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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅

博世將獲美芯片補貼擴產SiC半導體

  • 據(jù)媒體報道，美國商務部13日宣布，已與德國汽車零部件供應商博世達成初步協(xié)議，向其提供至多2.25億美元補貼，用于在加州生產碳化硅（SiC）功率半導體。據(jù)悉，這筆資金將支持博世計劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產碳化硅功率半導體。此外，美國商務部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計劃于 2026 年開始生產 SiC 芯片，據(jù)估計，該項目一旦全面投入運營，可能占美國SiC制造產能的40%以上。
  • 關鍵字： 博世  碳化硅  功率器件  

雷諾旗下安培與意法半導體簽署碳化硅長期供應協(xié)議，合作開發(fā)電動汽車 電源控制系統(tǒng)

  • ●? ?意法半導體與雷諾集團簽署長期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應安全●? ?合作開發(fā)逆變器電源控制系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)，進一步提高安培新一代電機的能效水平●? ?該協(xié)議符合安培與供應鏈上游企業(yè)合作，為其每一項電動汽車技術設計最佳解決方案的策略雷諾集團旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動，雷諾集
  • 關鍵字： 雷諾  安培  意法半導體  碳化硅  電動汽車電源  電源控制系統(tǒng)  

引入碳化硅技術，采埃孚在華第3家電驅動工廠開業(yè)

  • 據(jù)采埃孚官微消息，采埃孚又一電驅動工廠—采埃孚電驅動系統(tǒng)（沈陽）有限公司近日開業(yè)。作為采埃孚在華的第3家電驅動工廠，沈陽工廠將生產和銷售新能源汽車電驅動橋三合一總成等產品。據(jù)介紹，沈陽電驅動工廠的主打產品為新能源汽車的電驅動系統(tǒng)，涵蓋前橋及后橋總成，包含電機、控制器及減速器。其中，控制器搭載了采埃孚High 2.0 SiC技術，圍繞800伏平臺持續(xù)升級，既可以提升安全等級又可以優(yōu)化成本。截至目前，采埃孚在中國共有3家電驅動工廠。2022年9月，采埃孚電驅動技術（杭州）有限公司二期項目投產，主要生產800伏
  • 關鍵字： 碳化硅  采埃孚  電驅動  

手搓了一個3kW碳化硅電源！實測一下！

  • 做了一個3KW碳化硅電源！(全稱：碳化硅3KW圖騰柱PFC)它能起到什么作用？具體參數(shù)是（第1章）？怎么設計出來的（第2章）？實測情況（第3章）？原理是（第4章）？開源網址入口（第5章）？下文一一為你解答！1.基礎參數(shù)雙主控設計：CW32+IVCC1102輸入：AC 110V~270V 20Amax輸出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W設計功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作為3KW LLC電源或者全橋可調電源的前級PFC環(huán)節(jié)；② 
  • 關鍵字： 碳化硅  3KW  電源  電路設計  

基本半導體完成股份改制，正式更名

  • 為適應公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，經深圳市市場監(jiān)督管理局核準，深圳基本半導體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續(xù)，公司名稱正式變更為“深圳基本半導體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導體發(fā)展的重要里程碑，標志著公司治理結構、經營機制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發(fā)展階段。從即日起，公司所有業(yè)務經營活動將統(tǒng)一采用新名稱“深圳基本半導體股份有限公司”。公司注冊地址變更至青銅劍科技集團總部大樓，詳細地址為：深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值览峡由鐓^(qū)光科一路6號青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
  • 關鍵字： 基本半導體  銅燒結  碳化硅  功率芯片  

碳化硅6吋基板供過于求 價格崩盤

  • 碳化硅（SiC）6吋基板新產能大量開出，嚴重供過于求，報價幾乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（約中國大陸制造成本價），第四季價格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。產業(yè)人士指出，價格崩盤已讓絕大多數(shù)業(yè)者陷入賠錢銷售，而買家不敢輕易出手撿便宜，因為買方預期SiC價格還會再下降。而明日之星的8吋SiC基板，雖未到真正量產，但2024年報價已快速下滑，尤其是中國大陸價格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。業(yè)者分析，8吋SiC基板并沒有標準價格，供應鏈端仍屬于試產階段，供給
  • 關鍵字： 碳化硅  基板  

聚焦碳化硅項目，鉅芯半導體等三方達成合作

  • 據(jù)“融中心”消息，大連市中韓經濟文化交流協(xié)會、韓中文化協(xié)會及安徽鉅芯半導體科技有限公司（以下簡稱：鉅芯半導體）在安徽省池州市舉行了一場簽約儀式。此次簽約標志著三方在碳化硅領域的合作正式開始。據(jù)悉，三方本次合作的核心內容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調關鍵零部件的生產展開，將共同打造高質量的碳化硅產品生產線。據(jù)了解，今年以來，部分韓國半導體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產業(yè)，并不斷取得新進展。據(jù)韓媒ETnews報道，今年3月26日，半導體設計公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2
  • 關鍵字： 碳化硅  鉅芯半導體  

高功率SiC模塊助力實現(xiàn)可持續(xù)軌道交通

  • 國際能源署（IEA）今年發(fā)布的報告稱，2023年全球與能源相關的二氧化碳排放量達到374億噸，較2022年增加4.1億噸，再創(chuàng)新的記錄。其中，交通運輸排放增長最為顯著，激增近2.4億噸，位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一，對于由可再生能源發(fā)電驅動的電氣化列車，這一比率則更低。因此，擴建軌道交通基礎設施及電氣化改造是減少CO2排放和實現(xiàn)氣候目標的關鍵。與電動汽車不同的是，電力機車已被廣泛使用了一百多年。然而，全球范圍內的軌道交通電氣化轉型仍然方興未艾，不同國家和地區(qū)的軌道交通電氣化率存在
  • 關鍵字： 碳化硅  功率模塊  軌道交通  

劍指8英寸碳化硅！兩大廠官宣合作

  • 9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網宣布，其與Soitec簽署了一項合作協(xié)議，雙方將共同開發(fā)用于功率半導體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術加速碳化硅8英寸轉型據(jù)悉，Soitec擁有一種獨有的SmartSiC?技術，該技術通過處理高質量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個碳化硅單晶襯底生產出多個高質量的碳化硅晶圓，由此顯著提
  • 關鍵字： 8英寸  碳化硅  Resonac  

美印宣布將在印度建立半導體工廠，生產氮化鎵、碳化硅等芯片

  • 美國和印度達成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導體制造廠，助力印度總理莫迪加強該國制造業(yè)的雄心計劃。據(jù)白宮消息人士稱，擬建的工廠將生產紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體，這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱，該工廠的建立將得到印度半導體計劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰(zhàn)略技術伙伴關系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術領域所能提供的機會提供了新的關注點。在過去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并
  • 關鍵字： 半導體  氮化鎵  碳化硅  

EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網級儲能方案

  • 幾十年來，電網一直是電力生產單位和消費者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網唯有成功應對新的挑戰(zhàn)（包括整合儲能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應充足。 EPC Power 作為一家提供尖端功率轉換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應對儲能挑戰(zhàn)。此次強強聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網儲能系統(tǒng)比以往任何時
  • 關鍵字： EPC Power  Wolfspeed  碳化硅  模塊化  電網級儲能  

EPC Power攜手Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網級儲能方案

  • 幾十年來，電網一直是電力生產單位和消費者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網唯有成功應對新的挑戰(zhàn)（包括整合儲能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應對儲能挑戰(zhàn)。此次強強聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網儲能系統(tǒng)比以往任何時候
  • 關鍵字： EPC Power  Wolfspeed  碳化硅  電網級儲能方案  

8英寸碳化硅時代呼嘯而來！

  • 近日，我國在8英寸碳化硅領域多番突破，中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級，三義激光首批碳化硅激光設備正式交付，天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時代已呼嘯而來，未來將會有更多廠商帶來新的產品和技術，我們拭目以待。關鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級近日，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設備關鍵技術再獲突破。圖片來源：中國電科據(jù)中國電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延
  • 關鍵字： 8英寸  碳化硅  

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術

  • 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
  • 關鍵字： 碳化硅  mosfet  第三代半導體  寬禁帶  

國家隊加持，芯片制造關鍵技術首次突破

  • 據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時4年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領域的首次突破。公開資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結構和溝槽結構兩種結構。目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結構的特點是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點是當電流被
  • 關鍵字： 碳化硅  溝槽型碳化硅  MOSFET  
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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 制造 由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。 發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。 性質 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]

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