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碳化硅可靠性驗證要點

  • 從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設備的核心。從醫(yī)療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續(xù)運行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導體技術的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC的優(yōu)異物理特性使基于SiC的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關速度。由于SiC在市場上相對較新，一些工程師在尚未確定該技術可靠性水平之前，對從Si到SiC的轉換猶豫不決。但是，等待本身也會帶來風
  • 關鍵字： WBG  SiC  半導體  

SiC MOSFET 器件特性知多少？

  • 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  IGBT  WBG  

寬帶隙(WBG)半導體: 切實可靠的節(jié)能降耗解決方案

  • 減少能源轉換損耗和提高能效是人們的不懈追求，新的寬帶隙 (WBG) 半導體是一個切實可靠的節(jié)能降耗解決方案，可以通過系統(tǒng)方式減少碳足跡來減輕技術對環(huán)境的影響。例如，我們最新的 650 V、 750 V 和 1,200 V STPOWER 系列碳化硅 MOSFET 晶體管，可以讓設計人員開發(fā)續(xù)航里程更長的電動汽車動力總成系統(tǒng)。更高的能效可以大幅簡化冷卻系統(tǒng)設計，更小更輕的電子設備有助于最大限度降低車自重，在相同電量條件下，自重更輕的汽車行跑得更遠。意法半導體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)?Fil
  • 關鍵字： 202207  寬帶隙  WBG  意法半導體  

寬帶隙 (WBG) 半導體：切實可靠的節(jié)能降耗解決方案

  • 受訪人：Filippo Di Giovanni（意法半導體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)）1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　意法半導體的第三代碳化硅是我們的STPOWER SiC MOSFET技術改良研發(fā)活動取得的新進展，是為了更好地滿足電動汽車廠商在用碳化硅設計的動力電機逆變器、車載充電機和DC-DC轉換器時的嚴格要求。在高端工業(yè)領域，我們的第三代碳
  • 關鍵字： 意法半導體  寬帶隙  WBG  

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

  • 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優(yōu)勢。
  • 關鍵字： 碳化硅  SiC  氮化鎵  GaN  寬禁帶  WBG  

碳化硅用于電機驅(qū)動

  • 0? ?引言近年來，電力電子領域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應用。電機在工業(yè)應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調(diào)（HVAC）、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅(qū)動的能效和可靠性是降低
  • 關鍵字： 202106  MOSFET  WBG  202106  

新基建所需的電力電源方案特點

  • 我國正在大力興起新基建，帶來了5G、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、特高壓等對新一代電源產(chǎn)品的需求。為此，本刊邀請了部分業(yè)內(nèi)領軍企業(yè)，介紹了相關的市場機會與技術趨勢。
  • 關鍵字： PWM  WBG  CARG  EV  202009  

KEMET利用KONNEKT?高密度封裝技術擴展KC-LINK?系列

  • 全球領先的電子元器件供應商基美電子（“KEMET”），近日繼續(xù)通過使用KONNEKT高密度封裝技術擴展其廣受歡迎的KC-LINK系列來增強其電源轉換解決方案，從而滿足業(yè)界對快速開關寬禁帶（WBG）半導體、EV/HEV、LLC諧振轉換器和無線充電應用不斷增長的需求。這項技術將KC-LINK堅固耐用的專有C0G賤金屬電極（BME）電介質(zhì)系統(tǒng)與KONNEKT的創(chuàng)新型瞬態(tài)液相燒結（TLPS）材料相結合，創(chuàng)建了一種表面貼裝多芯片解決方案，其非常適合高密度封裝和高效率的應用使用，所產(chǎn)生的電容高達單個多層陶瓷電容器的四
  • 關鍵字： WBG  BME  TLPS  

安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用

  • 近日，推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性。快速本征二
  • 關鍵字： SiC  WBG  

SiC器件和封裝技術現(xiàn)狀

  • 眾所周知，封裝技術是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術的性能表征，如單位面積的導通電阻 (RdsA)，同時同步降低電容以實現(xiàn)快速開關。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶更好地利用寬帶隙快速開關性能?？捎玫臉藴誓K越來越多，而且有越來越多的新先進技術通過實現(xiàn)快速開關、降低熱阻與提高可靠性來提高產(chǎn)品價值。器件技術SiC 肖特基二極管銷售額占了 SiC 銷售額的?50% 以上，其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等級。650V 二極管用于計
  • 關鍵字： WBG  RdsA  

安森美半導體將在EV China 2019展示電動汽車和助推邁向自動駕駛的技術

  • 汽車領域正迅速邁向采用純電動汽車(EV)，并采用將最終實現(xiàn)全自動駕駛汽車的精密ADAS。安森美半導體在這一領域處于技術前沿，持續(xù)開發(fā)和推出器件及集成的系統(tǒng)方案，以使強固、可靠并完全符合最新汽車標準的高性能電子成分遍及整個車輛。
  • 關鍵字： 安森美半導體  自動駕駛  WBG  
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