碳化硅文章進(jìn)入碳化硅技術(shù)社區(qū)

博世將獲美芯片補(bǔ)貼擴(kuò)產(chǎn)SiC半導(dǎo)體

據(jù)媒體報(bào)道，美國商務(wù)部13日宣布，已與德國汽車零部件供應(yīng)商博世達(dá)成初步協(xié)議，向其提供至多2.25億美元補(bǔ)貼，用于在加州生產(chǎn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。據(jù)悉，這筆資金將支持博世計(jì)劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體。此外，美國商務(wù)部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計(jì)劃于 2026 年開始生產(chǎn) SiC 芯片，據(jù)估計(jì)，該項(xiàng)目一旦全面投入運(yùn)營，可能占美國SiC制造產(chǎn)能的40%以上。
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雷諾旗下安培與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議，合作開發(fā)電動(dòng)汽車電源控制系統(tǒng)

●? ?意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署長期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全●? ?合作開發(fā)逆變器電源控制系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)，進(jìn)一步提高安培新一代電機(jī)的能效水平●? ?該協(xié)議符合安培與供應(yīng)鏈上游企業(yè)合作，為其每一項(xiàng)電動(dòng)汽車技術(shù)設(shè)計(jì)最佳解決方案的策略雷諾集團(tuán)旗下純智能電動(dòng)汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動(dòng)，雷諾集
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引入碳化硅技術(shù)，采埃孚在華第3家電驅(qū)動(dòng)工廠開業(yè)

據(jù)采埃孚官微消息，采埃孚又一電驅(qū)動(dòng)工廠—采埃孚電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)（沈陽）有限公司近日開業(yè)。作為采埃孚在華的第3家電驅(qū)動(dòng)工廠，沈陽工廠將生產(chǎn)和銷售新能源汽車電驅(qū)動(dòng)橋三合一總成等產(chǎn)品。據(jù)介紹，沈陽電驅(qū)動(dòng)工廠的主打產(chǎn)品為新能源汽車的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，涵蓋前橋及后橋總成，包含電機(jī)、控制器及減速器。其中，控制器搭載了采埃孚High 2.0 SiC技術(shù)，圍繞800伏平臺(tái)持續(xù)升級(jí)，既可以提升安全等級(jí)又可以優(yōu)化成本。截至目前，采埃孚在中國共有3家電驅(qū)動(dòng)工廠。2022年9月，采埃孚電驅(qū)動(dòng)技術(shù)（杭州）有限公司二期項(xiàng)目投產(chǎn)，主要生產(chǎn)800伏
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手搓了一個(gè)3kW碳化硅電源！實(shí)測一下！

做了一個(gè)3KW碳化硅電源！(全稱：碳化硅3KW圖騰柱PFC)它能起到什么作用？具體參數(shù)是（第1章）？怎么設(shè)計(jì)出來的（第2章）？實(shí)測情況（第3章）？原理是（第4章）？開源網(wǎng)址入口（第5章）？下文一一為你解答！1.基礎(chǔ)參數(shù)雙主控設(shè)計(jì)：CW32+IVCC1102輸入：AC 110V~270V 20Amax輸出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W設(shè)計(jì)功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作為3KW LLC電源或者全橋可調(diào)電源的前級(jí)PFC環(huán)節(jié)；②
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基本半導(dǎo)體完成股份改制，正式更名

為適應(yīng)公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，經(jīng)深圳市市場監(jiān)督管理局核準(zhǔn)，深圳基本半導(dǎo)體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續(xù)，公司名稱正式變更為“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導(dǎo)體發(fā)展的重要里程碑，標(biāo)志著公司治理結(jié)構(gòu)、經(jīng)營機(jī)制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發(fā)展階段。從即日起，公司所有業(yè)務(wù)經(jīng)營活動(dòng)將統(tǒng)一采用新名稱“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。公司注冊(cè)地址變更至青銅劍科技集團(tuán)總部大樓，詳細(xì)地址為：深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值览峡由鐓^(qū)光科一路6號(hào)青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
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碳化硅6吋基板供過于求價(jià)格崩盤

碳化硅（SiC）6吋基板新產(chǎn)能大量開出，嚴(yán)重供過于求，報(bào)價(jià)幾乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（約中國大陸制造成本價(jià)），第四季價(jià)格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。產(chǎn)業(yè)人士指出，價(jià)格崩盤已讓絕大多數(shù)業(yè)者陷入賠錢銷售，而買家不敢輕易出手撿便宜，因?yàn)橘I方預(yù)期SiC價(jià)格還會(huì)再下降。而明日之星的8吋SiC基板，雖未到真正量產(chǎn)，但2024年報(bào)價(jià)已快速下滑，尤其是中國大陸價(jià)格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。業(yè)者分析，8吋SiC基板并沒有標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格，供應(yīng)鏈端仍屬于試產(chǎn)階段，供給
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聚焦碳化硅項(xiàng)目，鉅芯半導(dǎo)體等三方達(dá)成合作

據(jù)“融中心”消息，大連市中韓經(jīng)濟(jì)文化交流協(xié)會(huì)、韓中文化協(xié)會(huì)及安徽鉅芯半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：鉅芯半導(dǎo)體）在安徽省池州市舉行了一場簽約儀式。此次簽約標(biāo)志著三方在碳化硅領(lǐng)域的合作正式開始。據(jù)悉，三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調(diào)關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開，將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。據(jù)了解，今年以來，部分韓國半導(dǎo)體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè)，并不斷取得新進(jìn)展。據(jù)韓媒ETnews報(bào)道，今年3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2
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高功率SiC模塊助力實(shí)現(xiàn)可持續(xù)軌道交通

國際能源署（IEA）今年發(fā)布的報(bào)告稱，2023年全球與能源相關(guān)的二氧化碳排放量達(dá)到374億噸，較2022年增加4.1億噸，再創(chuàng)新的記錄。其中，交通運(yùn)輸排放增長最為顯著，激增近2.4億噸，位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一，對(duì)于由可再生能源發(fā)電驅(qū)動(dòng)的電氣化列車，這一比率則更低。因此，擴(kuò)建軌道交通基礎(chǔ)設(shè)施及電氣化改造是減少CO2排放和實(shí)現(xiàn)氣候目標(biāo)的關(guān)鍵。與電動(dòng)汽車不同的是，電力機(jī)車已被廣泛使用了一百多年。然而，全球范圍內(nèi)的軌道交通電氣化轉(zhuǎn)型仍然方興未艾，不同國家和地區(qū)的軌道交通電氣化率存在
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劍指8英寸碳化硅！兩大廠官宣合作

9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網(wǎng)宣布，其與Soitec簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，雙方將共同開發(fā)用于功率半導(dǎo)體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術(shù)加速碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型據(jù)悉，Soitec擁有一種獨(dú)有的SmartSiC?技術(shù)，該技術(shù)通過處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個(gè)碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個(gè)高質(zhì)量的碳化硅晶圓，由此顯著提
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美印宣布將在印度建立半導(dǎo)體工廠，生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

美國和印度達(dá)成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導(dǎo)體制造廠，助力印度總理莫迪加強(qiáng)該國制造業(yè)的雄心計(jì)劃。據(jù)白宮消息人士稱，擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體，這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會(huì)晤后發(fā)布的。消息人士稱，該工廠的建立將得到印度半導(dǎo)體計(jì)劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊(duì)之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機(jī)會(huì)提供了新的關(guān)注點(diǎn)。在過去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并
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EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能方案

幾十年來，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費(fèi)者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關(guān)，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對(duì)新的挑戰(zhàn)（包括整合儲(chǔ)能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。 EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應(yīng)對(duì)儲(chǔ)能挑戰(zhàn)。此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強(qiáng)大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲(chǔ)能系統(tǒng)比以往任何時(shí)
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EPC Power攜手Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能方案

幾十年來，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費(fèi)者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關(guān)，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對(duì)新的挑戰(zhàn)（包括整合儲(chǔ)能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應(yīng)對(duì)儲(chǔ)能挑戰(zhàn)。此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強(qiáng)大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲(chǔ)能系統(tǒng)比以往任何時(shí)候
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8英寸碳化硅時(shí)代呼嘯而來！

近日，我國在8英寸碳化硅領(lǐng)域多番突破，中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級(jí)，三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付，天岳先進(jìn)8英寸碳化硅襯底批量銷售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時(shí)代已呼嘯而來，未來將會(huì)有更多廠商帶來新的產(chǎn)品和技術(shù)，我們拭目以待。關(guān)鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級(jí)近日，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再獲突破。圖片來源：中國電科據(jù)中國電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導(dǎo)體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級(jí)”的8英寸碳化硅外延
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我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號(hào)于 9 月 1 日發(fā)布博文，報(bào)道稱國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
關(guān)鍵字：碳化硅 mosfet 第三代半導(dǎo)體寬禁帶

國家隊(duì)加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破

據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí)4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。公開資料顯示，碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)。目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點(diǎn)是當(dāng)電流被
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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細(xì) ]