碳化硅文章進(jìn)入碳化硅技術(shù)社區(qū)

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰(shuí)是寬禁帶(WBG)材料的未來(lái)？

以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn)，第三代半導(dǎo)體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字：碳化硅 SiC 氮化鎵 GaN 寬禁帶 WBG

Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關(guān)損耗

隨著對(duì)電動(dòng)公共汽車和其他電氣化重型運(yùn)輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標(biāo)，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運(yùn)輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進(jìn)一步擴(kuò)充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合，Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級(jí)的控制和保護(hù)，以實(shí)現(xiàn)安全、可靠的運(yùn)輸并滿足嚴(yán)格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，可降低50%開關(guān)損耗對(duì)于碳化硅電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，Microchip的Agi
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圖騰柱 PFC 級(jí)受益于CoolSiC? MOSFET

無(wú)橋式圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）級(jí)可用于滿足嚴(yán)格的效率標(biāo)準(zhǔn)，但使用硅 MOSFET 時(shí)出現(xiàn)的較高損耗是不可接受的，而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅（SiC）器件。本文將討論能夠?qū)崿F(xiàn)這些改進(jìn)的 SiC器件性能參數(shù)。
關(guān)鍵字：碳化硅圖騰柱 PFC 體二極管恢復(fù) 電荷效率損耗輸出電容

意法半導(dǎo)體收購(gòu)Norstel AB 強(qiáng)化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈

近年隨著電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注，國(guó)際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅(qū)使SiC爭(zhēng)奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導(dǎo)體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng) (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應(yīng)用之電子電路的材料，因?yàn)橛锰蓟柚瞥傻男酒词购穸认鄬?duì)小也能夠經(jīng)受得起相對(duì)高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(chǎng)(Ec)和電
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羅姆為電動(dòng)汽車充電樁打造高效解決方案

引言全球能源短缺和大氣污染問(wèn)題日益嚴(yán)峻,汽車產(chǎn)業(yè)綠色低碳發(fā)展已成為降低全社會(huì)碳排放、增強(qiáng)國(guó)家競(jìng)爭(zhēng)力的有效手段。作為領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商之一,羅姆一直致力于技術(shù)創(chuàng)新,研發(fā)各種高效、高品質(zhì)的功率器件,為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案,在支持綠色出行的同時(shí)助力全面低碳社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展?？s短充電時(shí)間的高輸出挑戰(zhàn)對(duì)電動(dòng)汽車車主來(lái)說(shuō),縮短充電時(shí)間是非常重要的訴求,而大功率充電是其中關(guān)鍵的支撐技術(shù)。提升續(xù)航距離需要増加電池容量,為縮短充電時(shí)間,需要高輸出能力的充電樁,如360kW的充電樁要搭載9個(gè)40kW的電源
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意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級(jí)到8吋代表著ST針對(duì)汽車和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導(dǎo)體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良，對(duì)于芯片良率和晶體位錯(cuò)誤之缺陷非常低。其低缺
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體碳化硅

碳化硅基板及磊晶成長(zhǎng)領(lǐng)域環(huán)球晶布局掌握關(guān)鍵技術(shù)

由于5G、電動(dòng)車、高頻無(wú)線通信及國(guó)防航天等新興科技趨勢(shì)的興起，產(chǎn)業(yè)對(duì)于高頻率、低耗損的表現(xiàn)需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導(dǎo)體材料，備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導(dǎo)體的器件，能夠滿足傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體所不能滿足的諸多優(yōu)點(diǎn)。放眼全球化合物半導(dǎo)體大廠，碳化硅（SiC）晶圓的供應(yīng)以美國(guó)大廠Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達(dá)六至七成。磊晶廠則以美國(guó)的II-VI Incorporated為代表；模
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三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺(tái)打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線

中國(guó)化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺(tái) -- 三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái)的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過(guò)一系列產(chǎn)品性能和可靠性測(cè)試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測(cè)試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
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“新一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí)，全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代“

隨著物聯(lián)網(wǎng)，大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的新計(jì)算時(shí)代的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng)，對(duì)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體開始逐漸受到市場(chǎng)的重視，國(guó)際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈。全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級(jí)已經(jīng)開始，正在逐漸進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代。碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì)，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。已在智能電網(wǎng)，軌道交通，新能源，開關(guān)電源等領(lǐng)域得到了應(yīng)用，展現(xiàn)出了優(yōu)良的性質(zhì)和廣闊的
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安森美全面布局碳化硅市場(chǎng)：汽車、新能源、5G

目前，碳化硅市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)中，根據(jù)各大咨詢機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，碳化硅在電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽(yáng)能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關(guān)電源等領(lǐng)域都擁有非常廣闊的市場(chǎng)。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅可提供高場(chǎng)強(qiáng)、高能隙，以及高電子移動(dòng)速度和熱導(dǎo)率，讓下一代半導(dǎo)體器件的性能得到革命性提升。
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減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來(lái)自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關(guān)性能，并將開關(guān)損耗降低多達(dá)35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過(guò)使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對(duì)于必須提供不間斷電源的高性能應(yīng)
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英飛凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和應(yīng)用分析

2020年2月，碳化硅的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來(lái)了高性能和高功效。它是如何定義性能和應(yīng)用場(chǎng)景的？下一步產(chǎn)品計(jì)劃如何？碳化硅業(yè)的難點(diǎn)在哪里？為此，電子產(chǎn)品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū) 開關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源據(jù)悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
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碳化硅發(fā)展勢(shì)頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導(dǎo)體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢(shì)，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機(jī)會(huì)，電子產(chǎn)品世界訪問(wèn)了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件，使一些以前硅材料很難被應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如電流連續(xù)模式
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GT Advanced Technologies和安森美半導(dǎo)體簽署生產(chǎn)和供應(yīng)碳化硅材料的協(xié)議

GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor），宣布執(zhí)行一項(xiàng)為期五年的協(xié)議，總價(jià)值可達(dá)5,000萬(wàn)美元。根據(jù)該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長(zhǎng)市場(chǎng)和應(yīng)用。
關(guān)鍵字： GT Advanced Technologies 安森美碳化硅

碳化硅（SiC）功率器件或在電動(dòng)汽車領(lǐng)域一決勝負(fù)

電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢(shì)非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn)，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因?yàn)槿绱?，已?jīng)有越來(lái)越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進(jìn)入SiC市場(chǎng)。到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
關(guān)鍵字：碳化硅、SiC、功率器件、電動(dòng)汽車

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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡(jiǎn)單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛(ài)德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細(xì) ]