碳化硅文章最新資訊

意法半導體與賽米控合作,在下一代電動汽車驅動系統(tǒng)中集成碳化硅功率技術

服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布，為世界排名前列的電源模塊系統(tǒng)廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動汽車電源模塊提供碳化硅(SiC)技術。該供貨協(xié)議是兩家公司為期四年的技術合作開發(fā)成果。采用意法半導體先進的 SiC 功率半導體，雙方致力于在更緊湊的系統(tǒng)中實現(xiàn)卓越的能效，并在性能方面達到行業(yè)標桿。SiC 正迅速成為汽車行業(yè)首選的電動汽車牽引驅動的電源技術，有助于提高行駛里程和可靠性。賽米控最近宣布已獲得一筆價值 1
關鍵字：意法半導體賽米控電動汽車碳化硅

UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質因數(shù)的1200V第四代SiC FET

2022年5月11日移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）系列。
關鍵字： UnitedSiC Qorvo SiC 碳化硅場效應管

安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小

安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關組件迅速增長的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
關鍵字：安森美 TOLL封裝碳化硅 MOSFET

羅姆SiC評估板測評：快充測試

一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅動空載輸出12V，gs驅動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載 24轉55V 2A dcdc驅動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅動信號單脈沖寬度，3uS左右總結由于輕負載，溫度始終未超過50度。開關速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對應設備
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試

測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

羅姆SiC評估板測評：基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術研究

感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板，有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實，評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm；高壓區(qū)域也有明顯的標識。
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

SiC MOSFET的橋式結構解析

本文將對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹。
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET

碳化硅MOSFET晶體管的特征

功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
關鍵字： SiC 碳化硅 SBD

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
關鍵字： SiC 碳化硅 SBD

SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較

繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
關鍵字：碳化硅 SiC SBD 肖基特二極管

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
關鍵字： SiC 碳化硅

什么是碳化硅？SiC的特性和特征

碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
關鍵字： SiC 碳化硅

ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

意法半導體（ST）作為全球領先的汽車半導體供應商之一，多年前就開始布局新能源汽車領域，在2019年正式成立新能源車技術創(chuàng)新中心，推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā)，滿足ASIL D等級?；贏utoSAR的軟件架構和模型化的軟件算法，為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利，大大縮短了整個研發(fā)周期。
關鍵字： SiC 碳化硅牽引逆變器

ST第三代碳化硅技術問世瞄準汽車與工業(yè)市場應用

電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明，從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標的具體數(shù)據(jù)，圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，
關鍵字： ST 碳化硅汽車工業(yè) SiC

共268條 13/18 |‹ « 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 »

碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。性質碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]