mos-fet 文章最新資訊

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的可靠性測(cè)試報(bào)告記錄了超過(guò)170億小時(shí)測(cè)試器件的可靠性的現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)，結(jié)果表明器件的失效率很低

　　EPC公司的第七階段可靠性報(bào)告表明eGaN?FET非?？煽浚瑸楣こ處熖峁┛尚刨?lài)及可替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案?！　∫似针娫崔D(zhuǎn)換公司發(fā)布第七階段可靠性測(cè)試報(bào)告，展示出在累計(jì)超過(guò)170億器件-小時(shí)的測(cè)試后的現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)的分布結(jié)果，以及提供在累計(jì)超過(guò)700萬(wàn)器件-小時(shí)的應(yīng)力測(cè)試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應(yīng)力測(cè)試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測(cè)試。報(bào)告提供受測(cè)產(chǎn)品的復(fù)合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)。這個(gè)數(shù)值與我們直至目前為止所取得
關(guān)鍵字：宜普電源 FET

TI推出業(yè)界首款100V高壓側(cè)FET驅(qū)動(dòng)器可驅(qū)動(dòng)高電壓電池

　　近日，德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護(hù)和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅(qū)動(dòng)能量存儲(chǔ)系統(tǒng)，以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)型應(yīng)用中常用電池里的高壓側(cè)N溝道充放電FET，包括無(wú)人機(jī)、電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車(chē)等等。如需了解更多詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。　　電感性
關(guān)鍵字： TI FET

深度分析MOS場(chǎng)效應(yīng)管在消費(fèi)類(lèi)電子中的電路設(shè)計(jì)

　　當(dāng)我們還是學(xué)生的時(shí)候，不論從做題還是原理分析上,通常會(huì)重點(diǎn)學(xué)習(xí)NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計(jì)算、動(dòng)態(tài)信號(hào)分析等等。對(duì)于MOS管，老師一般都會(huì)草草帶過(guò)，沒(méi)有那么深入的分析和了解，一般都會(huì)說(shuō)MOS管和三極管的不同就是一個(gè)是電壓控制，一個(gè)是電流控制，一個(gè)Ri大，一個(gè)Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實(shí)戰(zhàn)的角度進(jìn)行MOS場(chǎng)效應(yīng)管的分析?！　∈紫任覀儊?lái)看下經(jīng)常使用的增強(qiáng)型mos場(chǎng)效應(yīng)管：N溝道和P溝道m(xù)os場(chǎng)效應(yīng)管。　　在消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)計(jì)中由于對(duì)功耗要求比較嚴(yán)格，通常使用N溝道和P溝道MOS
關(guān)鍵字： MOS 場(chǎng)效應(yīng)管

怎樣正確使用MOS 集成電路

　　所有MOS集成電路(包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補(bǔ)MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行保護(hù)，雖然如此，器件內(nèi)的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)還不足以免除對(duì)器件的靜電損害(ESD)，實(shí)驗(yàn)指出，在高電壓放電時(shí)器件會(huì)失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴(yán)重程度靜電損害有多種形式，最嚴(yán)重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與
關(guān)鍵字： MOS 集成電路

到底什么是fmax講解

　　簡(jiǎn)介：今天一個(gè)剛剛?cè)胄械呐笥颜业轿艺f(shuō)，他的老板給了他一個(gè)MOS管讓他測(cè)管子的fmax,幫他測(cè)完之后，他還問(wèn)到怎么才能加大這個(gè)fmax~~想到自己也曾千辛萬(wàn)苦的琢磨這個(gè)參數(shù)，就寫(xiě)個(gè)短短的文章說(shuō)一下fmax到底是什么和哪些參數(shù)有關(guān)。　　這兩個(gè)頻率都是晶體管的重要參數(shù)，無(wú)論BJT還是MOS，也決定了將來(lái)電路能工作到的最大頻率(當(dāng)然這個(gè)最大頻率是絕對(duì)不可能到fmax和ft的)。這兩個(gè)頻率其實(shí)離得不遠(yuǎn)，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來(lái)定義的，fmax是用最大功率增益來(lái)定義的，千萬(wàn)別弄混了哦。下圖是一
關(guān)鍵字： MOS fmax

一種簡(jiǎn)單的防短路保護(hù)方法

　　簡(jiǎn)介：注釋?zhuān)红o電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個(gè)概念，不要混淆在一起。　　前段時(shí)間開(kāi)發(fā)了一個(gè)產(chǎn)品，由單片機(jī)控制對(duì)負(fù)載供電，滿(mǎn)負(fù)載時(shí)基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機(jī)輸出一個(gè)PWM信號(hào)控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時(shí)內(nèi)阻非常小，我們所用的型號(hào)約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時(shí)上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對(duì)于電源控制來(lái)說(shuō)是一種效果不錯(cuò)的器件。　　雖然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過(guò)的電
關(guān)鍵字：靜電損壞 MOS

低待機(jī)功耗電源方案選擇

　　歐盟EUP環(huán)保指令你知道嗎?你知道此指令對(duì)靜態(tài)能耗有什么要求嗎?我們產(chǎn)品上需要怎樣應(yīng)對(duì)呢?下面給你解決此問(wèn)題的電源供電方案。　　2009年1月6日，歐盟電子類(lèi)產(chǎn)品待/關(guān)機(jī)模式之EuP能耗指令執(zhí)行措施已正式生效，其生態(tài)化設(shè)計(jì)要求與去年7月經(jīng)歐盟生態(tài)化設(shè)計(jì)管理委員會(huì)批準(zhǔn)的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達(dá)到第一階段的要求，2013年1月6日達(dá)到第二階段要求。　　　　圖1 Eup圖標(biāo) 　　我們來(lái)了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求，　　1、產(chǎn)品在關(guān)機(jī)或待機(jī)
關(guān)鍵字： MOS AC-DC

詳解LED PWM調(diào)光技術(shù)及設(shè)計(jì)注意點(diǎn)

　　無(wú)論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩(wěn)壓器驅(qū)動(dòng)，連接每一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路最常見(jiàn)的線程就是須要控制光的輸出?，F(xiàn)今僅有很少數(shù)的應(yīng)用只需要開(kāi)和關(guān)的簡(jiǎn)單功能，絕大多數(shù)都需要從0～100%去微調(diào)亮度。目前，針對(duì)亮度控制方面，主要的兩種解決方案為線性調(diào)節(jié)LED的電流(模擬調(diào)光)或在肉眼無(wú)法察覺(jué)的高頻下，讓驅(qū)動(dòng)電流從0到目標(biāo)電流值之間來(lái)回切換(數(shù)字調(diào)光)。利用脈沖寬度調(diào)變(PWM)來(lái)設(shè)定循環(huán)和工作周期可能是實(shí)現(xiàn)數(shù)字調(diào)光的最簡(jiǎn)單的方法，原因是相同的技術(shù)可以用來(lái)控制大部分的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器。　　PWM調(diào)光能調(diào)配準(zhǔn)確色光
關(guān)鍵字： PWM FET

怎樣用最小的代價(jià)降低MOS的失效率？

　　【前言】在高端MOS的柵極驅(qū)動(dòng)電路中，自舉電路因技術(shù)簡(jiǎn)單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中，MOS常莫名其妙的失效，有時(shí)還伴隨著驅(qū)動(dòng)IC的損壞。如何破?一個(gè)合適的電阻就可搞定問(wèn)題。　　【問(wèn)題分析】　　　　上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過(guò)低端二極管進(jìn)行續(xù)流，導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負(fù)壓，且負(fù)壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負(fù)壓會(huì)把驅(qū)動(dòng)的電位拉到負(fù)電位，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路異常，還可能讓自舉電容過(guò)充電
關(guān)鍵字： MOS SCR

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理- -場(chǎng)效應(yīng)管工作原理也瘋狂

一、場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理- -概念　　場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡(jiǎn)稱(chēng)，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極性場(chǎng)效應(yīng)管，是一種常見(jiàn)的利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件，場(chǎng)效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內(nèi)阻高達(dá)107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強(qiáng)，且比后者耗電省，這些優(yōu)點(diǎn)使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。二、
關(guān)鍵字：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS JFET 場(chǎng)效應(yīng)管工作原理

高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設(shè)計(jì)

　　混頻器是無(wú)線收發(fā)機(jī)中的核心模塊，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個(gè)混頻器性能的重要指標(biāo)。　　在接收機(jī)中，混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級(jí)模塊設(shè)計(jì)的難度，有利于提高系統(tǒng)噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號(hào)強(qiáng)度。隨著現(xiàn)代通訊系統(tǒng)對(duì)性能要求越來(lái)越高，無(wú)論是應(yīng)用于接收機(jī)系統(tǒng)的下變頻器(本文指的混頻器) ，還是應(yīng)用于發(fā)射機(jī)系統(tǒng)中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設(shè)計(jì)具有高增益和高線性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點(diǎn)。　　在CMOS電路設(shè)
關(guān)鍵字： MOS 諧波混頻器

你造嗎？四大MOSFET實(shí)用技巧

　　MOSFET是一個(gè)時(shí)代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進(jìn)展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開(kāi)關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為工程師們的首選。　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問(wèn)起MOS管的事情，有很多童靴對(duì)MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說(shuō)幾個(gè)關(guān)于MOSFET的技巧的幾個(gè)實(shí)用技巧的事情。　　為了把問(wèn)題說(shuō)的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道
關(guān)鍵字： MOSFET MOS

分立器件的創(chuàng)新這樣體現(xiàn)在性能、效率、成本和交貨的完美契合

　　在人們的印象中，東芝NAND Flash(閃存)享譽(yù)世界。其實(shí)，東芝的分立器件也在市場(chǎng)上占有重要位置。　　
關(guān)鍵字：東芝 LED 晶圓 MOS 分立器 201411

CMOS電路ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

　　1　引　言　　靜電放電會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿(mǎn)足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計(jì)者主要考慮的問(wèn)題。　　2　ESD保護(hù)原理　　ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
關(guān)鍵字： CMOS ESD MOS

LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)小Tips：不可不知的5大關(guān)鍵點(diǎn)

　　1、芯片發(fā)熱　　這主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡(jiǎn)單一點(diǎn)，就是考慮更好的
關(guān)鍵字： LED MOS 變壓器