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發(fā)光二極管與MOS中為何要添加多余的電流？

  • 發(fā)光二極管就是俗稱的LED，由于較容易入門且普及率高，很多新手在進(jìn)行入門學(xué)習(xí)時經(jīng)常會選擇發(fā)光二極管來入手。本文將對發(fā)光二極管與MOS之間的特定關(guān)系
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同步整流器與開關(guān)MOS在功率電源的耗散

  • 在大功率電源當(dāng)中，MOS器件的消耗至關(guān)重要。其很有可能關(guān)系到電源的整體效率。在之前的文章中，小編為大家介紹了一些功率耗散的方法，在本文中，小編將
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集成智能——第1部分：EMI管理

  • 　　智能集成電機驅(qū)動器和無刷直流(BLDC)電機可以幫助電動汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠?！　D1所示為集成電機驅(qū)動器結(jié)合驅(qū)動電機所需的一切要素，如場效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動器和狀態(tài)機。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機的布線距離過長，并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點?！　LDC電機在汽車應(yīng)用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗以及更好的EMI性能?！　D1：智能集成BLDC電機驅(qū)動器　　集成智能系列博
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使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

  • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
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如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

  • 如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響-　在使用電子元器件時，你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓，系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行；從輸出到輸入。幸運的是，有很多方法可以保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護(hù)系列博文的第一篇文章，在這篇文章中，你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認(rèn)識和了解。
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揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

  • 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動性并且比以前更綠色，電池技術(shù)進(jìn)步推動了這一進(jìn)展，并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來，電池效率（輸出功率/尺寸比）和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重，其主要用途是啟動汽車。隨著技術(shù)的最新進(jìn)展，你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車，其重量只有幾磅，尺寸也就人手那么大。
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如何設(shè)計防反接保護(hù)電路？

  • 如何設(shè)計防反接保護(hù)電路？-利用MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
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揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

  • 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當(dāng)今的開關(guān)電源設(shè)備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對電源設(shè)計工程師至關(guān)重要。
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MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

  • 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
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拯救EMI輻射超標(biāo)，開關(guān)電源能做點啥？

  • 作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強度較大；干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
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為IC設(shè)計減少天線效應(yīng)

  • 如同摩爾定律所述，數(shù)十年來，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會結(jié)束，只是不知道當(dāng)這一刻來臨時，芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應(yīng)變得原來越重要且難以控制，天線效應(yīng)便是其中之一。
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DC-DC電路當(dāng)中同步與非同步的差異講解

  • 在開關(guān)電源電路設(shè)計當(dāng)中，電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見的一種設(shè)計。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換，是指將一個電壓值轉(zhuǎn)化為另一個電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設(shè)計在開關(guān)電源當(dāng)中非常常見，也是新手接觸比較多一種電路設(shè)計，本篇文章將為大家介紹這種電路當(dāng)中非同步與同步的區(qū)別。
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FET知識：采用結(jié)型FET實現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

  • 　　與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接，以構(gòu)成CR的連接方式。此時，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系，就需要偏置電路來提供柵極電壓。　　與晶體管放大電路的接地方式相同，結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式。　　最一般的源極接地電路和自偏置電路　　n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反。　　FET源極接地電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為
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使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

  • 該電路采用衰減場效應(yīng)晶體管(FET)分流信號到地面。這個R2是用來控制輸出級(衰減等級),但是你可以用其他來源的電壓信號來控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負(fù)面的信號電壓會(你可以用DAC采用對稱與供電系統(tǒng))。使用FET...
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