)生　　這里采用CD4069構(gòu)成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補(bǔ)償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
  • 關(guān)鍵字： 自制  逆變器  效應(yīng)  MOS  

高性能、可高壓直接驅(qū)動MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

  • NCP1396A/B為NCP1395的改進(jìn)型。它包括一個最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅(qū)動功能時齙控制模式有很大...
  • 關(guān)鍵字： 光耦  可調(diào)  死區(qū)時間  MOS  

MOS管短溝道效應(yīng)及其行為建模

  • 1　引　言　　目前,實現(xiàn)微電路最常用的技術(shù)是使用MOS晶體管。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當(dāng)MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)將對器件的特性
  • 關(guān)鍵字： 行為  建模  及其  效應(yīng)  管短溝  MOS  

電源變壓器的MOS場效應(yīng)管逆變器制作

  • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
  • 關(guān)鍵字： 逆變器  制作  效應(yīng)  MOS  變壓器  電源  

舞臺功放MOS管改裝方法

  • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
  • 關(guān)鍵字： 方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

基于MOS開關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究

  • 摘要：本文研究了基于MOS固態(tài)開關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題，通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑，制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案，最終實現(xiàn)了重復(fù)頻率80kHz，4kV脈沖源，實驗驗證了電磁兼容措施的
  • 關(guān)鍵字： 電磁兼容  問題  研究  脈沖  高壓  MOS  開關(guān)  高頻  基于  
共196條 10/14 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 »

mos-fet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mos-fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mos-fet的理解，并與今后在此搜索mos-fet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473