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碳化硅可靠性驗(yàn)證要點(diǎn)

  • 從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC的優(yōu)異物理特性使基于SiC的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關(guān)速度。由于SiC在市場上相對(duì)較新，一些工程師在尚未確定該技術(shù)可靠性水平之前，對(duì)從Si到SiC的轉(zhuǎn)換猶豫不決。但是，等待本身也會(huì)帶來風(fēng)
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SiC MOSFET 器件特性知多少？

  • 對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
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寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體: 切實(shí)可靠的節(jié)能降耗解決方案

  • 減少能源轉(zhuǎn)換損耗和提高能效是人們的不懈追求，新的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體是一個(gè)切實(shí)可靠的節(jié)能降耗解決方案，可以通過系統(tǒng)方式減少碳足跡來減輕技術(shù)對(duì)環(huán)境的影響。例如，我們最新的 650 V、 750 V 和 1,200 V STPOWER 系列碳化硅 MOSFET 晶體管，可以讓設(shè)計(jì)人員開發(fā)續(xù)航里程更長的電動(dòng)汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)。更高的能效可以大幅簡化冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)，更小更輕的電子設(shè)備有助于最大限度降低車自重，在相同電量條件下，自重更輕的汽車行跑得更遠(yuǎn)。意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)?Fil
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寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體：切實(shí)可靠的節(jié)能降耗解決方案

  • 受訪人：Filippo Di Giovanni（意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)）1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　意法半導(dǎo)體的第三代碳化硅是我們的STPOWER SiC MOSFET技術(shù)改良研發(fā)活動(dòng)取得的新進(jìn)展，是為了更好地滿足電動(dòng)汽車廠商在用碳化硅設(shè)計(jì)的動(dòng)力電機(jī)逆變器、車載充電機(jī)和DC-DC轉(zhuǎn)換器時(shí)的嚴(yán)格要求。在高端工業(yè)領(lǐng)域，我們的第三代碳
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

  • 以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn)，第三代半導(dǎo)體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢(shì)。
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碳化硅用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)

  • 0? ?引言近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對(duì)從普通電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲(chǔ)的廣泛應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進(jìn)入市場的時(shí)間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應(yīng)用。電機(jī)在工業(yè)應(yīng)用的總功率中占了相當(dāng)大的比例。它們被用于暖通空調(diào)（HVAC）、重型機(jī)器人、物料搬運(yùn)和許多其他功能。提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)的能效和可靠性是降低
  • 關(guān)鍵字： 202106  MOSFET  WBG  202106  

新基建所需的電力電源方案特點(diǎn)

  • 我國正在大力興起新基建，帶來了5G、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、特高壓等對(duì)新一代電源產(chǎn)品的需求。為此，本刊邀請(qǐng)了部分業(yè)內(nèi)領(lǐng)軍企業(yè)，介紹了相關(guān)的市場機(jī)會(huì)與技術(shù)趨勢(shì)。
  • 關(guān)鍵字： PWM  WBG  CARG  EV  202009  

KEMET利用KONNEKT?高密度封裝技術(shù)擴(kuò)展KC-LINK?系列

  • 全球領(lǐng)先的電子元器件供應(yīng)商基美電子（“KEMET”），近日繼續(xù)通過使用KONNEKT高密度封裝技術(shù)擴(kuò)展其廣受歡迎的KC-LINK系列來增強(qiáng)其電源轉(zhuǎn)換解決方案，從而滿足業(yè)界對(duì)快速開關(guān)寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體、EV/HEV、LLC諧振轉(zhuǎn)換器和無線充電應(yīng)用不斷增長的需求。這項(xiàng)技術(shù)將KC-LINK堅(jiān)固耐用的專有C0G賤金屬電極（BME）電介質(zhì)系統(tǒng)與KONNEKT的創(chuàng)新型瞬態(tài)液相燒結(jié)（TLPS）材料相結(jié)合，創(chuàng)建了一種表面貼裝多芯片解決方案，其非常適合高密度封裝和高效率的應(yīng)用使用，所產(chǎn)生的電容高達(dá)單個(gè)多層陶瓷電容器的四
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安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用

  • 近日，推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出另兩個(gè)碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴(kuò)展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電動(dòng)汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實(shí)現(xiàn)的。安森美半導(dǎo)體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
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SiC器件和封裝技術(shù)現(xiàn)狀

  • 眾所周知，封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征，如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA)，同時(shí)同步降低電容以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶更好地利用寬帶隙快速開關(guān)性能?？捎玫臉?biāo)準(zhǔn)模塊越來越多，而且有越來越多的新先進(jìn)技術(shù)通過實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)、降低熱阻與提高可靠性來提高產(chǎn)品價(jià)值。器件技術(shù)SiC 肖特基二極管銷售額占了 SiC 銷售額的?50% 以上，其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等級(jí)。650V 二極管用于計(jì)
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安森美半導(dǎo)體將在EV China 2019展示電動(dòng)汽車和助推邁向自動(dòng)駕駛的技術(shù)

  • 汽車領(lǐng)域正迅速邁向采用純電動(dòng)汽車(EV)，并采用將最終實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)駕駛汽車的精密ADAS。安森美半導(dǎo)體在這一領(lǐng)域處于技術(shù)前沿，持續(xù)開發(fā)和推出器件及集成的系統(tǒng)方案，以使強(qiáng)固、可靠并完全符合最新汽車標(biāo)準(zhǔn)的高性能電子成分遍及整個(gè)車輛。
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