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貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

  • 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子  (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關DC/DC
  • 關鍵字： 貿(mào)澤  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET  

UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

  • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務器電源應用實現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
  • 關鍵字： UnitedSiC  Qorvo  750V  SiC FET  

UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合

  • Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實現(xiàn)更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
  • 關鍵字： UnitedSiC  Qorvo  電源  SiC FET  

SiC FET的起源及其向著完美開關發(fā)展的歷程

  • 使用寬帶隙半導體作為高頻開關為實現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個示例是，碳化硅開關可以實施為SiC MOSFET或以共源共柵結構實施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術進行了比較。白皮書當然，接近完美的電子開關已經(jīng)存在很長一段時間了，但是我們這里要談的不是機械開關?，F(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換依賴的是半導體開關，它們最好在打開時沒有電阻，在關閉時電阻和耐受電壓無限大，并能在簡單驅(qū)動下以任意快的速度在開關狀態(tài)間切換且沒有瞬時功率損耗。在這個重視能源與成本
  • 關鍵字： UnitedSiC  SiC  

有源前端整流器

  • 介紹針對電動汽車充電器的最佳SiC功率拓撲和調(diào)制決策的設計技巧，利用指導拓撲和調(diào)制決策，有助于消除不可行選項，轉(zhuǎn)而關注那些可能表現(xiàn)良好的選項。▎引言  ▎電動汽車的蓄電池充電器需要在電網(wǎng)連接和蓄電池之間進行電流隔離。因此，電動汽車充電器幾乎總是有兩個級：一個高電能質(zhì)量整流器，將AC轉(zhuǎn)換為DC；然后是DC-DC轉(zhuǎn)換器，利用高頻變壓器進行電流隔離。SiC FET和二極管的高開關頻率可以滿足使用“舊的”和簡單的電路拓撲的充電器要求，而這種拓撲在硅基開關器件中是不切實際的。例如，用于單相整流的圖騰柱功率
  • 關鍵字： UnitedSiC  

性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案

  • UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，是不斷成長的電動車市場向著800V母線車載充電器（OBC）和直流轉(zhuǎn)換器邁進過程中的理想選擇。與前幾代一樣，新FET也非常適合工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、光伏轉(zhuǎn)換
  • 關鍵字： UnitedSiC  

UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET

  • 2022年5月11日移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）系列。
  • 關鍵字： UnitedSiC  Qorvo  SiC  碳化硅  場效應管  
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