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SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴大到 16~17 萬片

  • 12 月 20 日消息，據(jù) TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片，并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預(yù)計將在明年下半年供應(yīng)該芯片。由于需要同時向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM，SK 海力士肯定會調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產(chǎn)能擴大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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Marvell 推出定制 HBM 計算架構(gòu)：XPU 同 HBM 間 I/O 接口更小更強

  • 12 月 11 日消息，Marvell 美滿電子美國加州當(dāng)?shù)貢r間 10 日宣布推出“定制 HBM 計算架構(gòu)”（Custom HBM Compute Architecture），可令各種 XPU 處理器實現(xiàn)更高的計算和內(nèi)存密度。Marvell 表示這項可提升性能、能效、成本表現(xiàn)的新技術(shù)對其所有定制芯片客戶開放，并得到了三大 HBM 內(nèi)存原廠 SK 海力士、三星電子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 計算架構(gòu)”采用了非行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 HBM I/O 接口設(shè)計，可帶來更優(yōu)秀性能和最多 70% 的接口
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三星擴大高帶寬存儲器封裝產(chǎn)能

  • 據(jù)外媒報道，三星正在擴大韓國和其他國家芯片封裝工廠的產(chǎn)能，主要是蘇州工廠和韓國忠清南道天安基地。由于人工智能領(lǐng)域激增的需求，下一代高帶寬存儲器封裝（HBM）的重要性日益重要，三星希望通過提升封裝能力，確保他們未來的技術(shù)競爭力，并縮小與SK海力士在這一領(lǐng)域的差距?！?蘇州工廠是三星目前在韓國之外僅有的封裝工廠，業(yè)內(nèi)人士透露他們在三季度已同相關(guān)廠商簽署了設(shè)備采購協(xié)議，合同接近200億韓元，目的是擴大工廠的產(chǎn)能。· 另外，三星近期已同忠清南道和天安市簽署了擴大芯片封裝產(chǎn)能的投資協(xié)議，計劃在韓國天安市新建一座專門
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如何獲得足夠的HBM，并將其堆疊的足夠高？

  • 任何新的內(nèi)存方法都必須具備可制造性與成本效益，方能被采用。
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AI需求持續(xù)爆發(fā)！“HBM霸主”SK海力士Q3營收、利潤雙創(chuàng)記錄

  • 獲悉，周四，SK海力士公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度利潤和營收，這反映出市場對與英偉達(dá)(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發(fā)的存儲芯片的強勁需求。作為英偉達(dá)的供應(yīng)商，這家韓國存儲芯片巨頭第三季度的營業(yè)利潤達(dá)到7.03萬億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬億韓元，高于分析師預(yù)期的6.9萬億韓元。營收大增94%，達(dá)到17.6萬億韓元，而市場預(yù)期為18.2萬億韓元。今年以來，SK海力士股價累計上漲逾35%，原因是該公司在設(shè)計和供應(yīng)為英偉達(dá)人工智能加速器提供動力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴大了對三星電子(S
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消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤產(chǎn)品

  • 10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦高利潤產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資，同時月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競爭對手。同時，SK 海力
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HBM對DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升

  • TrendForce指出，隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴張，營收貢獻(xiàn)將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
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HBM3e 12hi面臨良率和驗證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察

  • 近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔(dān)憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長，目前尚難判定是否會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續(xù)驗證階段。其中SK hynix與Micron進(jìn)度較快，有望于今年底完成
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HBM外另一大關(guān)注重點：新一代存儲器GDDR7是什么？

  • 隨著GDDR7存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格于今年確定，存儲器業(yè)者開始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升級，提高游戲和其它類型工作負(fù)載的性能。什么是GDDR7存儲器呢？其實GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的顯示存儲器，如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的顯存時脈頻率為14
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SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向

  • IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報道，SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
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HBM 帶動，三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)營收前四

  • IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾。▲ 圖源 IDC報告表示，數(shù)據(jù)中心對 AI 訓(xùn)練與推理的需求飆升，其中對 HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價和對通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動 DRAM 平均價格上升，使總體內(nèi)存市場營收大幅成長。此外終端設(shè)備市場回穩(wěn)，AI PC、智能手機逐步發(fā)售，同樣提升
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因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價 15~20%

  • IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計價格會有所上漲。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時候還有報道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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美光將在中國臺灣加碼投資，或聚焦HBM

  • 行業(yè)人士消息，美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra在今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進(jìn)一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。據(jù)悉，中國臺灣經(jīng)濟部門于2021年5月申請領(lǐng)航企業(yè)研發(fā)深耕計劃（大A+），提出DRAM先進(jìn)技術(shù)暨高帶寬存儲器研發(fā)領(lǐng)航計劃，在中國臺灣設(shè)立第一個研發(fā)中心，獲補助47億元新臺幣，將研發(fā)先進(jìn)制程落腳在中國臺灣生產(chǎn)。2021年，美光在中國臺灣申請
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存儲技術(shù)，掀起一輪新革命

  • 內(nèi)存市場迎來新一輪 DRAM 技術(shù)「革命」。
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存儲產(chǎn)業(yè)的下一個“新寵”是？

  • 人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲器迎來了新一輪的發(fā)展契機，而與此同時，在服務(wù)器需求推動下，存儲產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺”。當(dāng)前，AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動服務(wù)器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加，為滿足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求，需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬，在此情況下，服務(wù)器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應(yīng)運而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標(biāo)準(zhǔn)細(xì)節(jié)當(dāng)?shù)貢r間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模組
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