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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅(qū)動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

  • Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產(chǎn)品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點包括可大幅提高效率和高溫可靠
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SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

  • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
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SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

  • 反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
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SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較

  • 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
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Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產(chǎn)品，實現(xiàn)嚴苛環(huán)境下出色的電路保護

  • 航空航天系統(tǒng)依賴于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執(zhí)行器中的數(shù)字和邏輯功能與電路才能完成關(guān)鍵的工作。數(shù)據(jù)中心、5G基礎(chǔ)設(shè)施和通信系統(tǒng)同樣依賴于復(fù)雜的電路，而這些電路需要得到妥善保護。即便有閃電、太陽活動和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰，系統(tǒng)仍必須保持連續(xù)運行。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）垂直陣列產(chǎn)品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。?該3kW二極管系列擁有超過25款產(chǎn)品，具有不同的篩選級別、極性和認證標
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電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖 (SBD)

  • 具有TI無線SoC處理器以及時鐘和接口解決方案的電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖(SBD)。當今用于蜂窩式電信網(wǎng)絡(luò)的無線基站必須具備強大的信號處理功能，以便能夠處理網(wǎng)絡(luò)中不斷增加的大量語音和數(shù)據(jù)流量，并支持正廣泛...
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東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容

  • 　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動。　　SBD適合各種應(yīng)用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?！　iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
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東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容

  • 　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動。　　SBD適合各種應(yīng)用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?！　iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
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ROHM超小型元器件RASMID?

  • ROHM于2011年開發(fā)了03015(0.3 mm×0.15 mm)尺寸的世界最小貼片電阻器，相比以往的0402產(chǎn)品尺寸成功減小了44%。2012年開發(fā)了世界最小半導(dǎo)體—0402尺寸的齊納二極管。2013年，產(chǎn)品陣容中增加了0402尺寸的肖特基勢壘二極管(SBD)，同時實現(xiàn)了03015尺寸的貼片電阻器量產(chǎn)。
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新日本無線新推出粗銅線絲焊類型的音頻SiC-SBD

  • 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關(guān)動作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高音質(zhì)音響效果。
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