碳化硅文章進(jìn)入碳化硅技術(shù)社區(qū)

安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效

2023年1月4日 — 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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轉(zhuǎn)型中的安森美:整合提升智能水平,打造價(jià)值導(dǎo)向解決方案

安森美在過去的兩年間通過成功的轉(zhuǎn)型之旅，實(shí)現(xiàn)了業(yè)績(jī)和利潤的雙豐收。在轉(zhuǎn)型路上公司又有哪些關(guān)鍵技術(shù)和策略的調(diào)整呢？帶著這些問題本刊記者采訪了安森美CEO Hassane El-Khoury。兩大技術(shù)支柱的創(chuàng)新支持和打造可持續(xù)發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)，這是驅(qū)動(dòng)安森美投資的主要?jiǎng)恿Γ彩瞧髽I(yè)職責(zé)所在。
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10分鐘狂充80%電量！東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

近日消息，從東風(fēng)汽車官方獲悉，東風(fēng)碳化硅功率模塊項(xiàng)目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高，除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級(jí)產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動(dòng)新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代，從而實(shí)現(xiàn)10分鐘充電80%，并進(jìn)一步提升車輛續(xù)航里程，降低整車成本。同時(shí)，總投資2.8億元的功率模塊二期項(xiàng)
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國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線：可用于傳統(tǒng)工控、儲(chǔ)能逆變、充電樁等

IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應(yīng)用于傳統(tǒng)工控、儲(chǔ)能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。面向儲(chǔ)能逆變器市場(chǎng)，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開關(guān)頻率，降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達(dá)到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標(biāo)準(zhǔn)型封裝，半橋拓?fù)?/li>
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純電動(dòng)捷豹 I-TYPE 6 賽車重磅發(fā)布，搭載先進(jìn) Wolfspeed 碳化硅技術(shù)

2022年12月5日，英國倫敦、美國北卡羅來納州達(dá)勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布為捷豹 TCS 車隊(duì)近日重磅發(fā)布的捷豹 I-TYPE 6 賽車提供功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)品的全方位支持。全新I-TYPE 6賽車專為 2023 年度 ABB 國際汽聯(lián)電動(dòng)方程式世界錦標(biāo)賽 Formula E（以下簡(jiǎn)稱：Formula E）設(shè)計(jì)、研發(fā)打造，標(biāo)志著 Formula E 賽事正式邁入第三代（Gen3）賽車新時(shí)代。
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日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體：提高用電效率、增加電動(dòng)車?yán)m(xù)航里程

據(jù)日本共同社日前報(bào)道，日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體，以碳化硅（SiC）為原材料。據(jù)悉，羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體可讓可提高機(jī)器運(yùn)轉(zhuǎn)的用電效率，若裝在純電動(dòng)汽車上，續(xù)航里程可提升一成，電池體積也可更小。據(jù)悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實(shí)施量產(chǎn)，還計(jì)劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。公開資料顯示，碳化硅具備
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以碳化硅技術(shù)牽引逆變器延展電動(dòng)車行駛里程

目前影響著車輛運(yùn)輸和半導(dǎo)體技術(shù)的未來有兩大因素。業(yè)界正在采用令人振奮的新方法，即以潔凈的能源驅(qū)動(dòng)我們的汽車，同時(shí)重新設(shè)計(jì)支撐電動(dòng)車（EV）子系統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，大幅提升功效比，進(jìn)而增加電動(dòng)車的行駛里程。政府監(jiān)管機(jī)構(gòu)持續(xù)要求汽車OEM減少其車系的整體二氧化碳排放量，對(duì)于違規(guī)行為給予嚴(yán)厲的處罰，同時(shí)開始沿著道路和停車區(qū)域增設(shè)電動(dòng)車充電基礎(chǔ)設(shè)施。但是，盡管取得了這些進(jìn)展，主流消費(fèi)者仍然對(duì)電動(dòng)車的行駛里程存有疑慮，使電動(dòng)車的推廣受到阻力。更復(fù)雜的是，大尺寸的電動(dòng)車電池雖然可以增加其行駛里程，緩解消費(fèi)者關(guān)于行駛里程的
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安森美的碳化硅技術(shù)賦能純電動(dòng)汽車VISION EQXX單次充電續(xù)航更遠(yuǎn)

2022年11月16日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布梅賽德斯-奔馳在其主驅(qū)逆變器中采用安森美的碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）技術(shù)，這是兩家公司戰(zhàn)略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模塊提高了梅賽德斯-奔馳純電動(dòng)汽車VISION EQXX主驅(qū)逆變器的能效并減輕了其重量，使電動(dòng)汽車的續(xù)航里程增加10%。這款電動(dòng)汽車完成了從德國斯圖加特到英國銀石的1,202公里（747英里）旅程，保持了單次充電后最遠(yuǎn)的行駛距離記錄。VISION EQXX在電動(dòng)車
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碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究

本文分析了目前不間斷電源（UPS）在互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)目前熱門的碳化硅材料和英飛凌碳化硅技術(shù)做了介紹，并著重說明了碳化硅器件在UPS應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。分析給出了目前UPS常用拓?fù)浼胺桨福詈蠡?0 kW的逆變部分做了各方案的損耗分析。1.引言互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心(Internet Data Center,IDC),是集中計(jì)算和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的場(chǎng)所，是為了滿足互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)以及信息服務(wù)需求而構(gòu)建的應(yīng)用基礎(chǔ)設(shè)施。受新基建、數(shù)字經(jīng)濟(jì)等國家政策影響以及新一代信息技術(shù)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)，我國數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)迅猛。隨著
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AMP 創(chuàng)新型電動(dòng)汽車充電解決方案：采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件

2022年11月14日，美國北卡羅來納州達(dá)勒姆市、加利福尼亞州洛杉磯市與中國上海市訊 -- 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，電動(dòng)交通電池管理和充電技術(shù)的全球引領(lǐng)者 AMP 公司將在其電動(dòng)交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通過采用 Wolfspeed 創(chuàng)新型碳化硅技術(shù)，將助力 AMP 優(yōu)化電池性能、充電和成本。 AMP 公司硬件工程副總裁 Jia
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Qorvo? 與 SK Siltron CSS 宣布達(dá)成長(zhǎng)期碳化硅供應(yīng)協(xié)議

中國北京 – 2022 年 11 月 8 日–移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）與半導(dǎo)體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應(yīng)協(xié)議。此次合作將提高半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的彈性，并更好地滿足汽車市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)碳化硅解決方案迅速增長(zhǎng)的需求。隨著客戶采用 Qorvo 業(yè)界領(lǐng)先的第 4 代 SiC FET 解決方案，該協(xié)議還會(huì)為他們提供更好的保護(hù)并增強(qiáng)其信心。SiC 器件
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SEMICON China | 探討熱點(diǎn)與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿舉辦

11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇2022”在上海國際會(huì)議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場(chǎng)做報(bào)告分享。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括：開幕演講，化合物半導(dǎo)體與光電及通訊，寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴(yán)格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺(tái)上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎么能
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捷豹路虎與 Wolfspeed 合作，為下一代電動(dòng)汽車引入碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)

· 在“重塑未來”戰(zhàn)略指引下，捷豹路虎正在向電動(dòng)化優(yōu)先轉(zhuǎn)型，全力開啟未來出行之路，在 2039 年實(shí)現(xiàn)凈零碳排放· 與 Wolfspeed 的戰(zhàn)略合作將確保碳化硅（SiC）半導(dǎo)體技術(shù)的供應(yīng)，并成為下一代路虎?攬勝、路虎?發(fā)現(xiàn)、路虎?衛(wèi)士、捷豹汽車電動(dòng)化的重要組成部分· &
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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)“萬物電氣化”

綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機(jī)的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)，為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護(hù)需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻(xiàn)體現(xiàn)在其所肩負(fù)實(shí)現(xiàn)商用運(yùn)輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡(jiǎn)單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細(xì) ]