碳化硅文章進入碳化硅技術社區(qū)

羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應協(xié)議

近日，羅姆和橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布，意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定， SiCrystal將向意法半導體提供總價超過1.2億美元的先進的150mm碳化硅晶片，滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示：“該SiC襯底長期供應協(xié)
關鍵字：碳化硅晶圓

環(huán)球晶圓：硅晶圓明年回溫

半導體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭日前表示，明年半導體景氣仍受貿易摩擦、總體經(jīng)濟及匯率三大變數(shù)干擾，但從客戶端庫存改善、拉貨動能加溫，以及應用擴大等來看，硅晶圓產(chǎn)業(yè)已在本季落底，明年上半年整體景氣動能升溫速度優(yōu)于預期，她預估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增，往后將會逐季成長。
關鍵字：環(huán)球晶圓硅晶圓碳化硅

Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅動器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運行時間

近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅動器，幫助高壓/大功率系統(tǒng)設計者將電源效率提升4%，優(yōu)于競爭產(chǎn)品；功耗和碳排放減少30%。驅動器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開關電源，典型應用包括太陽能電源逆變器、電機驅動、電動汽車、儲能系統(tǒng)、不間斷電源、數(shù)據(jù)農場及其他大功率/高效率電源等。目前，許多開關電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是，高開關頻率的瞬態(tài)特性會產(chǎn)生較大噪聲，影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
關鍵字：碳化硅柵極驅動器

意法半導體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購

近日，橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）于12月2日宣布，完成對瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導體行使期權，收購了剩余的45％股份。Norstel并購案總價為1.375億美元，由現(xiàn)金支付。
關鍵字：意法半導體碳化硅 Norstel AB

科銳與ABB在汽車和工業(yè)領域展開SiC合作

全球碳化硅（SiC）技術領先企業(yè)科銳與ABB電網(wǎng)事業(yè)部宣布達成合作，共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的采用。協(xié)議內容包括在ABB種類齊全的產(chǎn)品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體，這將助力科銳擴大客戶基礎，同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車（EV）市場。
關鍵字：科銳 ABB 碳化硅

北京經(jīng)開區(qū)第三代半導體現(xiàn)新突破

一輛新能源汽車、一組高能效服務器電源，核心功能的實現(xiàn)都離不開電力電子系統(tǒng)中半導體器件的支撐。碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的典型代表，具有低能耗、體積小、重量輕等特點，國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導體制備技術。近日，記者在區(qū)內企業(yè)世紀金光半導體有限公司（以下簡稱“世紀金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現(xiàn)小批量試產(chǎn)，研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務器電源、特種電源等領域，實現(xiàn)第三代半導體碳化硅關鍵領域全面布局。
關鍵字：第三代半導體碳化硅世紀金光

國際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點火試驗成功

近日，隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS（微機電系統(tǒng)）微推力器陣列芯片接受地面點火指令成功點火，在軌驗證了對金牛座納星的姿態(tài)控制技術。?
關鍵字： MEMS 碳化硅微推力器陣列

第三代半導體將催生萬億元市場

　　日前，第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學者認為，第三代半導體未來應用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口。　　2018年，美國、歐盟等持續(xù)加大第三代半導體領域研發(fā)支持力度，國際廠商積極、務實推進，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。受益于整個半導體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業(yè)廣泛進入等積極因素，國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是，在材料指標、器件性能等方
關鍵字：半導體碳化硅

中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導體發(fā)展

最近，由深圳市科學技術協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進程，助力國產(chǎn)半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
關鍵字：碳化硅二極管 MOSFET

更高效的半導體材料——碳化硅

在功率電子學中，半導體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會高得多。巴塞爾大學的物理學家，Paul Scherrer研究所和ABB在科學期刊“應用物理快報”中解釋了阻止硅和碳結合使用的原因。能源消耗在全球范圍內不斷增長，風能和太陽能等可持續(xù)能源供應變得越來越重要。然而，電力通常遠離消費者產(chǎn)生。因此，高效的配電和運輸系統(tǒng)與將產(chǎn)生的直流電轉換成交流電的變電站和電力轉換器同樣重要。節(jié)省大筆開支現(xiàn)代電力電子設備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場效應晶體管的半導體材料制成的晶體管現(xiàn)在主要基于硅技術。然而，在硅上使
關鍵字：碳化硅

安森美為20歲慶生，“高能效電子創(chuàng)新”顯示旺盛活力

1999年從摩托羅拉半導體部剝離時，安森美只是一家年營業(yè)額12億美元的標準半導體供應商，2018年已達到年營收近60億美元，轉型成為領先的高能效創(chuàng)新的半導體方案供應商。過去的20年，是半導體技術飛躍發(fā)展的20年，也是并購重組頻繁的20年，很多中小公司在并購浪潮中淹沒了，而安森美卻逐漸壯大，形成了自己的特色和穩(wěn)定的市場。安森美的成功經(jīng)驗是什么？如今的特色和對未來的觀察是什么？近日，安森美半導體戰(zhàn)略、營銷及方案工程高級副總裁David Somo和中國區(qū)銷售副總裁謝鴻裕接受了電子產(chǎn)品世界等媒體的采訪。1 靠創(chuàng)新
關鍵字：汽車傳感器碳化硅云電源

華為出手第三代半導體材料性能實現(xiàn)千倍提升

華為出資7億元全資控股，剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手，投資了山東天岳先進材料科技有限公司，持股達10%。山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業(yè)。
關鍵字：華為半導體碳化硅

CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅動器創(chuàng)新成果

中國北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動器”的論文，并介紹公司在該領域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當今，碳化硅（SiC）在汽車制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業(yè)應用方面，越來越多的人則
關鍵字： CISSOID 碳化硅功率模塊高溫柵極驅動器

Cree將投資10億美元，擴大SiC（碳化硅）產(chǎn)能

此次產(chǎn)能擴大，將帶來SiC（碳化硅）晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和SiC（碳化硅）材料生產(chǎn)的30倍增長，以滿足2024年之前的預期市場增長 5年的投資，充分利用現(xiàn)有的建筑設施North Fab，并整新200mm設備，建造采用最先進技術的滿足汽車認證的生產(chǎn)工廠投資：4.5億美元用于North Fab；4.5億美元用于材料超級工廠（mega factory）；1億美元用于伴隨著業(yè)務增長所需要的其它投入
關鍵字：碳化硅碳化硅基氮化鎵工廠

碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
關鍵字：碳化硅(SiC)MOSFET 短路熱模型

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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。性質碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]