ROHM開(kāi)始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT^*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。

據(jù)悉，電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì)，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM將柵極耐壓高達(dá)8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產(chǎn)；2023年3月，又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術(shù)。此次，為了助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化，ROHM又推出器件性能達(dá)到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。

新產(chǎn)品是ROHM與Delta Electronics, Inc. （以下簡(jiǎn)稱“臺(tái)達(dá)電子”）的子公司——專(zhuān)注于GaN元器件開(kāi)發(fā)的Ancora Semiconductors Inc.（以下簡(jiǎn)稱“碇基半導(dǎo)體”）聯(lián)合開(kāi)發(fā)而成的，在650V GaN HEMT的器件性能指數(shù)（R_DS（ON）×C_iss / R_DS（ON）×C_oss^*2）方面，達(dá)到了業(yè)界超高水平。因此，新產(chǎn)品可以大大降低開(kāi)關(guān)損耗，從而能夠進(jìn)一步提高電源系統(tǒng)的效率。另外，新產(chǎn)品還內(nèi)置ESD^*3保護(hù)器件，將抗靜電能力提高至3.5kV，這將有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的可靠性。不僅如此，新產(chǎn)品還具有GaN HEMT器件的優(yōu)勢(shì)——高速開(kāi)關(guān)工作，從而有助于外圍元器件的小型化。

新產(chǎn)品已于2023年4月起投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格 5,000日元/個(gè)，不含稅），并已開(kāi)始網(wǎng)售，通過(guò)Ameya360、Sekorm等電商平臺(tái)均可購(gòu)買(mǎi)。

ROHM將有助于應(yīng)用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”，并不斷致力于進(jìn)一步提高器件的性能。另外，除了元器件的開(kāi)發(fā)，ROHM還積極與業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并推動(dòng)聯(lián)合開(kāi)發(fā)，通過(guò)助力應(yīng)用產(chǎn)品的效率提升和小型化，持續(xù)為解決社會(huì)問(wèn)題貢獻(xiàn)力量。

＜什么是EcoGaN?＞ 

EcoGaN?是通過(guò)更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產(chǎn)品有助于應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實(shí)現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設(shè)計(jì)工時(shí)和元器件數(shù)量等。 

?EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。  

＜產(chǎn)品陣容＞

＜應(yīng)用示例＞

包括服務(wù)器和AC適配器在內(nèi)的各種工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子領(lǐng)域的電源系統(tǒng)

 ＜電商銷(xiāo)售信息＞

起售時(shí)間：2023年4月開(kāi)始

電商平臺(tái)：Ameya360、Sekorm

新產(chǎn)品在其他電商平臺(tái)也將逐步發(fā)售。 

＜關(guān)于Ancora Semiconductors Inc.（碇基半導(dǎo)體）＞

碇基半導(dǎo)體成立于2022年7月，是全球電源管理和變壓器廠商——臺(tái)灣臺(tái)達(dá)電子（Delta Electronics, Inc.）的子公司，主要從事GaN元器件的開(kāi)發(fā)。  

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

*1) GaN HEMT

GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料。與普通的半導(dǎo)體材料——Si（硅）相比，具有更優(yōu)異的物理性能，目前，因其具有出色的高頻特性，越來(lái)越多的應(yīng)用開(kāi)始采用這種材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫(xiě)。 

*2) R_DS（ON）×C_iss / R_DS（ON）×C_oss

是用來(lái)評(píng)估器件性能的指標(biāo)，其中C_iss是指從輸入端看的總電容，C_oss是指從輸出端看的總電容。

該值越低，開(kāi)關(guān)速度越快，開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗越小。 

*3) ESD（Electro-Static Discharge：靜電放電）

當(dāng)人體和電子設(shè)備等帶電物體相互接觸時(shí)會(huì)產(chǎn)生靜電。這種靜電會(huì)導(dǎo)致電路和設(shè)備發(fā)生誤動(dòng)作甚至損壞。