2021基本創(chuàng)新日盛大開啟 碳化硅系列新品重磅發(fā)布

新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標推動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟的中流砥柱，引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命。

“創(chuàng)新為基，創(chuàng)芯為本”，11月27日，2021基本創(chuàng)新日活動在深圳盛大啟幕?；景雽?dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展，受到了現(xiàn)場來自汽車、工業(yè)、消費等領(lǐng)域以及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內(nèi)人士的高度關(guān)注。

汽車級全碳化硅功率模塊

后疫情時代下，全球汽車產(chǎn)業(yè)普遍面臨“缺芯”難題，而以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是支撐新能源汽車發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一，在電機控制器、車載充電器、DC/DC變換器等關(guān)鍵部件中發(fā)揮重要的作用。

發(fā)布會上，基本半導(dǎo)體汽車級全碳化硅MOSFET功率模塊家族成員首次正式整體亮相，包括半橋MOSFET模塊Pcore?2、三相全橋MOSFET模塊Pcore?6、塑封單面散熱半橋MOSFET模塊Pcell?等。該系列產(chǎn)品采用銀燒結(jié)技術(shù)，相較于傳統(tǒng)硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作結(jié)溫、更低雜散電感、更低熱阻等特性，綜合性能達到國際先進水平，特別適合應(yīng)用于新能源汽車。

汽車級全碳化硅功率模塊家族成員具體介紹如下：

汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊：Pcore?6

Pcore?6系列模塊是一款非常緊湊的功率模塊，專為混合動力和電動汽車提升效率應(yīng)用而設(shè)計，使用氮化硅AMB絕緣基板、用于直接流體的銅基PinFin基板、多信號監(jiān)控的感應(yīng)端子（焊接、壓接兼容）設(shè)計，具有低損耗、高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻、高電流密度、高可靠性（高于AQG-324參考標準）等特點。

汽車級全碳化硅塑封單面散熱半橋MOSFET模塊：Pcell?

Pcell?系列模塊采用基本半導(dǎo)體設(shè)計的獨有封裝形式，采用銀燒結(jié)和DTS技術(shù)，大大提升了模塊的功率密度，讓碳化硅材料特性得以充分發(fā)揮，使得產(chǎn)品具有高功率密度、低雜散電感(小于5nH)、高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻（小于2mΩ）、結(jié)溫高達175℃等特點，非常適合于高效、高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域。

汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊：Pcore?2

Pcore?2系列模塊具有低開關(guān)損耗、可高速開關(guān)、降低溫度依賴性、高可靠性（高于AQG-324參考標準）等特點，結(jié)溫可達175℃，與傳統(tǒng)硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上代替相同封裝的IGBT模塊，從而有效縮短產(chǎn)品開發(fā)周期，提高工作效率。

第三代碳化硅肖特基二極管

追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代650V、1200V系列碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在延用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上，實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更強的浪涌能力。

最新款碳化硅肖特基二極管的亮點表現(xiàn)：

2  更高電流密度、更低Q_c：第三代二極管具有更高電流密度、更低QC，使其在真實應(yīng)用環(huán)境中開關(guān)損耗更低。

2  更強浪涌能力：通過工藝及設(shè)計迭代優(yōu)化，第三代二極管實現(xiàn)了更高的浪涌能力。

2  更低成本：更高的電流密度帶來更小的芯片面積，使得器件成本較前兩代二極管進一步降低。

2  更高產(chǎn)量： 使用6英寸晶圓平臺，單片晶圓產(chǎn)出提升至4英寸平臺產(chǎn)出2倍以上。

混合碳化硅分立器件

現(xiàn)代尖端電力電子設(shè)備性能升級需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高的主開關(guān)頻率。而現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關(guān)器件。

為此，基本半導(dǎo)體首次正式發(fā)布一款新品：混合碳化硅分立器件。不同于全硅基IGBT+FRD，這款產(chǎn)品在以硅基IGBT作為核心開關(guān)器件的單管器件中，將器件中的續(xù)流二極管從硅基FRD換成了碳化硅肖特基二極管。

由于肖特基二極管沒有雙極型硅基高壓FRD的反向恢復(fù)行為，混合碳化硅分立器件的開關(guān)損耗獲得了極大地降低。根據(jù)測試數(shù)據(jù)顯示，這款新品的開通損耗比硅基IGBT的開通損耗降低約32.9%，總開關(guān)損耗比硅基IGBT的開關(guān)損耗降低約22.4%。

基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件可應(yīng)用于對功率密度提升有需求，同時更強調(diào)性價比的電源應(yīng)用領(lǐng)域，如車載電源、車載空調(diào)控制器以及其他高效電源等。

新品發(fā)布會后，基本半導(dǎo)體技術(shù)專家分別介紹了公司在碳化硅MOSFET、碳化硅功率模塊、碳化硅驅(qū)動以及功率半導(dǎo)體可靠性測試關(guān)鍵項目的領(lǐng)先技術(shù)和經(jīng)驗。

此外，為深化碳中和愿景下的中歐科研創(chuàng)新領(lǐng)域協(xié)同合作，推動我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深入發(fā)展，此次2021基本創(chuàng)新日還同期舉辦了“2021中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”。

此論壇作為由中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會與深圳市人民政府共同主辦的“2021中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”專業(yè)論壇，深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會黨組成員孫楠，英國皇家工程院院士、劍橋大學(xué)Gehan Amaratunga教授，深圳大學(xué)微電子研究院院長、半導(dǎo)體制造研究院院長王序進院士出席論壇，來自劍橋大學(xué)、南京大學(xué)、天津工業(yè)大學(xué)、法國Yole Développement、比利時微電子研究中心、采埃孚、天科合達、漢磊科技、古瑞瓦特、基本半導(dǎo)體等中歐院校、科研機構(gòu)以及創(chuàng)新企業(yè)的專家學(xué)者分別作了精彩演講，共同探討中歐第三代半導(dǎo)體行業(yè)最新技術(shù)和發(fā)展前景。

2021基本創(chuàng)新日活動得到嘉賓的高度支持，反響熱烈。未來，基本半導(dǎo)體將繼續(xù)通過技術(shù)研討會、產(chǎn)品發(fā)布會、行業(yè)論壇等形式舉辦創(chuàng)新活動，敬請期待！