gaa-fet 文章進(jìn)入gaa-fet技術(shù)社區(qū)

臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利晶圓廠最快4月進(jìn)機(jī)

臺(tái)積電在3nm制程工藝于2022年四季度開(kāi)始量產(chǎn)之后，研發(fā)和量產(chǎn)的重點(diǎn)隨之轉(zhuǎn)向下一代2nm制程工藝，計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著工廠及相關(guān)的設(shè)備要做好準(zhǔn)備，以確保按計(jì)劃順利量產(chǎn)。臺(tái)積電進(jìn)入GAA時(shí)代的2nm制程進(jìn)展順利，最新援引供應(yīng)鏈合作伙伴的消息報(bào)道稱(chēng)，位于新竹科學(xué)園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經(jīng)完成鋼構(gòu)工程，并正在進(jìn)行無(wú)塵室等內(nèi)部工程 —— 最快4月啟動(dòng)設(shè)備安裝工作，相關(guān)動(dòng)線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計(jì)劃在2025年開(kāi)始制造采用此項(xiàng)技術(shù)的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預(yù)定
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EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動(dòng)激光二極管，實(shí)現(xiàn)75~231A脈沖電流

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出三款激光驅(qū)動(dòng)器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實(shí)現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC推出三款評(píng)估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動(dòng)器和通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專(zhuān)為長(zhǎng)距離和
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臺(tái)積電2納米驚爆大弱點(diǎn)？三星搶訂單

臺(tái)積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來(lái)勢(shì)洶洶，但臺(tái)積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢(shì)，尤其三星至今在3納米方面，依然無(wú)法取得頂尖客戶的信任，三星高層也坦言，一旦臺(tái)積電在2納米轉(zhuǎn)進(jìn)GAA技術(shù)，三星還是得向臺(tái)積電看齊學(xué)習(xí)。即使如此，三星也打算透過(guò)低價(jià)策略搶市，與臺(tái)積電做出差別。綜合外媒報(bào)導(dǎo)，三星雖在3納米就開(kāi)始使用GAA技術(shù)，量產(chǎn)時(shí)間也比臺(tái)積電早數(shù)個(gè)月，但在良率與技術(shù)上無(wú)法獲得客戶青睞，蘋(píng)果、輝達(dá)等科技巨頭的大單仍在臺(tái)積電手上，臺(tái)積電3納米沿用較舊的FinFET技術(shù)。三星不甘示弱，希望能在2納米領(lǐng)域上扭
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日立高新技術(shù)公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測(cè)量系統(tǒng)

日立高新技術(shù)公司宣布推出其GT2000高精度電子束測(cè)量系統(tǒng)。GT2000利用日立高新技術(shù)在CD-SEM*1方面的技術(shù)和專(zhuān)業(yè)知識(shí)，在那里占有最大的市場(chǎng)份額。GT2000配備了用于尖端3D半導(dǎo)體器件的新型檢測(cè)系統(tǒng)。它還利用低損傷高速多點(diǎn)測(cè)量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產(chǎn)的產(chǎn)率。日立高新技術(shù)（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠?qū)崿F(xiàn)高級(jí)半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的高精度、高速測(cè)量和檢測(cè)，這些半導(dǎo)體器件正變得越來(lái)越小型化和復(fù)雜化，并有助
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Nexperia針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級(jí)聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN FET），Nexperia對(duì)此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，采用CCP
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FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究

由于半導(dǎo)體生物傳感器的低成本、迅速反應(yīng)、檢測(cè)準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于此類(lèi)傳感器的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)行了大量投入。特別是基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場(chǎng)效應(yīng)管，它們被廣泛用于各種應(yīng)用：如生物研究，即時(shí)診斷，環(huán)境應(yīng)用，以及食品安全。生物場(chǎng)效應(yīng)管將生物響應(yīng)轉(zhuǎn)換為分析物，并將其轉(zhuǎn)換為可以使用直流I-V技術(shù)輕松測(cè)量的電信號(hào)。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測(cè)量值相對(duì)于時(shí)間 (I-t) 可以與分析物的檢測(cè)和幅度相關(guān)。根據(jù)設(shè)備上的終端數(shù)量，可以使用多個(gè)源測(cè)量單元(SMU) 輕松完成這些直流
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EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現(xiàn)更小的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,用于電動(dòng)自行車(chē)、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)

基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計(jì)顯著提高了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、扭矩而同時(shí)使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達(dá)60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，包括電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)滑板車(chē)、無(wú)人
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GAA技術(shù)才開(kāi)始，半導(dǎo)體大廠已著手研發(fā)下一代CFET技術(shù)

外媒eNewsEurope報(bào)道，英特爾和臺(tái)積電將在國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場(chǎng)效晶體管進(jìn)展，這有望使CFET成為十年內(nèi)最可能接替全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進(jìn)制程。CFET場(chǎng)效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實(shí)現(xiàn)更高的密度。該項(xiàng)技術(shù)最初由比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數(shù)早期研究以學(xué)術(shù)界為主，但英特爾和臺(tái)積電等半導(dǎo)體企業(yè)現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)始這一領(lǐng)域的研發(fā)，借此積極探索這種下一代先進(jìn)晶體管技術(shù)。英特爾表示，研究員建構(gòu)一個(gè)單片3DCFET，
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更小、更快、更節(jié)能，半導(dǎo)體芯片迎大突破

最先進(jìn)的電子硬件在大數(shù)據(jù)革命面前都顯得有些“捉襟見(jiàn)肘”，這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個(gè)方面。隨著數(shù)據(jù)集的存儲(chǔ)、搜索和分析越來(lái)越復(fù)雜，這些設(shè)備就必須變得更小、更快、更節(jié)能，以跟上數(shù)據(jù)創(chuàng)新的步伐。鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FE-FETs）是應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)的最有趣的答案之一。這是一種具有鐵電性能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它利用鐵電材料的非易失記憶性質(zhì)，在其中植入場(chǎng)效應(yīng)和電荷積累，實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)期穩(wěn)定的記憶效應(yīng)。與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，它具有低功耗、高速度、高密度等優(yōu)勢(shì)。因此，一個(gè)成功的FE-FET設(shè)計(jì)可以大大降低傳統(tǒng)器件的尺寸和能量使
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三星向外界公布 GAA MBCFET 技術(shù)最新進(jìn)展

三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半導(dǎo)體展會(huì) ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技術(shù)的最新進(jìn)展以及對(duì) SRAM 設(shè)計(jì)的影響。3納米GAA MBCFET的優(yōu)越性GAA指的是晶體管的結(jié)構(gòu)。晶體管是電子電路的組成部分，起到開(kāi)關(guān)的作用，也就是當(dāng)門(mén)極施加電壓時(shí)，電流在源極和漏極之間通過(guò)通道流動(dòng)。在晶體管設(shè)計(jì)的優(yōu)化過(guò)程中，有三個(gè)關(guān)鍵變量：性能、功耗和面積（PPA）。晶體管制造商一直在不斷追求更高的性能、更低的功耗要求和更小的面積。隨著晶體管尺寸的縮小，它們的結(jié)構(gòu)也從平面晶
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Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動(dòng)器方案

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來(lái), 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強(qiáng)了公司在這個(gè)30億美元電力市場(chǎng)客戶的價(jià)值主張。不同于同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動(dòng)器或柵極保護(hù)器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
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使用開(kāi)爾文連接提高 SiC FET 的開(kāi)關(guān)效率

碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類(lèi)封裝的連接往往會(huì)導(dǎo)致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹(jǐn)慎使用開(kāi)爾文連接技術(shù)以解決電感問(wèn)題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴(kuò)展到電動(dòng)汽車(chē) (EV)、工業(yè)電源、電路保護(hù)、
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EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機(jī)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)

基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設(shè)計(jì)增強(qiáng)了高功率應(yīng)用的電機(jī)系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動(dòng)滑板車(chē)、小型電動(dòng)汽車(chē)、農(nóng)業(yè)機(jī)械、叉車(chē)和大功率無(wú)人機(jī)等應(yīng)用。EPC9186在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置使用四個(gè)并聯(lián)的EPC2302，可提供高達(dá)200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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柵極長(zhǎng)度縮放超出硅的 FET 對(duì)短溝道效應(yīng)具有魯棒性

當(dāng)今行業(yè)中發(fā)現(xiàn)的大多數(shù) FET 都是由硅制成的，因?yàn)樗哂谐錾铱芍噩F(xiàn)的電子特性。根據(jù)摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設(shè)備保持強(qiáng)靜電。過(guò)渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問(wèn)題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實(shí)現(xiàn)激進(jìn)的溝道長(zhǎng)度縮放。自從在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中引入場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 以來(lái)，理論和應(yīng)用電路技術(shù)已經(jīng)取得了多項(xiàng)改進(jìn)。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
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