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gaa-fet 文章 最新資訊

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設(shè)計注意事項(xiàng)

  • 鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見的穩(wěn)壓直流母線可將各個基本模塊互聯(lián)起來。混合串式逆變器包含以下子塊：●? ?用于執(zhí)行最大功率點(diǎn)跟蹤的單向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。●? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。電池可在夜間或停電
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瑞薩電子推出用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級應(yīng)用設(shè)計，將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動輸入相結(jié)合，顯著降低開關(guān)功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產(chǎn)品提供TOL
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瑞薩推出全新GaN FET，增強(qiáng)高密度功率轉(zhuǎn)換能力

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級應(yīng)用設(shè)計，將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動輸入相結(jié)合，顯著降低開關(guān)功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產(chǎn)品提供TOLT、TO-247和T
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GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

  • EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進(jìn)應(yīng)用樹立了新的基準(zhǔn)。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉(zhuǎn)換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運(yùn)行的前端 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電力推進(jìn)系統(tǒng)而設(shè)計。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸 （LET） 為 63
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探索TI GaN FET在類人機(jī)器人中的應(yīng)用

  • 類人機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會很難滿足尺寸和散熱要求。類人機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動范圍，通常在整個機(jī)器人中部署大約40個伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機(jī)。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機(jī)。這些電機(jī)的電源要求取決
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GaN FET在人形機(jī)器人中的應(yīng)用

  • 引言人形機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動范圍，通常在整個機(jī)器人中部署大約 40 個伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機(jī)。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機(jī)。這些電機(jī)的電源
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臺積電推1.4nm 技術(shù)：第2代GAA晶體管，全節(jié)點(diǎn)優(yōu)勢2028年推出

  • 臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術(shù)，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢。在周三舉行的 2025 年北美技術(shù)研討會上，該公司透露，新節(jié)點(diǎn)將依賴其第二代全環(huán)繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過 NanoFlex Pro 技術(shù)提供進(jìn)一步的靈活性。臺積電預(yù)計 A14 將于 2028 年進(jìn)入量產(chǎn)，但沒有背面供電。計劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本?！癆14 是我們的全節(jié)點(diǎn)下一代先進(jìn)芯片技術(shù)，”臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級副總
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日本半導(dǎo)體巨頭Rapidus加速推進(jìn)2nm工藝 預(yù)計2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

  • 新興半導(dǎo)體公司 Rapidus 計劃在未來幾年大幅擴(kuò)大其 2nm 研發(fā)力度，因?yàn)樗吹搅丝萍季揞^的巨大興趣。Rapidus 的 2nm 工藝采用 BSPDN 和 GAA 技術(shù)，使其成為業(yè)內(nèi)獨(dú)一無二的實(shí)現(xiàn)。半導(dǎo)體供應(yīng)鏈長期以來一直被臺積電等公司主導(dǎo)，而英特爾和三星代工廠等競爭對手也在努力鞏固自己的市場份額，因此還有很長的路要走。不過，據(jù)說日本領(lǐng)先的芯片制造公司 Rapidus 已加入尖端節(jié)點(diǎn)的競爭，據(jù)DigiTimes報道，該公司已經(jīng)在日本北海道開發(fā)了一個專用設(shè)施，以盡快進(jìn)入量產(chǎn)階段。據(jù)稱，Rapidu
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SiC 市場的下一個爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

  • 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
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Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

  • Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費(fèi)電子、工業(yè)、服務(wù)器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應(yīng)商，為設(shè)計人員在應(yīng)對設(shè)計過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
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緩沖反激式轉(zhuǎn)換器

  • 本期，我們將聚焦于緩沖反激式轉(zhuǎn)換器，探討如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓為大家提供全新的解決思路！上一期，我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通時緩沖輸出整流器的電壓?，F(xiàn)在，我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓。圖 1 顯示了反激式轉(zhuǎn)換器功率級和初級 MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器的工作原理是將能量存儲在變壓器的初級電感中，并在 MOSFET 關(guān)斷時將能量釋放到次級電感。圖 1. 漏電感會在 FET 關(guān)斷時產(chǎn)生過高電壓當(dāng) MOSFET 關(guān)斷時，通常需要一個緩沖器，因?yàn)樽儔浩鞯穆╇姼袝?dǎo)
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用Python自動化雙脈沖測試

  • 電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動汽車動力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說明的是，但雙脈沖測試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設(shè)備的可靠性，雙脈沖測試（DPT）已發(fā)展成為一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，用于測量開啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期的一系列重要參數(shù)。雙脈沖測試系統(tǒng)包括示波
  • 關(guān)鍵字： 202411  寬禁帶  FET  測試  

拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝

  • 三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術(shù)的極限。這款最新型號承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處，同時在性能、健康追蹤和用戶體驗(yàn)方面實(shí)現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實(shí)驗(yàn)室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對其進(jìn)行拆解和詳細(xì)的技術(shù)分析。敬請期待我們對Galaxy Watch 7內(nèi)部結(jié)構(gòu)的深入分析，我們將揭示這款設(shè)備在智能手表領(lǐng)域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
  • 關(guān)鍵字： 三星  Galaxy Watch 7  Exynos W1000  處理器  3nm  GAA  

碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應(yīng)用

  • 碳化硅場效應(yīng)晶體管(SiC FET)接近于理想的開關(guān)，具有低損耗、寬帶隙技術(shù)和易于集成設(shè)計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術(shù)如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應(yīng)用的理想之選。
  • 關(guān)鍵字： 202407  太陽能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏  

拜登政府恐對中國大陸封鎖最強(qiáng)GAA技術(shù)

  • 美中貿(mào)易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場效晶體管（GAA）技術(shù)祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術(shù)的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進(jìn)芯片，擴(kuò)大受管制的范圍。 美國財經(jīng)媒體引述知情人士消息報導(dǎo)，拜登政府考慮新一波的半導(dǎo)體限制措施，以避免大陸能夠提升技術(shù)，進(jìn)而增強(qiáng)軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術(shù)，但確切狀況仍得等官方進(jìn)一步說明，且不清楚官員何時會宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進(jìn)半導(dǎo)體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術(shù)，臺積電則從2納米
  • 關(guān)鍵字： GAA  臺積電  三星  
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