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Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產(chǎn)品，實現(xiàn)嚴苛環(huán)境下出色的電路保護

  • 航空航天系統(tǒng)依賴于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執(zhí)行器中的數(shù)字和邏輯功能與電路才能完成關(guān)鍵的工作。數(shù)據(jù)中心、5G基礎(chǔ)設(shè)施和通信系統(tǒng)同樣依賴于復(fù)雜的電路，而這些電路需要得到妥善保護。即便有閃電、太陽活動和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰，系統(tǒng)仍必須保持連續(xù)運行。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）垂直陣列產(chǎn)品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。?該3kW二極管系列擁有超過25款產(chǎn)品，具有不同的篩選級別、極性和認證標
  • 關(guān)鍵字： TVS  SBD  ESD  EFT  MSL  RTCA  

EFT干擾：如何避開產(chǎn)品設(shè)計中的彎路

  • 　　摘要： 　　從EFT的特性及本質(zhì)問題出發(fā)，分析產(chǎn)品的EFT干擾路徑，并采取相應(yīng)濾波及阻斷措施，使電源端口的脈沖群干擾傳導(dǎo)或輻射到用電單元時，不會影響用電設(shè)備的正常工作。這樣來實現(xiàn)產(chǎn)品整個抗擾度的提升。 　　關(guān)于EFT的干擾問題，主要分實際應(yīng)用及認證測試兩塊。在實際應(yīng)用中，可能會遇到在大功率電機或電閘進行操作時，會影響到控制電路正常工作，我們需要進行整改，以滿足功能要求。在一些強制認證產(chǎn)品中，需要通過相關(guān)測試標準，具體標準因產(chǎn)品種類不同而不同。 　　   　　圖1 EFT試驗
  • 關(guān)鍵字： EFT  電源模塊  

如何測試單片機系統(tǒng)的可靠性

  • 有網(wǎng)友希望了解用用什么方法來測試單片機系統(tǒng)的可靠性，鄧宏杰指出：“當一個單片機系統(tǒng)設(shè)計完成，對于不同的單片 ...
  • 關(guān)鍵字： 單片機系統(tǒng)  開關(guān)電源  ESD  EFT  

基于瑞薩QzROM單片機的EFT抗干擾措施

  • 　　摘要：主要介紹了瑞薩QZROM單片機應(yīng)用中的幾種EFT抗干擾措施。 　　關(guān)鍵詞：QzROM單片機;EFT;干擾信號;抗干擾措施QzROM單片機介紹 　　QzROM是應(yīng)用了經(jīng)過細微化處理的PROM技術(shù)的可編程存儲器。QzROM單片機是指搭載了新型存儲器QzROM的瑞薩單片機(圖1)，廣泛應(yīng)用于照相機、便攜式設(shè)備、家電及民用設(shè)備等。
  • 關(guān)鍵字： 單片機  EFT  201102  

EFT/ESD問題的測量和定位

  • 大部分電子產(chǎn)品需要通過電快速瞬變脈沖群（EFT）（根據(jù)IEC61000-4-4）和靜電放電（ESD）(根據(jù)IEC61000-4-2)等項目的標準測試。EFT和ESD是兩種典型的突發(fā)干擾，EFT信號單脈沖的峰值電壓可高達4kV，上升沿5ns。接觸放電測試時的ESD信號的峰值電壓可高達8kV，上升時間小于1ns。這兩種突發(fā)干擾，都具有突發(fā)、高壓、寬頻等特征。  在進行標準的EFT/ESD測試時，把干擾脈沖從設(shè)備外部耦合到內(nèi)部，同時監(jiān)視設(shè)備的工作狀態(tài)。如果設(shè)備沒有通過這些標準的測試，測試本身幾乎不能提
  • 關(guān)鍵字： EFT/ESD  測量  測試  
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eft介紹

EFT（Electrical Fast Transient/burst ）電快速瞬變脈沖群 　　試驗波形電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗，目的是驗證由閃電、接地故障或切換電感性負載而引起的瞬時擾動的抗干擾能力。這種試驗是一種耦合到電源線路、控制線路、信號線路上的由許多快速瞬變脈沖組成的脈沖群試驗。此波形不是感性負載斷開的實際波形（感性負載斷開時產(chǎn)生的干擾幅度是遞增的），而實驗所采用的波形使實驗等級更為 [ 查看詳細 ]

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