三星既沒有獲得客戶的大批量訂單，又在先進制程上遭遇英特爾和臺積電的雙重打擊。
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NanoFlex 2nm
根據韓國媒體Etnews的報導，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計劃于2024年底開始分階段運營。以三星電子DS部門前負責人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節(jié)點制程的產品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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4nm 2nm 三星 晶圓廠 制程節(jié)點
6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體工藝推進到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33，對應產品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產2nm，再往后就得加入多重曝光，預計到2027年能實現1.4nm的量產。High NA光刻機升級到了
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ASML 光刻機 高NA EUV 0.2nm
近日，日本晶圓代工企業(yè)Rapidus與IBM宣布建立合作伙伴關系，建立2nm半導體學校芯片封裝的大規(guī)模生產技術。通過此次合作，Rapidus將獲得IBM關于高性能半導體封裝技術的許可，并將共同開發(fā)該技術。圖片來源：Rapidus官網據了解，2021年，IBM對外公布全球首款2nm芯片原型。2022年12月，Rapidus與IBM達成戰(zhàn)略性伙伴關系，雙方共同推動基于IBM突破性的2nm制程技術的研發(fā)。Rapidus董事長小池淳義表示，“繼2nm半導體的共同開發(fā)之后，關于芯片封裝的技術確立也與IBM簽訂了伙伴
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Rapidus IBM 2nm
IT之家 5 月 21 日消息，比利時 imec 微電子研究中心今日宣布將牽頭建設 NanoIC 中試線。該先進制程試驗線項目預計將獲得共計 25 億歐元（IT之家備注：當前約 196.5 億元人民幣）的公共和私人捐款支持。NanoIC 中試線是歐洲芯片聯合企業(yè) Chip JU 指定的四條先進半導體中試線項目之一，旨在彌合從實驗室到晶圓廠的差距，通過小批量生產加速概念驗證產品的開發(fā)設計與測試。除其主持的 NanoIC 中試線外， imec 還將參與先進 FD-SOI
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半導體 2nm SoC 制程
最新消息，臺積電官網宣布，在亞利桑那州建設的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進的2nm，量產時間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設兩年多之后宣布建設第二座晶圓廠。在今年一季度的財報分析師電話會議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經封頂，最后的鋼梁已經吊裝到位。對于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm，臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話會議上也作出了回應，他表示是為了支持AI相關的強勁需求。在OpenAI訓練
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雖然目前來看2025年還早，但是隨著時間的推移，蘋果下一代芯片已經在路上了。據報道，蘋果芯片供應商臺積電正在制造2nm和1.4nm芯片方面取得進展，這些芯片很可能用于未來幾代蘋果芯片——最早可能搭載于2025年秋發(fā)布的iPhone 17 Pro上。根據目前已知的消息，2nm和1.4nm芯片的量產時間顯然已經確定。2nm節(jié)點將于2024年下半年開始試生產，小規(guī)模生產將于2025年第二季度逐步推進。值得注意的是，臺積電位于亞利桑那州的新工廠也將加入2nm生產的行列。而在更遠期的2027年，臺灣的工廠將開始轉向
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4月11日消息，根據產業(yè)鏈消息，臺積電的2納米和1.4納米工藝已經取得了新的進展。據了解，臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產時間已經確定。2納米工藝的試產將于2024年下半年開始，而小規(guī)模量產將在2025年第二季度進行。值得一提的是，臺積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產。到了2027年，臺積電將開始推進1.4納米工藝節(jié)點，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺積電最新的工藝制程很可能會由蘋果率先采用。按照臺積電的量產時間表，iPhone 17 Pro將成為首批
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據Marvell（美滿電子）官方消息，日前，Marvell宣布與臺積電擴大合作，共同開發(fā)業(yè)界首款針對加速基礎設施優(yōu)化的2nm芯片生產平臺。據悉，Marvell將與臺積電協(xié)作提升芯片性能和效率，投資于互連和高級封裝等平臺組件，從而降低多芯片解決方案的成本，加快相關芯片上市時間。Marvell首席開發(fā)官 Sandeep Bharathi 表示，未來的人工智能工作負載將需要在性能、功率、面積和晶體管密度方面取得顯著的進步。2nm 平臺將使 Marvell 能夠提供高度差異化的模擬、混合信號和基礎 IP，以構建能
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2月5日消息，據媒體報道，三星計劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個巨型半導體工廠，將進行2nm制造。據悉，2nm工藝被視為下一代半導體制程的關鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。作為三星最大的競爭對手，臺積電在去年研討會上就披露了2nm芯片的早期細節(jié)，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構和背部供電技術。臺積電推出的采用納米片晶體管架構的2nm制程技術，在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%，在相
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2月5日消息，三星與臺積電據悉都將從2025年開始投入2nm制程量產。此前，韓國政府1月中旬表示，三星公司計劃到2047年在首爾南部投資500萬億韓元建設“超大集群”半導體項目，將重點生產先進產品，包括使用2nm工藝制造的芯片。
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臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產之后，研發(fā)和量產的重點隨之轉向下一代2nm制程工藝，計劃在2025年實現量產。這意味著工廠及相關的設備要做好準備，以確保按計劃順利量產。臺積電進入GAA時代的2nm制程進展順利，最新援引供應鏈合作伙伴的消息報道稱，位于新竹科學園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經完成鋼構工程，并正在進行無塵室等內部工程 —— 最快4月啟動設備安裝工作，相關動線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計劃在2025年開始制造采用此項技術的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預定
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12月21日，荷蘭光刻機巨頭ASML通過社交媒體宣布，其首套高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機正從荷蘭Veldhoven總部開始裝車發(fā)貨，將向英特爾進行交付。數值孔徑（NA）是光刻機光學系統(tǒng)的重要指標，直接決定了光刻的實際分辨率和最高能達到的工藝節(jié)點。
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日本光刻機大廠佳能（Canon）在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的納米壓?。∟anoprinted lithography，NIL）設備FPA-1200NZ2C之后，佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫近日在接受采訪時再度表示，該公司新的納米壓印技術將為小型半導體制造商生產先進芯片開辟一條道路，使得生產先進芯片的技術不再只有少數大型半導體制造商所獨享。納米壓印技術并不利用光學圖像投影的原理將集成電路的微觀結構轉移到硅晶圓上，而是更類似于印刷技術，直接通過壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次，就可以在特定的位置
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IT之家 12 月 14 日消息，臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM）的小組研討會上透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經全面展開。同時，臺積電重申，2nm 級制程將按計劃于 2025 年開始量產。圖源 Pexels根據 SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺積電的 1.4nm 制程節(jié)點正式名稱為 A14。IT之家注意到，目前臺積電尚未透露 A14 的量產時間和具體參數，但考慮到 N2 節(jié)點計劃于 2025 年底量產，N2P 節(jié)點則定于 2
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