喜報(bào)！讓碳化硅瘋狂生長(zhǎng)-科友半導(dǎo)體晶體厚度突破80mm！
發(fā)布人：旺材芯片
時(shí)間：2024-05-31
來(lái)源：工程師
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科友半導(dǎo)體
，時(shí)長(zhǎng)00:11
物理氣相傳輸（PVT）法生長(zhǎng)碳化硅單晶具有質(zhì)量可控、工藝成熟的優(yōu)勢(shì)，但晶體厚度一直是主要制約，而溶液法在提高晶體厚度方面表現(xiàn)突出，但是目前仍尚未能實(shí)現(xiàn)真正的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)?？朴寻雽?dǎo)體基于自研電阻爐，通過(guò)借鑒溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生長(zhǎng)高厚度晶體的限制，充分利用了PVT法單晶穩(wěn)定生長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)，將兩種制備方法的優(yōu)勢(shì)成功結(jié)合到一起。大厚度晶體的成功制備標(biāo)志著科友半導(dǎo)體突破了大厚度碳化硅單晶生長(zhǎng)的關(guān)鍵技術(shù)難題，向大尺寸碳化硅襯底低成本量產(chǎn)邁出了堅(jiān)實(shí)一步，進(jìn)一步彰顯出電阻加熱式長(zhǎng)晶爐在替代傳統(tǒng)感應(yīng)爐、推動(dòng)襯底成本持續(xù)降低方面的巨大潛力。
先進(jìn)的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)，充足的晶體生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力
更快的晶體生長(zhǎng)速率，更小的晶體內(nèi)部應(yīng)力
更低的晶體缺陷密度，更高的良品率
晶體質(zhì)量直接影響襯底材料的良品率，科友半導(dǎo)體應(yīng)用優(yōu)化的工藝條件，減少籽晶內(nèi)部缺陷的繼承，并且隨著晶體的厚度增加，來(lái)自于籽晶內(nèi)部微觀缺陷得到充分的轉(zhuǎn)化和消除，進(jìn)一步減少晶體內(nèi)部微觀缺陷，有效提升了襯底材料的品質(zhì)和良品率。
更適宜的溫度梯度，獲得平微凸的單晶輪廓
單片成本顯著降低，盈利能力大幅提高
該批次晶體厚度達(dá)到60mm，幾乎達(dá)到業(yè)內(nèi)主流晶體厚度的3倍，單片成本降低到原來(lái)的30%左右，即成本下降幅度達(dá)到70%，同時(shí)由于單顆晶體的出片率大幅提升，相當(dāng)于企業(yè)盈利能力翻了三倍。企業(yè)介紹
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