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垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）又有新消息

盡管摩爾定律的增速已顯著放緩，但工藝節(jié)點(diǎn)依然穩(wěn)步向前，現(xiàn)已演進(jìn)至 2nm 甚至 1nm 以下。而在最新的邏輯節(jié)點(diǎn)中，傳統(tǒng)器件架構(gòu)已不具優(yōu)勢(shì)，而互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (CFET) 則被看做「成大事者」，成為埃米時(shí)代（1 埃米等于 0.1 納米）的主流架構(gòu)。那么 CFET 究竟有著怎樣的魅力？為什么需要 CFET？CFET，作為一種創(chuàng)新的 CMOS 工藝，以其晶體管垂直堆疊的獨(dú)特方式，突破了傳統(tǒng)平面工藝、FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）以及 GAAFET（環(huán)繞式柵極技術(shù)晶體管）的平面局限。至于為何 CFET 架
關(guān)鍵字： CFET

自比利時(shí)微電子研究中心（imec）官網(wǎng)獲悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技術(shù)與電路研討會(huì)（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆疊底部和頂部源極/漏極觸點(diǎn)的CMOS CFET器件。雖然這一成果的兩個(gè)觸點(diǎn)都是利用正面光刻技術(shù)獲得，但imec也展示了將底部觸點(diǎn)轉(zhuǎn)移至晶圓背面的可能性——這樣可將頂部元件的覆蓋率從11%提升至79%。從imec的邏輯技術(shù)路線圖看，其設(shè)想在A7節(jié)點(diǎn)器件架構(gòu)中引入CFET技術(shù)。若與先進(jìn)的布線技術(shù)相輔相成，CFET有望將標(biāo)準(zhǔn)單元高度從5T降低到4T甚至更低，而不
關(guān)鍵字：晶圓 CFET 英特爾

于本周舉行的2024年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium）上，比利時(shí)微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補(bǔ)式場(chǎng)效晶體管（CFET）組件，該組件包含采用垂直堆棧技術(shù)形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點(diǎn)（contact）。雖然此次研究的成果都在晶圓正面進(jìn)行接點(diǎn)圖形化，不過(guò)imec也展示了改從晶圓背面處理接點(diǎn)圖形的可行性—這能大幅提升頂層組件的存活率，將其從11%提升到79%。 CMOS互補(bǔ)式場(chǎng)效晶體管（CFET）組件搭配中間介電層（MDI）以及
關(guān)鍵字： imec 單片式 CFET 功能組件垂直堆棧金屬接點(diǎn)

隨著代工廠開(kāi)發(fā)越來(lái)越先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)以滿足消費(fèi)者的需求，當(dāng)今先進(jìn)處理器上的晶體管數(shù)量達(dá)到數(shù)百億，這與 1970 年代中期只有幾千個(gè)晶體管的處理器相去甚遠(yuǎn)。過(guò)去幾十年中，影響半導(dǎo)體行業(yè)最深遠(yuǎn)的技術(shù)就是晶體管的穩(wěn)步發(fā)展。在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，每一代新技術(shù)都會(huì)帶來(lái)晶體管密度的提高，近幾年，我們也一直能夠聽(tīng)到：「摩爾定律無(wú)法延續(xù)，晶體管無(wú)窮小的極限即將到來(lái)?！怪惖穆曇簟Ｔ谧罱?IEEE 國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議上，英特爾、三星、臺(tái)積電三個(gè)巨頭都展示了自家最新的技術(shù)情況。其中，不約而同的出現(xiàn)了 CFETS（互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）
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在本周的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)上，臺(tái)積電展示了他們對(duì)CFET（用于CMOS芯片的邏輯堆棧）的理解。 CFET是一種將CMOS邏輯所需的兩種類型的晶體管堆疊在一起的結(jié)構(gòu)。在本周的舊金山IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)上，英特爾、三星和臺(tái)積電展示了他們?cè)诰w管下一次演變方面取得的進(jìn)展。芯片公司正在從自2011年以來(lái)使用的FinFET器件結(jié)構(gòu)過(guò)渡到納米片或全圍柵極晶體管。名稱反映了晶體管的基本結(jié)構(gòu)。在FinFET中，柵通過(guò)垂直硅鰭控制電流的流動(dòng)。在納米片器件中，該鰭被切割成一組帶狀物，每個(gè)帶狀物都被柵包圍。 CFET
關(guān)鍵字： CFET IEEE 臺(tái)積電，三星，英特爾

日立高新技術(shù)公司宣布推出其GT2000高精度電子束測(cè)量系統(tǒng)。GT2000利用日立高新技術(shù)在CD-SEM*1方面的技術(shù)和專業(yè)知識(shí)，在那里占有最大的市場(chǎng)份額。GT2000配備了用于尖端3D半導(dǎo)體器件的新型檢測(cè)系統(tǒng)。它還利用低損傷高速多點(diǎn)測(cè)量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產(chǎn)的產(chǎn)率。日立高新技術(shù)（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠?qū)崿F(xiàn)高級(jí)半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的高精度、高速測(cè)量和檢測(cè)，這些半導(dǎo)體器件正變得越來(lái)越小型化和復(fù)雜化，并有助
關(guān)鍵字：日立高新測(cè)試測(cè)量 GAA CFET

外媒eNewsEurope報(bào)道，英特爾和臺(tái)積電將在國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場(chǎng)效晶體管進(jìn)展，這有望使CFET成為十年內(nèi)最可能接替全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進(jìn)制程。CFET場(chǎng)效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實(shí)現(xiàn)更高的密度。該項(xiàng)技術(shù)最初由比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數(shù)早期研究以學(xué)術(shù)界為主，但英特爾和臺(tái)積電等半導(dǎo)體企業(yè)現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)始這一領(lǐng)域的研發(fā)，借此積極探索這種下一代先進(jìn)晶體管技術(shù)。英特爾表示，研究員建構(gòu)一個(gè)單片3DCFET，
關(guān)鍵字： GAA CFET

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