編者注:本文轉載自NXP的應用文章。1. USB 接口演進歷史1996 年,眾所周之的通用串行接口(USB)初次問世。當時,版本 1.0 的 USB 接口僅可在低速(LS)模式和全速(FS)模式下,分別提供 1.5 Mb/s 和 12 Mb/s 的速率。2000 年, USB2.0 面市。新的高速(HS)模式可提供高達 480 Mb/s 的速率,并且依然向下兼容低速模式和全速模式。2. USB3.0 系統(tǒng)概述2008 年 11 月, USB3.0 技術規(guī)范發(fā)布。USB3.0 不僅包含了 USB2.0 的全
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USB TVS
一.TVS 管概述TVS(Transient Voltage Suppressor)瞬態(tài)電壓抑制器。當兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時,能以 10 的負 12 次方秒量級的速度,將兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗箖蓸O間的電壓箝位于一個預定值,有效地保護電子線路中的精密元器件。在浪涌電壓作用下,TVS 兩極間的電壓由額定反向關斷電壓 VWM 上升到擊穿電壓 VBR,而被擊穿,隨著擊穿電流的出現,流過 TVS 的電流將達到峰值脈沖電流 IPP,同時在其兩端的電壓被鉗位到預定的最大鉗位電壓 VC 以下,其后,隨著脈沖電
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TVS 管 模擬電路
TVS瞬態(tài)電壓抑制二極管原理應用特性瞬態(tài)抑制二極管(TVS)又叫鉗位型二極管,是目前國際上普遍使用的一種高效能電路保護器件,它的外型與普通二極管相同,但卻能吸收高達數千瓦的浪涌功率。它的主要特點是在反向應用條件下,當承受一個高能量的大脈沖時,其工作阻抗立即降至極低的導通值,從而允許大電流通過,同時把電壓鉗制在預定水平,其響應時間僅為10-12毫秒,因此可有效地保護電子線路中的精密元器件。TVS允許的正向浪涌電流在TA=250C,T=10ms條件下,可達50~200A。雙向TVS可在正反兩個方向吸收瞬時大脈
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TVS 防護電路
俗話說“書接上回”,那么再寫個續(xù)集吧!細心的朋友可能會發(fā)現,上一篇寫的計算方法針對的是單次的浪涌,比如Surge test一般兩次浪涌之間會有30~60 s的間隔時間,這意味著TVS有足夠的時間去把吸收的浪涌能量給耗散掉,不會因為熱累積而導致TVS溫度過高而損壞。但是,現實中還有一些情況是會有重復浪涌的。比如下圖,MOSFET作為低邊開關來控制感性負載L,MOSFET會由PWM控制進行周期性的開關,每次關斷(turn off)時,L都會因為反向的感應電動式E而產生一個尖峰電壓Vspike。Vspike =
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Littelfuse TVS
技術淺談說起 Littelfuse TVS 二極管,可謂歷史悠久,是 Littelfuse 最具特色與核心價值產品之一,目前出貨量排名全球首位。 Littelfuse TVS二極管家族十分龐大,覆蓋小功率到大功率的產品,用于保護半導體器件免受高電壓瞬變損害,廣泛應用于通訊設備、汽車電子、航空設備等市場,其性能在業(yè)內出類拔萃,可圈可點。以下是 Littelfuse 應用工程師在長期與客戶合作中積累的一些 TVS 選型問
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Littelfuse TVS
提到TVS,大部分電子工程師基本都知道是用來端口防護的,防止端口瞬間的電壓沖擊造成后級電路的損壞。今天我們就一起了解一下TVS如何選型。01工作原理TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬態(tài)電壓抑制器,又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導體工藝制成的單個 PN 結或多個 PN 結集成的器件。TVS 有單向與雙向之分,單向 TVS 一般應用于直流供電電路,雙向 TVS 應用于電壓交變的電路。如圖 1 所示,應用于直流電路時單向 TVS 反向并聯于電路中,當電路正常工作時,TVS
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TVS 瞬態(tài)電壓抑制器 二極管
在許多工業(yè)和汽車應用中,保護接口收發(fā)器免受各種電過應力事件的影響是一個主要問題。瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 二極管常用于上述用途,因為它們可以通過生成低阻抗電流路徑來鉗制電壓尖峰。TVS 二極管的電氣特性由幾個工藝因素決定。這些參數與 TVS 電壓、電流和額定功率相關,具有多種多樣的數值,以適應各種應用。但通過查看元件數據表,就會發(fā)現選型并不簡單。在本文中,我將討論電壓參數并展示哪種 TVS 二極管適用于 RS-232、RS-485&n
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TI 額定電壓 RS-232 RS-485 CAN TVS 二極管
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)內先進的標準整流器與瞬變電壓抑制器(TVS)二合一器件---R3T2FPHM3,為汽車應用提供新型表面貼裝解決方案。Vishay General Semiconductor R3T2FPHM3采用氧化物平面芯片結設計和共陰極電路配置,將3 A,600 V標準整流器和200 W TRANSZORB??TVS組合在小型FlatPAK 5 x 6封裝中。日前發(fā)布的器件工作溫度?-55 °C 至?+17
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Vishay 標準整流器 TVS
我們都知道,TVS產品的主要作用之一就是用來吸收ESD能量并鉗位,保護我們的后級芯片或電路不受其沖擊影響。所以我們在選型的時候需要特別關注的一點,就是TVS的ESD鉗位參數。其鉗位參數的重要性我們在之前的文章中都有提過了,今天我們就和大家一起聊聊ESD的波形圖的一些事兒。01 IEC 標準ESD波形圖ESD波形ESD波形參數IEC 61000-4-2中明確規(guī)定了ESD的波形圖及其參數,如圖所示。其上升時間非???,第一個尖峰在0.7~1ns之間,第二個尖峰在30ns,而整個事件持續(xù)時間為60ns。ESD事件
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Semtech TVS ESD
【2023 年 4 月 6 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布推出新款雙向瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 二極管,以滿足市場妥善保護高速數據端口的需求。D3V3Z1BD2CSP 以滿足保護靜電放電 (ESD) 沖擊和突波事件。這款產品的主要應用為高效能運算硬件、智能型手機、筆記本電腦和平板電腦、顯示器及游戲機的 I/O 端口。雖然許多競爭產品必須在設計上做出折衷,擇一選擇強大的突波保護特性或低輸入電容,D3V3Z1BD2CSP 可以同時提出這兩項優(yōu)點。它
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Diodes TVS ESD 突波保護
剛看過了CES2023,雷卯的外貿伙伴們看了最新的AR,VR,5G產品,新的電子產品更智能、更復雜,嵌入了脆弱和敏感的集成電路。這些設備的環(huán)境往往很惡劣,產生高水平靜電和快速瞬態(tài)浪涌。這些ESD事件可能會干擾設備,從故障到集成電路的破壞。電子產品精密化剛看過了CES2023,雷卯的外貿伙伴們看了最新的AR,VR,5G產品,新的電子產品更智能、更復雜,嵌入了脆弱和敏感的集成電路。這些設備的環(huán)境往往很惡劣,產生高水平靜電和快速瞬態(tài)浪涌。這些ESD事件可能會干擾設備,從故障到集成電路的破壞。將這些問題最小化的最
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雷卯 TVS
TVS作為浪涌抑制器,其應用涉及到通信與電源回路的方方面面,因為太過普遍,很多應用都是參考或延用過往設計,只知其保護效果而不知其根源,本章通過對于拋負載TVS選型計算展開分析,為新項目設計提供思路,該計算方式同樣適用于工業(yè)TVS選型應用。TVS二極管,既瞬態(tài)抑制二極管,又叫雪崩擊穿二極管,其工作原理與核心參數在上一章TVS簡介中已經充分展開說明,有需要可以另行閱讀。TVS的選型開始之前首先要了解一些條件: 1. 回路最高工作電壓Vop。2. 后級電路所能承受的最大電壓尖峰Vpk。3. 該電路的工
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Littelfuse TVS
航空航天系統(tǒng)依賴于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執(zhí)行器中的數字和邏輯功能與電路才能完成關鍵的工作。數據中心、5G基礎設施和通信系統(tǒng)同樣依賴于復雜的電路,而這些電路需要得到妥善保護。即便有閃電、太陽活動和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰,系統(tǒng)仍必須保持連續(xù)運行。Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)垂直陣列產品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。?該3kW二極管系列擁有超過25款產品,具有不同的篩選級別、極性和認證標
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TVS SBD ESD EFT MSL RTCA
意法半導體推出最新一代瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管,具有市場領先的功率密度,SMB Flat封裝的額定功率為600W,瞬態(tài)功率高達1500W,僅1.0mm厚的SMA Flat封裝的額定功率和瞬態(tài)功率分別為400W和600W。意法半導體的新1500W SMB Flat封裝不只是薄,瞬態(tài)功率與傳統(tǒng)SMC封裝器件相當,而封裝面積不足傳統(tǒng)SMC封裝的一半。400W和600W SMA Flat和SMB Flat產品的封裝面積與可替代的傳統(tǒng)SMA和SMB封裝產品完全兼容。漏電流是市場上其它廠家TVS二極管的五分之一,
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二極管 TVS
tvs介紹
TVS 即瞬態(tài)抑制二極管(Transient Voltage Suppressor)
1、概述:
TVS管是瞬態(tài)電壓抑制器(Transient Voltage Suppressor)的簡稱。它的特點是:響應速度特別快(為ns級);耐浪涌沖擊能力較放電管和壓敏電阻差,其10/1000μs波脈沖功率從400W~30KW,脈沖峰值電流從0.52A~544A;擊穿電壓有從6.8V~550 [
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