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2nm 文章 進(jìn)入2nm技術(shù)社區(qū)
iPhone 18首發(fā)！蘋(píng)果A20芯片基于臺(tái)積電2nm制造：良率遠(yuǎn)超預(yù)期
- 3月24日消息，分析師郭明錤再度重申，2026年的iPhone 18系列將首發(fā)A20處理器，這顆芯片將會(huì)使用臺(tái)積電2nm工藝制程。他表示，臺(tái)積電2nm試產(chǎn)良率在3個(gè)多月前就達(dá)到60%-70%，現(xiàn)在的良率已經(jīng)遠(yuǎn)在70%之上。此前摩根士丹利（Morgan Stanley）發(fā)布的研究報(bào)告指出，2025年臺(tái)積電2nm月產(chǎn)能將從今年的1萬(wàn)片試產(chǎn)規(guī)模增加至5萬(wàn)片左右的量產(chǎn)規(guī)模。相比3nm制程，2nm制程在相同電壓下可以將功耗降低24%-35%，在相同功耗下可將性能提高15%，晶體管密度比上一代3nm工藝高1.15倍，
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曝 iPhone 18 將采用臺(tái)積電 2nm 芯片
- 近日，有關(guān)蘋(píng)果 iPhone 18 芯片的消息引發(fā)關(guān)注。蘋(píng)果供應(yīng)鏈分析師郭明錤重申，iPhone 18 系列中的 A20 芯片將采用臺(tái)積電的 2nm 工藝制造。早在六個(gè)月前，郭明錤就做出了這一預(yù)測(cè)，而另一位分析師 Jeff Pu 本周早些時(shí)候也表達(dá)了相同觀點(diǎn)。此前曾有傳言稱(chēng) A20 芯片將維持 3nm 工藝，但該說(shuō)法現(xiàn)已被撤回。郭明錤還透露，臺(tái)積電 2nm 芯片的研發(fā)試產(chǎn)良率在 3 個(gè)多月前就已高于 60%-70%，如今這一比例更是遠(yuǎn)高于該范圍。所謂良率，指的是每片硅晶圓中能夠獲得的功能性芯片的百
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不再是3nm！曝iPhone 18首發(fā)臺(tái)積電2nm工藝制程
- 3月21日消息，投資公司GF Securities在報(bào)告中稱(chēng)，iPhone 18系列搭載的A20芯片將會(huì)采用臺(tái)積電第三代3nm工藝N3P制造，對(duì)此，分析師Jeff Pu予以反駁，稱(chēng)A20芯片基于臺(tái)積電2nm制程打造，蘋(píng)果使用3nm的消息可以被忽略了。據(jù)悉，臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始了2nm工藝的試產(chǎn)工作，該項(xiàng)目在新竹寶山工廠進(jìn)行，初期良率是60%，預(yù)計(jì)在2025年下半年開(kāi)始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。之前摩根士丹利發(fā)布報(bào)告稱(chēng)，2025年臺(tái)積電2nm月產(chǎn)能將從今年的1萬(wàn)片試產(chǎn)規(guī)模，增加至5萬(wàn)片左右的量產(chǎn)規(guī)模。由于產(chǎn)能爬坡以及良率
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ASML、imec簽署五年期戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 自ASML官網(wǎng)獲悉，當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月11日，ASML宣布同比利時(shí)微電子研究中心（imec）簽署新的戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議，重點(diǎn)關(guān)注半導(dǎo)體研究與可持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)悉，該協(xié)議為期五年，旨在開(kāi)發(fā)推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的解決方案，并制定以可持續(xù)創(chuàng)新為重點(diǎn)的計(jì)劃。此次合作涵蓋了阿斯麥的全部產(chǎn)品組合，這些設(shè)備將導(dǎo)入由imec牽頭建設(shè)的后2nm制程前沿節(jié)點(diǎn)SoC中試線NanoIC，研發(fā)的重點(diǎn)領(lǐng)域還將包括硅光子學(xué)、存儲(chǔ)器和先進(jìn)封裝，為未來(lái)基于半導(dǎo)體的人工智能應(yīng)用在不同市場(chǎng)提供全棧創(chuàng)新。
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Marvell 展示其首款 2nm IP 驗(yàn)證芯片，支持 AI XPU、交換機(jī)開(kāi)發(fā)
- 3 月 4 日消息，Marvell 美滿電子當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日公布了其首款 2nm IP 驗(yàn)證芯片。該芯片采用臺(tái)積電 N2 制程，是 Mavell 基于該節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)定制 AI XPU、交換機(jī)和其它芯片的基石?！鳰arvell 的 2nm IP 芯片Marvell 表示其 2nm 平臺(tái)可為超大型企業(yè)顯著提升算力基礎(chǔ)設(shè)施的性能與效率，從而滿足 AI 時(shí)代對(duì)這兩項(xiàng)參數(shù)的需求。Marvell 還面向芯粒（IT之家注：即 Chiplet、小芯片）垂直 3D 堆疊場(chǎng)景推出了運(yùn)行速度可達(dá) 6.4Gbit/s 的 3D 同步雙向
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臺(tái)積電2nm工藝已啟動(dòng)小規(guī)模評(píng)估
- 臺(tái)積電2nm制程開(kāi)發(fā)進(jìn)度一直備受矚目，最新內(nèi)部消息透露，其新竹寶山工廠與高雄工廠均已啟動(dòng)小規(guī)模評(píng)估 —— 其中寶山廠現(xiàn)階段推測(cè)已有5000-10000片的月產(chǎn)能，高雄廠也已進(jìn)機(jī)小量試產(chǎn)。盡管近期有關(guān)2nm工藝的數(shù)據(jù)泄露，臺(tái)積電官方聲明仍強(qiáng)調(diào)研發(fā)進(jìn)度符合預(yù)期，未對(duì)具體數(shù)據(jù)進(jìn)行評(píng)論。業(yè)內(nèi)專(zhuān)家預(yù)測(cè)，隨著兩家工廠的2nm產(chǎn)線逐步上線，總產(chǎn)能有望達(dá)到每月50000片晶圓，預(yù)計(jì)將在2025年末實(shí)現(xiàn)每月80000片晶圓的產(chǎn)能。臺(tái)積電2nm工藝優(yōu)勢(shì)臺(tái)積電2nm首次引入全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管，有助于調(diào)整通道寬度，
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全球首款2nm芯片！曝三星Exynos 2600進(jìn)展順利
- 2月8日消息，剛剛上市不久的三星Galaxy S25系列在全球范圍內(nèi)使用高通驍龍8 Elite芯片，因?yàn)槿亲约旱腅xynos 2500 SoC存在良率問(wèn)題。據(jù)媒體報(bào)道，三星電子為下一代旗艦平臺(tái)Exynos 2600投入了大量資源，以確保其按時(shí)量產(chǎn)。報(bào)道指出，Exynos 2600使用三星2nm工藝制程，試生產(chǎn)良率約為30%左右，高于內(nèi)部預(yù)期，該公司計(jì)劃在下半年進(jìn)一步穩(wěn)定Exynos 2600的量產(chǎn)工藝，Q4開(kāi)始量產(chǎn)，明年1月登場(chǎng)的Galaxy S26系列將首發(fā)搭載，如果計(jì)劃順利實(shí)施的話，Exynos 2
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消息稱(chēng)聯(lián)發(fā)科推遲引入2nm 天璣9500芯片采用臺(tái)積電N3P工藝
- 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》6日訊，聯(lián)發(fā)科已逐步將重心移向開(kāi)發(fā)下一代天璣9500芯片，相關(guān)芯片將于今年末至明年初亮相。最初聯(lián)發(fā)科計(jì)劃相關(guān)芯片采用臺(tái)積電2nm工藝制造，但考慮到相關(guān)工藝價(jià)格高昂，且蘋(píng)果同樣將在M5系列芯片中引入相關(guān)工藝占用產(chǎn)能，因此聯(lián)發(fā)科出于成本和產(chǎn)能考慮，選擇N3P工藝制造天璣9500。
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首發(fā)推遲？臺(tái)積電2nm真的用不起
- 蘋(píng)果原本計(jì)劃在今年推出的iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max兩款機(jī)型上搭載臺(tái)積電2nm處理器芯片，現(xiàn)如今可能會(huì)將時(shí)間推遲12個(gè)月至2026年。因此，將于今年下半年發(fā)布的iPhone 17系列中或?qū)⒉捎?nm的臺(tái)積電N3P工藝，而非2nm制程。用不起的臺(tái)積電2nm工藝目前，臺(tái)積電已在新竹寶山工廠開(kāi)始了2nm工藝的試產(chǎn)工作（每月5000片晶圓的小規(guī)模生產(chǎn)），初期良率是60%，這意味著有將近40%的晶圓無(wú)法使用，每片晶圓的代工報(bào)價(jià)可能高達(dá)3萬(wàn)美元。第一座工廠計(jì)劃位于新竹縣寶山附近，毗鄰
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消息稱(chēng)明年半導(dǎo)體行業(yè)將迎激烈競(jìng)爭(zhēng)，臺(tái)積電三星等摩拳擦掌
- 12 月 25 日消息，據(jù)外媒 phonearena 報(bào)道，2025 年（明年）半導(dǎo)體行業(yè)即將迎來(lái)激烈的競(jìng)爭(zhēng)，各家晶圓代工廠將開(kāi)始批量生產(chǎn)采用 2nm 制程工藝的芯片，同時(shí)積極降低 3nm 制程工藝芯片量產(chǎn)成本。作為全球最大的晶圓代工廠，臺(tái)積電在蘋(píng)果目前最新的 iPhone 16 系列的 A18 和 A18 Pro 中使用第二代 3nm 制程工藝（N3E）。盡管此前有傳聞稱(chēng)臺(tái)積電將使用 2nm 工藝生產(chǎn) A19 系列處理器，但此前爆料表示明年的 iPhone 17 系列手機(jī)仍將采用臺(tái)積電第三代 3nm 工
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臺(tái)積電拿下決定性戰(zhàn)役
- 在2nm工藝制程的決戰(zhàn)上，臺(tái)積電又一次跑到了前面。12月6日，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電已在新竹縣的寶山工廠完成2nm制程晶圓的試生產(chǎn)工作。 據(jù)悉，此次試生產(chǎn)的良品率高達(dá)60%，大幅超越了公司內(nèi)部的預(yù)期目標(biāo)。值得一提的是，按照臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家曾在三季度法說(shuō)會(huì)上的表態(tài)，2nm制程的市場(chǎng)需求巨大，客戶訂單未來(lái)可能會(huì)多于3nm制程。從目前已知信息來(lái)看，臺(tái)積電已經(jīng)規(guī)劃了新竹、高雄兩地的至少四座工廠用于2nm制程的生產(chǎn)，在滿產(chǎn)狀態(tài)下，四座工廠在2026年年初的2nm總產(chǎn)能將達(dá)12萬(wàn)片晶圓。在三星工藝開(kāi)
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消息稱(chēng)臺(tái)積電 2nm 芯片生產(chǎn)良率達(dá) 60% 以上，有望明年量產(chǎn)
- 12 月 9 日消息，在半導(dǎo)體行業(yè)中，“良率”（Yield）是一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)，指的是從一片硅晶圓中切割出的可用芯片通過(guò)質(zhì)量檢測(cè)的比例。如果晶圓廠的良率較低，制造相同數(shù)量的芯片就需要更多的晶圓，這會(huì)推高成本、降低利潤(rùn)率，并可能導(dǎo)致供應(yīng)短缺。據(jù)外媒 phonearena 透露，臺(tái)積電計(jì)劃明年開(kāi)始量產(chǎn) 2 納米芯片，目前該公司已在位于新竹的臺(tái)積電工廠進(jìn)行試產(chǎn)，結(jié)果顯示其 2nm 制程的良率已達(dá)到 60% 以上。這一數(shù)據(jù)還有較大提升空間，外媒稱(chēng)，通常相應(yīng)芯片良率需要達(dá)到 70% 或更高才能進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。以目前
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臺(tái)積電2nm良率提高6%：可為客戶節(jié)省數(shù)十億美元
- 臺(tái)積電將于明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)其2nm（N2）制程工藝，目前臺(tái)積電正在盡最大努力完善該技術(shù)，以降低可變性和缺陷密度，從而提高良率。一位臺(tái)積電員工最近對(duì)外透露，該團(tuán)隊(duì)已成功將N2測(cè)試芯片的良率提高了6%，為公司客戶“節(jié)省了數(shù)十億美元”。這位自稱(chēng) Kim 博士的臺(tái)積電員工沒(méi)有透露該代工廠是否提高了 SRAM 測(cè)試芯片或邏輯測(cè)試芯片的良率。需要指出的是，臺(tái)積電在今年1月份才開(kāi)始提供 2nm 技術(shù)的穿梭測(cè)試晶圓服務(wù)，因此其不太可能提高之前最終將以 2nm 制造的實(shí)際芯片原型的良率，所以應(yīng)該是指目前最新的2nm技術(shù)的
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臺(tái)積電2nm制程設(shè)計(jì)平臺(tái)準(zhǔn)備就緒，預(yù)計(jì)明年末開(kāi)始量產(chǎn)
- 在歐洲開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上，臺(tái)積電表示電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具和第三方IP模塊已為性能增強(qiáng)型N2P/N2X制程技術(shù)做好準(zhǔn)備。目前，Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和電遷移工具，都已經(jīng)通過(guò)N2P工藝開(kāi)發(fā)套件（PDK）版本0.9的認(rèn)證，該版本PDK被認(rèn)為足夠成熟。這意味著各種芯片設(shè)計(jì)廠商現(xiàn)在可以基于臺(tái)積電第二代2nm制程節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)芯片。據(jù)悉，臺(tái)積電計(jì)劃在2025年末開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)N2工藝，同時(shí)A16工藝計(jì)劃在2026年末開(kāi)始投產(chǎn)。臺(tái)積電N2系
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日本政府將向Rapidus投資13億美元，力推2027年量產(chǎn)2nm芯片
- 日本政府正加速推進(jìn)本土尖端芯片制造業(yè)的發(fā)展，計(jì)劃在2025財(cái)年向芯片制造商Rapidus投資2000億日元（約合12.9億美元），以刺激私營(yíng)部門(mén)的進(jìn)一步投資和融資。Rapidus計(jì)劃在2027年實(shí)現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn)，但這一目標(biāo)需耗資高達(dá)5萬(wàn)億日元。盡管日本政府已同意向Rapidus提供9200億日元補(bǔ)貼，剩余約4萬(wàn)億日元的資金缺口仍是關(guān)注焦點(diǎn)。為此，政府計(jì)劃通過(guò)擔(dān)保債務(wù)和國(guó)家機(jī)構(gòu)投資等方式支持公司融資，并計(jì)劃將該提案納入即將敲定的經(jīng)濟(jì)刺激計(jì)劃中。根據(jù)計(jì)劃，政府投資規(guī)模將取決于私營(yíng)部門(mén)的資金貢獻(xiàn)，但公共部門(mén)
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