碳化硅賽道“涌動” ，國內(nèi)外巨頭抓緊布局

近年來，在新能源汽車、光伏等應用的帶動下，碳化硅行業(yè)迎來了快速發(fā)展階段。據(jù)Yole報告顯示，未來碳化硅在功率半導體中的市場份額將穩(wěn)步提升，到2028年將達到約25%的市場份額，屬于一個具有明確發(fā)展前景的新興領(lǐng)域。今年以來，碳化硅賽道依然火熱。安森美、Wolfspeed、羅姆、博世等海外碳化硅巨頭相繼宣布投資和擴產(chǎn)計劃。與此同時，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈也在加速建設，40多家炭化企業(yè)的硅相關(guān)項目取得新進展。

海外巨頭忙于擴產(chǎn)

從碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來看，主要包括襯底、外延、器件設計、器件制造、封裝測試等。從行業(yè)市場結(jié)構(gòu)來看，碳化硅襯底市場目前以美國、日本為主和歐洲，其中美國是世界上最大的。領(lǐng)先廠商包括美國的Wolfspeed、II-VI、安森美，歐洲市場的ST、英飛凌，日本的羅姆、三菱、富士電機等。國際碳化硅外延公司主要有昭和電工、II-VI、Norstel、Wolfspeed、Rohm、三菱電機、英飛凌等。

今年以來，多家碳化硅海外巨頭紛紛公布擴產(chǎn)計劃：

安森美半導體：正在韓國京畿道富川市建設全球最大的碳化硅（SiC）生產(chǎn)設施，目標于2024年完成設備安裝，使富川市成為全球SiC生產(chǎn)中心。到2025年，富川工廠的SiC半導體年產(chǎn)能預計將達到100萬片，占安森美半導體總產(chǎn)量的35%至40%。

Wolfspeed：2月份該公司宣布與采埃孚腓特烈港建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。雙方擬建立聯(lián)合創(chuàng)新實驗室，推動碳化硅系統(tǒng)及裝備技術(shù)在出行、工業(yè)、能源應用領(lǐng)域的進步。此次戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系還包括采埃孚的一項重大投資，用于支持在德國恩斯多夫建設全球最大、最先進的200毫米碳化硅晶圓廠。6月，有消息稱Wolfspeed獲得20億美元融資，該融資將用于擴建該公司在美國現(xiàn)有的兩座碳化硅晶圓生產(chǎn)設施，并向捷豹、路虎等汽車制造商供應碳化硅芯片。

X-FAB：5月，宣布計劃擴大位于美國德克薩斯州拉伯克的代工業(yè)務。第一期投資2億美元，用于增加工廠碳化硅半導體的產(chǎn)量。根據(jù)市場需求，未來還將推出更多投資項目。

羅姆：將在日本宮崎縣的第二工廠生產(chǎn)8英寸（200毫米）碳化硅晶圓，預計2024年投產(chǎn)。宮崎第二工廠原為Solar Frontier子公司的前國富工廠出光興三.羅姆即將通過交易收購該工廠。一旦改建為羅姆在宮崎的第二座晶圓廠，這將成為羅姆最大的碳化硅功率半導體晶圓廠，生產(chǎn)8英寸晶圓。

住友電工：計劃投資約300億日元（約2.14億美元）支付在富山縣建設新工廠的費用，該工廠將于2027年開始大規(guī)模生產(chǎn)碳化硅晶圓。

SK powertech：5月宣布其位于韓國釜山的新工廠已完成試運行并進入量產(chǎn)。這意味著SK powertech的碳化硅（SiC）半導體產(chǎn)能將增加近兩倍。

Resonac：前身為昭和電工，擁有全球碳化硅（SiC）外延片25%的市場份額。該制造商計劃到2026年將SiC外延片的月產(chǎn)能提高到5萬片（直徑150毫米），相當于目前產(chǎn)能的約5倍。

博世：今年9月，完成了對美國加利福尼亞州羅斯維爾晶圓廠的收購。博世計劃于2026年在該工廠開始在8英寸工藝平臺上量產(chǎn)碳化硅器件，該項目總投資預計將達到15億美元。

瑞薩電子：將于2025年開始生產(chǎn)采用碳化硅（SiC）的下一代功率半導體產(chǎn)品，以減少損失。計劃在群馬縣高崎工廠進行量產(chǎn)，該工廠目前生產(chǎn)硅基功率半導體，但具體投資額數(shù)量和生產(chǎn)規(guī)模尚未確定。

東芝電子：2月透露，將于2025年開始量產(chǎn)碳化硅功率半導體。

40+國內(nèi)項目蓄勢待發(fā)

國內(nèi)不少廠家也紛紛布局碳化硅這一熱門領(lǐng)域。據(jù)不完全統(tǒng)計，今年以來，我國已有40多個SiC相關(guān)項目取得新進展，包括簽約、新建產(chǎn)線、爬坡產(chǎn)能等。國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈建設正在加速。

除了上述項目進展之外，國內(nèi)碳化硅設備、襯底、外延片、器件等廠商近期也紛紛公布了產(chǎn)品進展。

晶盛股份（設備）：半導體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐已順利交付驗收，設備在客戶現(xiàn)場表現(xiàn)良好。

大族激光（設備）：在第三代半導體技術(shù)方面，公司碳化硅激光切片設備正在持續(xù)推進與行業(yè)領(lǐng)先客戶的合作，為規(guī)?；a(chǎn)做好準備，并已推出碳化硅激光退火。設備新產(chǎn)品。

天岳先進（襯底）：目前，從行業(yè)產(chǎn)業(yè)化和批量供貨來看，導電碳化硅襯底仍以6英寸為主，國內(nèi)外尚未實現(xiàn)8英寸襯底的規(guī)?；９疽丫邆?英寸碳化硅襯底的量產(chǎn)能力，也將根據(jù)下游客戶的需求，合理規(guī)劃產(chǎn)品生產(chǎn)和銷售安排。

晶盛機電（襯底）：公司于2017年開始碳化硅晶體生長設備及工藝的研發(fā)，已成功開發(fā)出6英寸、8英寸碳化硅晶體及襯底晶圓。是國內(nèi)少數(shù)能夠供應8英寸襯底晶圓的企業(yè)之一。企業(yè)。公司此前已建成一條6-8英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線。6英寸襯底晶圓已得到多家下游企業(yè)驗證，并已批量銷售。8英寸襯底晶圓正處于下游企業(yè)驗證階段。

三安光電（基板、器件）：子公司湖南三安碳化硅產(chǎn)品取得階段性進展，實現(xiàn)8英寸基板準量產(chǎn)。部分產(chǎn)品已進入主流新能源汽車企業(yè)供應鏈。在碳化硅MOSFET方面，公司推出了650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET產(chǎn)品，具有高性能、高一致性、高可靠性等優(yōu)勢。其中，1700V/1000mΩ MOSFET主要應用于光伏逆變器輔助電源，1200V/75mΩ MOSFET主要應用于新能源汽車OBC。兩款產(chǎn)品均處于客戶導入階段，將逐步批量供貨；1200V/16mΩ車規(guī)級芯片已通過戰(zhàn)略客戶模塊驗證。

托尼電子（基板）：8英寸碳化硅基板正處于研發(fā)驗證階段。小批量訂單已經(jīng)下達，驗證和量產(chǎn)過程將繼續(xù)進行。

中電復合（外延片）：10月31日，公司完成首批8英寸SiC外延片產(chǎn)品向客戶的交付。8英寸面積較6英寸增加78%，可大幅降低碳化硅器件成本，為進一步推動碳化硅材料降本增效提供有力支撐。技術(shù)指標方面，8英寸SiC外延片可實現(xiàn)厚度均勻度≤3%、摻雜濃度均勻度≤5%、表面致命缺陷≤0.5個/cm2。

揚杰科技（器件）：碳化硅系列二極管、MOSFET等系列產(chǎn)品在多個領(lǐng)域獲得國內(nèi)頂級客戶認可，并已批量出貨。碳化硅晶圓項目工廠建設已封頂，設備已逐步進場，相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)也在持續(xù)推進。預計該生產(chǎn)線將于2024年投入量產(chǎn)。

寫在最后：

今年3月，特斯拉在投資者大會上透露，將減少75%碳化硅的使用量，一度引起業(yè)界對碳化硅市場前景的擔憂。但新能源汽車、光伏等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，仍為碳化硅行業(yè)注入強勁動力。無論是海外巨頭還是國內(nèi)廠商都在加大布局。近年來，國內(nèi)碳化硅也取得了快速發(fā)展，產(chǎn)業(yè)鏈和生態(tài)不斷完善。未來將與海外巨頭競爭。

來源：集微網(wǎng)