碳化硅文章進入碳化硅技術社區(qū)

Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務器、可再生能源、工業(yè)電力轉換領域擴展產(chǎn)品線

加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現(xiàn)更全面的開關功能。新
關鍵字： Transphorm 高功率服務器工業(yè)電力轉換氮化鎵場效應晶體管碳化硅 SiC

英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 達成協(xié)議

據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 正式達成協(xié)議。據(jù)悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質量150mm SiC晶圓，支持SiC半導體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段，SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解，英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示：“對于英飛凌來說，供應鏈彈性意味著實施多供應商戰(zhàn)略，并在逆境中蓬勃發(fā)展，創(chuàng)造新的增長機會并推
關鍵字：英飛凌碳化硅 SK Siltron CSS 晶圓

安森美：緊握第三代半導體市場，助力產(chǎn)業(yè) 轉型與可持續(xù)發(fā)展

1 轉型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉型，在汽車和工業(yè)市場增長的推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預期。其中，第一季度由先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基礎設施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第二季度汽車業(yè)務收入超 10 億美元，同比增長 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實現(xiàn)創(chuàng)紀錄收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領域在第三代半導體領域，安森美專注于 SiC，重點聚焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎設施等應
關鍵字：安森美第三代半導體碳化硅 SiC

工業(yè)電源模塊對功率器件的要求

工業(yè)電源的作用是將交流電轉換為直流電，在工業(yè)領域為設備提供穩(wěn)定的電力供應，在工業(yè)自動化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲能等領域廣泛使用。與普通的電源相比，工業(yè)電源應用環(huán)境苛刻復雜，對電源的穩(wěn)定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時，它對EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應用更為嚴格。按在電能轉換過程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優(yōu)化的電路和結構設計，利用先進的工藝和封裝技術制造，形成的一個結構緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
關鍵字：工業(yè)電源功率器件碳化硅

電動汽車市場催生碳化硅新前景

第三代半導體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場、熱導率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢。這些特性使得第三代半導體材料制備的半導體器件適用于高電壓、高頻率場景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此，第三代半導體材料在5G基站、新能源車、光伏、風電、高鐵等領域具有廣泛的應用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在汽車電子領域具有廣泛的應用前景。在新能源汽車領域，
關鍵字：碳化硅氮化鎵新能源汽車汽車電子

小米汽車發(fā)布CTB一體化電池技術，爭做冬季續(xù)航之王

12月29日消息，昨日，在小米汽車技術發(fā)布會上，小米集團董事長雷軍宣布，發(fā)布CTB一體化電池技術，全球最高體積效率達77.8%，采用小米800V碳化硅高壓平臺，最高電壓達871V，與寧德時代歷時兩年共同研發(fā)。據(jù)雷軍介紹，小米電池通過全球最嚴苛的熱失效安全標準，采用17層高壓絕緣防護，7.8m2同級最大冷卻面積，并使用165片氣凝膠隔熱。同時，采用行業(yè)首創(chuàng)電芯倒置技術，最大程度保證乘員艙安全。同時，該項技術可以達到低溫環(huán)境下“續(xù)航保持率同級更高、空調(diào)升溫速度同級更快、充電速度同級更快”，雷軍表示，小米汽車立
關鍵字：小米汽車碳化硅寧德時代

全球汽車半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長

12月22日消息，據(jù)報道，Adroit Market Research預計，全球汽車半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B，復合年增長率高達11.9%。目前的市場表明，到2022年，每輛汽車的半導體器件價值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢下，到2028年，該數(shù)字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術變革的主要驅
關鍵字：汽車電子半導體 ADAS 碳化硅 DRAM MCU

意法半導體碳化硅助力理想汽車加速進軍高壓純電動車市場

2023年12月22日，中國北京-服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設計、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車（紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。隨著汽車行業(yè)電動化和綠色低碳轉型的持續(xù)深入，高壓純電動車因其能效更高、續(xù)航里程更遠，已成為汽車制
關鍵字：意法半導體碳化硅理想汽車高壓純電動車

通用智能SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶

據(jù)通用智能官微消息，日前，通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。據(jù)悉，通用智能采用激光隱切技術完成SiC晶錠分割工藝過程，并成功實現(xiàn)8寸碳化硅晶錠剝離設備的量產(chǎn)。
關鍵字：碳化硅晶錠

8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目順利通過中期驗收

據(jù)科友半導體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會召開。會上，以黑龍江省科學院原院長郭春景研究員為組長的評審專家組認為，科友半導體圓滿完成了計劃任務書2023年度階段任務，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長的新技術和新工藝，建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關工藝流程的作業(yè)指導書，一致同意項目通過階段驗收評審。據(jù)了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專項計劃項目，由哈爾濱科友半導體承擔，旨在推動8英寸碳化硅裝備國
關鍵字：碳化硅科友半導體第三代半導體材料

碳化硅MOS管在三相逆變器上的應用

三相逆變器的定義是將直流電能轉換為交流電能的轉換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個信號產(chǎn)生源，一個是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進行調(diào)制，就會得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言三相逆變是指轉換出的交流電壓為三相，
關鍵字： RS瑞森半導體碳化硅 MOS管

意法半導體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠

12月1日消息，近日，據(jù)外媒報道，意法半導體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級半導體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動車關鍵技術并具強大成長潛力。報道稱，此舉是意法半導體繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計劃后為平衡集團在意法兩國布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導體宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預計2025年第四季度投產(chǎn)，預計到2030年碳化硅收入將超過50億美元。
關鍵字：意法半導體 ST 格芯晶圓廠碳化硅電動車

英飛凌已開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片

11月28日消息，據(jù)外媒報道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動力部門（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過大幅擴建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計劃
關鍵字：英飛凌碳化硅晶圓

Omdia：人工智能將在電動汽車革命中超越下一代半導體

倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預測電動汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導體激增，電力半導體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會產(chǎn)生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示：“長期以來依賴硅技術的行業(yè)正受到新材料制造的設備的挑戰(zhàn)和推動。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開發(fā)始于上個世紀，但它們的技術成熟度與可持續(xù)發(fā)展運動相匹配，新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
關鍵字：新能源氮化鎵碳化硅

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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。性質碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]