碳化硅文章最新資訊

碳化硅/氮化鎵組件進入商品化電力電子產(chǎn)業(yè)迎來大革命

LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然
關鍵字：碳化硅氮化鎵

國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行調研基本半導體

　　4月9日上午，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導體考察調研。　　基本半導體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！　‰S后丁文武一行聽取了基本半導體總經(jīng)理和巍巍博士對公司發(fā)展情況的匯報。丁文武對基本半導體的技術創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團隊再接再厲，立足創(chuàng)新驅動，不斷發(fā)展壯大，成為中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的領軍企業(yè)?！　壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)投資基金是為促進集
關鍵字：基本半導體碳化硅功率芯片集成電路

SiC將與IGBT或MOSFET共存

雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個高端應用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補其在價格方面的短板，尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視，將為中功率、高功率應用領域帶來大量需求。氮化鎵技術能夠降低成本，又能夠保持半導體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應用領域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被碳化硅替代，我們認為碳化硅和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢的領域中共同發(fā)揮所長，共生共棲。
關鍵字：瑞薩，碳化硅

重磅消息！深圳第三代半導體研究院正式啟動

　　3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導體和南方科技大學等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導體研究院的成立具有里程碑意義，將對中國乃至全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠影響?！　】萍疾吭辈块L、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會主任、深圳第三代半導體研究院理事長曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長陳如桂，科技部高新司原司長、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會副主任、深圳第三代半
關鍵字：青銅劍科技半導體碳化硅功率器件

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析-SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品，美國Cree和意法半導體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。
關鍵字：碳化硅

英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號

　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。c科技股份公司開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年PCIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術的潛力?！　∮w凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達到轉折點，考慮到成本效益，它
關鍵字：英飛凌碳化硅

英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號

　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年PCIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術的潛力?！　∮w凌工業(yè)功率控
關鍵字：英飛凌碳化硅

三菱電機攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

　　三菱電機于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)展會中，以十款新型功率器件強勢登場，其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機展位號：E06)?！　∪怆姍C以“創(chuàng)新功率器件構建可持續(xù)未來”為主題，今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)應用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。　　變頻家電市場　　在變頻家電應用方面，三菱電機展出
關鍵字：三菱電機碳化硅

碳化硅肖特基二極管在電源中的應用

功率因數(shù)校正（PFC）市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準。由于北美沒有管理PFC的規(guī)定，能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費類產(chǎn)品、計算機和通信領域中必須使用PFC的
關鍵字：碳化硅肖特基二極管電源 DCM PFC

氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？

伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。
關鍵字：氮化鎵碳化硅

中國成功研制國產(chǎn)6英寸碳化硅晶片年產(chǎn)7萬片

　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內率先實現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。　　不久前，中國科學院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達藍光半導體有限公司(以下簡稱天科合達)合作，解決了6英寸擴徑技術和晶片加工技術，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內率先實現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。　　第三代半導體材料　　研究人員告訴記者，上世紀
關鍵字：碳化硅晶片

首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門投產(chǎn)

　　5月29日，國內首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產(chǎn)，并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品，成為國內首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。　　據(jù)悉，碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導體材料。碳化硅半導體儀器大禁帶寬度、高臨界場強和高熱導率等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。　　瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹，6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
關鍵字：碳化硅外延晶片

三菱電機攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014

　　三菱電機今年以“創(chuàng)新功率器件構建可持續(xù)未來”為題，攜帶六款全新產(chǎn)品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相。　　今年展出的產(chǎn)品范圍跨越六大領域，包括：工業(yè)應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動汽車應用以及碳化硅器件應用?！　≡谛庐a(chǎn)品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應用在工業(yè)驅動和太陽能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
關鍵字：三菱電機 PCIM 碳化硅

東芝擴充碳化硅肖特基勢壘二極管系列

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布將擴充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列，為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。
關鍵字：東芝碳化硅

Mouser推出Cree的1200V高頻碳化硅半電橋模塊

Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個半電橋封裝中結合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
關鍵字： Mouser CAS100H12AM1 碳化硅

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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。性質碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]