你造嗎？ 四大MOSFET實用技巧

　　MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。

　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關(guān)于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。

　　為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。

　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

　　MOSFET 依照其“通道”的極性不同，可分為n-channel與p-channel的MOSFET，通常又稱為NMOSFET 與PMOSFET.

　　一， 符號記憶技巧:“屁朝外”即可!

　　如圖1為電路符號。那么問題就來了，一般初學者，對這樣的符號總是混淆，總是記不住這兩種類型的符號，現(xiàn)在本官告訴一個記憶訣竅，讓你一輩子終身難忘!先看電路符號，

　　圖1：NMOSFET 與PMOSFET電路符號

　　怎么講，把MOS管電路符號近似看做一個人,定義D是腦袋,G是抬起的腳,S是立著的腳,2極管是幕布!諧音“P朝外”，記住"P→"朝外放就行了,N不用記了，PMOS→簡稱P→P都是朝外放的 (不要告訴俺你習慣朝里放P)

　　二，看MOS管封裝技巧

　　過去數(shù)年中硅技術(shù)的改進已經(jīng)將MOSFET的內(nèi)阻和功率半導體的發(fā)熱量降低到了相當?shù)偷乃?，以至封裝限制了器件性能的提高。隨著系統(tǒng)電流要求成指數(shù)性增加，市場上已經(jīng)出現(xiàn)了多種先進的功率封裝的MOSFET封裝。這些新的封裝MOS技術(shù)提供了更多的設(shè)計自由度，但太多的選擇也使得人們大感困惑，特別是讓那些電源的設(shè)計者無所適從。

　　所謂封裝就是給MOSFET芯片加一個外殼，這個外殼具有支撐、保護、冷卻的作用，同時還為芯片提供電氣連接和隔離，以便MOSFET器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。

　　芯片的材料、工藝是MOSFET性能品質(zhì)的決定性因素，MOSFET廠商自然注重芯片內(nèi)核結(jié)構(gòu)、密度以及工藝的改進，以提高MOSFET的性能。這些技術(shù)改進將付出很高的成本。

　　做電源的一般常用的MOS管的封裝形式也就是下面的兩種形式。

　　1.TO封裝

　　TO(Transistor Out-line)的中文意思是“晶體管外形”。這是早期的封裝規(guī)格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封裝設(shè)計。近年來表面貼裝市場需求量增大，TO封裝也進展到表面貼裝式封裝。 TO252和TO263就是表面貼裝封裝。其中TO-252又稱之為D-PAK，TO-263又稱之為D2PAK。

　　圖2 TO封裝

　　D-PAK封裝的MOSFET有3個電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。其中漏極(D)的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過PCB散熱。所以PCB的D-PAK焊盤有三處，漏極(D)焊盤較大。

　　圖3 D-PAK封裝

　　2、SOT和SOP封裝

　　SOT小外形晶體管封裝。這種封裝就是貼片型小功率晶體管封裝，比TO封裝體積小，一般用于小功率MOSFET。常見的規(guī)格有：常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。

　　圖4 SOT封裝

　　SOP的中文意思是“小外形封裝”。SOP是表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。SOP也叫SOL 和DFP。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格，業(yè)界往往把“P”省略，叫SO(Small Out-Line )。

　　圖5 SOP封裝