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英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進(jìn)的發(fā)射器控制設(shè)計(jì)結(jié)合高速技術(shù)，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導(dǎo)體器件適合用于各種應(yīng)用，如組串式逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、電動(dòng)汽車充電應(yīng)用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統(tǒng)應(yīng)用。?在分立式封裝
關(guān)鍵字：英飛凌 650V IGBT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉，電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現(xiàn)無碳社會(huì)，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
關(guān)鍵字： ROHM 650V GaN HEMT

致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NFAM5065L4B智能功率整合模塊（IPM）的4KW 650V工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的4KW 650V工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案的展示板圖近年來，隨著科技高速發(fā)展以及工業(yè)4.0的加速推進(jìn)，工業(yè)市場(chǎng)對(duì)于電機(jī)的需求與日俱增。根據(jù)相關(guān)機(jī)構(gòu)調(diào)查顯示電機(jī)的耗電量約為全球電力供應(yīng)的50%。這在節(jié)能減排、實(shí)現(xiàn)“雙碳”的統(tǒng)一戰(zhàn)略目標(biāo)下，是一項(xiàng)亟待解決的問題。為了提升電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)效率降低能源損
關(guān)鍵字：大聯(lián)大世平集團(tuán) onsemi 650V 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)

半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實(shí)現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)和控制，應(yīng)用設(shè)計(jì)大為簡(jiǎn)化；使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET 驅(qū)動(dòng)器也可以很容易地驅(qū)動(dòng)它們。新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
關(guān)鍵字： Nexperia 650V 氮化鎵 GaN

作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動(dòng)汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
關(guān)鍵字：科銳 650V MOSFET 電動(dòng)汽車

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