SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

本文將對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹。

下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時導(dǎo)通，設(shè)置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。

該電路中HS和LS MOSFET的Drain-Source電壓（VDS）和漏極電流（ID）的波形示意圖如下。這是電感L的電流處于連續(xù)動作狀態(tài)，即所謂的硬開關(guān)狀態(tài)的波形。

橫軸表示時間，時間范圍Tk（k=1～8）的定義如下：

● T1： LS為ON時、MOSFET電流變化的時間段

● T2： LS為ON時、MOSFET電壓變化的時間段

● T3： LS為ON時的時間段

● T4： LS為OFF時、MOSFET電壓變化的時間段

● T5： LS為OFF時、MOSFET電流變化的時間段

● T4～T6： HS變?yōu)镺N之前的死區(qū)時間

● T7： HS為ON的時間段（同步整流時間段）

● T8： HS為OFF時、LS變?yōu)镺N之前的死區(qū)時間