碳化硅文章進(jìn)入碳化硅技術(shù)社區(qū)

我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號(hào)于 9 月 1 日發(fā)布博文，報(bào)道稱國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國(guó)在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
關(guān)鍵字：碳化硅 mosfet 第三代半導(dǎo)體寬禁帶

國(guó)家隊(duì)加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破

據(jù)南京發(fā)布近日消息，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí)4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國(guó)在這一領(lǐng)域的首次突破。公開資料顯示，碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)。目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點(diǎn)是當(dāng)電流被
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碳化硅，跨入高速軌道

正如業(yè)界預(yù)期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長(zhǎng)階段。觀察市場(chǎng)情況，碳化硅產(chǎn)業(yè)熱鬧不斷：英飛凌、意法半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、三安光電、羅姆等大廠加速擴(kuò)充碳化硅產(chǎn)能；英國(guó)Alan Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協(xié)議，安森美與Entegris已開展合作，PVA TePle已與Scientific Visual建立合作伙伴關(guān)系；印度首家半導(dǎo)體芯片制造商Polymatech Electronics收購(gòu)美國(guó)碳化硅相關(guān)公司Nisene；長(zhǎng)飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗(yàn)室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)
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8英寸碳化硅，如火如荼

近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動(dòng)。功率半導(dǎo)體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動(dòng)位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競(jìng)爭(zhēng)力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠，預(yù)計(jì)2025年開始量產(chǎn)。碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型升級(jí)是技術(shù)發(fā)展的必然趨勢(shì)。業(yè)界人士稱，預(yù)計(jì)從2026年至2027年開始，現(xiàn)在的6英寸碳化硅產(chǎn)品都將被8英寸產(chǎn)品替代。當(dāng)前來看，第三代半導(dǎo)體碳化硅加速邁進(jìn)8英寸時(shí)代，并引得“天下群雄”踴躍進(jìn)軍。據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，英
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印度芯片制造商宣布收購(gòu)碳化硅相關(guān)廠商

據(jù)外媒報(bào)道，8月5日，印度首家半導(dǎo)體芯片制造商Polymatech Electronics宣布已正式收購(gòu)美國(guó)公司Nisene Technology Group Inc。此次收購(gòu)由Polymatech位于新加坡的全資子公司Artificial Electronics Intelligent Materials Pte Ltd.執(zhí)行。Nisene即將上任的首席執(zhí)行官Ryan Young表示，此次收購(gòu)補(bǔ)充了Polymatech的尖端產(chǎn)品組合，并推動(dòng)了新產(chǎn)品的開發(fā)。資料顯示，Nisene自20世紀(jì)70
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英飛凌于馬來西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

●? ?馬來西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項(xiàng)目的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)啟動(dòng)儀式?！? ?新晶圓廠將進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位?！? ?強(qiáng)有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計(jì)訂單為持續(xù)擴(kuò)建提供了支撐?！? ?居林晶圓廠100%使用綠電并在運(yùn)營(yíng)實(shí)踐中采取先進(jìn)的節(jié)能和可持續(xù)舉措。馬來西亞總理拿督斯里安瓦爾·易卜拉欣、吉打州州務(wù)大臣拿督斯里莫哈末·沙努西與英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Han
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英飛凌馬來西亞居林第三廠區(qū)啟用，未來將成世界最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區(qū)（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，也將關(guān)注氮化鎵（GaN）外圍晶圓?！?英飛凌居林第三廠區(qū)英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設(shè)計(jì)劃，投資額達(dá) 20 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng)造 900 個(gè)高價(jià)值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價(jià)值 50 億美元（當(dāng)前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計(jì)劃
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碳化硅半導(dǎo)體--電動(dòng)汽車和光伏逆變器的下一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

毋庸置疑，從社會(huì)發(fā)展的角度，我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個(gè)不幸的事實(shí)是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉(zhuǎn)變也帶來了一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。無論是生產(chǎn)要跟上快速擴(kuò)張的市場(chǎng)步伐，還是新解決方案努力達(dá)到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對(duì)于電動(dòng)汽車（EV）和太陽能電池板等應(yīng)用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因?yàn)槊舾械碾娮釉仨氃趷毫拥沫h(huán)境中持續(xù)可靠地運(yùn)行。為了進(jìn)一步推動(dòng)這些可持續(xù)解決方案，
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碳化硅廠商，忙得不亦樂乎

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安森美加速碳化硅創(chuàng)新，助力推進(jìn)電氣化轉(zhuǎn)型

新聞要點(diǎn)●? ?最新一代EliteSiC M3e MOSFET能將電氣化應(yīng)用的關(guān)斷損耗降低多達(dá) 50%●? ?該平臺(tái)采用經(jīng)過實(shí)際驗(yàn)證的平面架構(gòu)，以獨(dú)特方式降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗●? ?與安森美(onsemi) 智能電源產(chǎn)品組合搭配使用時(shí)，EliteSiC M3e 可以提供更優(yōu)化的系統(tǒng)方案并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間●? ?安森美宣布計(jì)劃在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅產(chǎn)品 ? ? ?面對(duì)不斷升級(jí)
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環(huán)球晶圓40億美元建廠，獲美國(guó)至多4億美元補(bǔ)助

當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月17日，美國(guó)商務(wù)部宣布與全球第三大半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商環(huán)球晶圓（GlobalWafers）簽署了不具約束力的初步備忘錄（PMT）。環(huán)球晶圓承諾在美國(guó)投資約40億美元（約合人民幣290億元）建設(shè)兩座12英寸晶圓制造工廠。美國(guó)政府將向環(huán)球晶圓提供至多4億美元（約合人民幣29億元）的《芯片法案》直接補(bǔ)助，以加強(qiáng)半導(dǎo)體元件供應(yīng)鏈。據(jù)悉，環(huán)球晶圓將在德克薩斯州謝爾曼建立第一家用于先進(jìn)芯片的300mm硅晶圓制造廠，在密蘇里州圣彼得斯建立生產(chǎn)300mm絕緣體上硅（“SOI”）晶圓的新工廠。環(huán)球晶圓董事長(zhǎng)徐秀蘭表
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基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

引言：隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時(shí)，高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對(duì)碳化硅模塊內(nèi)部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開發(fā)與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進(jìn)。傳統(tǒng)互連材料的局限傳統(tǒng)的高溫錫基焊料和銀燒結(jié)技術(shù)已在功率模塊行業(yè)中活躍多年，但它們各自存在一定短板。例如，錫基焊料耐高溫性能不足，熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率偏低，在高溫下存在蠕變失效的風(fēng)險(xiǎn)，在
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碳化硅競(jìng)爭(zhēng)升級(jí)，中國(guó)企業(yè)施壓國(guó)際大廠

作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，擁有更加優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，減少體積和重量 30%~50%，可滿足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。SiC 器件可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、通信雷達(dá)和航空航天等領(lǐng)域。SiC 主要用于功率器件制造，與傳統(tǒng)硅功率器件制造工藝不同，SiC 器件不能直接在 SiC 單晶材料上制造，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，在外延層上制造器件。在 SiC 產(chǎn)業(yè)鏈上，關(guān)鍵部分主要集中
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碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應(yīng)用

碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC FET)接近于理想的開關(guān)，具有低損耗、寬帶隙技術(shù)和易于集成設(shè)計(jì)等優(yōu)勢(shì)。Qorvo的SiC FET技術(shù)如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應(yīng)用的理想之選。
關(guān)鍵字： 202407 太陽能 PV SiC FET 寬帶隙碳化硅光伏

成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù)

據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。據(jù)介紹，中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(zhǎng)（升華法）的傳統(tǒng)技術(shù)相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會(huì)大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復(fù)雜，此前該技術(shù)一直未應(yīng)用在實(shí)際生產(chǎn)中。中央硝子運(yùn)用基于計(jì)算機(jī)的計(jì)算化學(xué)，通過推算溶液的動(dòng)態(tài)等，成功量產(chǎn)出了6
關(guān)鍵字：碳化硅襯底

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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡(jiǎn)單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細(xì) ]