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存儲(chǔ)大廠現(xiàn)場(chǎng)展示HBM3E產(chǎn)品

  • 近日，存儲(chǔ)大廠美光科技在GTC 2024活動(dòng)，展示一系列存儲(chǔ)解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預(yù)計(jì)2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢(shì)的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲(chǔ)解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲(chǔ)器工作負(fù)載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲(chǔ)器模組，并攜手MemVerg
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集邦咨詢：存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩

  • 邁過(guò)2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來(lái)放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來(lái)的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
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2024年，存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！

  • 邁過(guò)2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來(lái)放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來(lái)的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不同的
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三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

  • IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報(bào)道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說(shuō)法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過(guò)回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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存儲(chǔ)大廠10億美元加碼HBM先進(jìn)封裝

  • SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長(zhǎng)認(rèn)為，半導(dǎo)體行業(yè)前50年都在專注芯片本身的設(shè)計(jì)和制造，但是，下一個(gè) 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開。據(jù)彭博社報(bào)道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國(guó)投資超過(guò)10億美元，用于擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片制造的最后步驟，即先進(jìn)封裝。前三星電子工程師、現(xiàn)任 SK Hynix 封裝開發(fā)主管的李康旭表示，推進(jìn)封裝工藝創(chuàng)新是提高HBM性能、降低功耗的關(guān)鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場(chǎng)領(lǐng)先地位的必由之路。高度聚焦先進(jìn)封裝SK海力士HBM不斷擴(kuò)產(chǎn)SK海力士在最近的財(cái)報(bào)中表示，
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HBM：屬于大廠的游戲，而非全部存儲(chǔ)廠商的狂歡？

  • 近期，存儲(chǔ)廠商南亞科總經(jīng)理李培瑛對(duì)外表示，HBM目前產(chǎn)品溢價(jià)較高，確實(shí)會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器廠商營(yíng)收有所貢獻(xiàn)，但其占全球DRAM位元數(shù)僅約2%。因此，以當(dāng)前南亞科在DRAM市場(chǎng)的市占率而言，現(xiàn)階段不適合公司投入大量資源爭(zhēng)奪HBM市場(chǎng)。存儲(chǔ)市場(chǎng)正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術(shù)也從幕后走向臺(tái)前，并成為推動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強(qiáng)勁動(dòng)能。不過(guò)，HBM技術(shù)含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術(shù)是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲(chǔ)廠商的“狂歡”。如今，存儲(chǔ)大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響，并瞄準(zhǔn)了最新的HBM3E技術(shù)
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全球HBM戰(zhàn)局打響！

  • AI服務(wù)器浪潮席卷全球，帶動(dòng)AI加速芯片需求。DRAM關(guān)鍵性產(chǎn)品HBM異軍突起，成為了半導(dǎo)體下行周期中逆勢(shì)增長(zhǎng)的風(fēng)景線。業(yè)界認(rèn)為，HBM是加速未來(lái)AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。近期，HBM市場(chǎng)動(dòng)靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲(chǔ)兩大廠釋出2024年HBM產(chǎn)能售罄。與此同時(shí)，HBM技術(shù)再突破、大客戶發(fā)生變動(dòng)、被劃進(jìn)國(guó)家戰(zhàn)略技術(shù)之一...一時(shí)間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲(chǔ)器，是屬于圖形DDR內(nèi)存的一種。從技術(shù)原理上講，HB
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美光、SK海力士今年HBM已售罄

  • 繼此前美光宣布 HBM 產(chǎn)能全部售罄之后，SK 海力士今年的 HBM 產(chǎn)能也已經(jīng)全部售罄。
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兩家存儲(chǔ)大廠：今年HBM售罄

  • 近期，SK海力士副社長(zhǎng)Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準(zhǔn)備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對(duì)外透露，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計(jì)已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動(dòng)了云端高性能AI芯片對(duì)于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，存儲(chǔ)大廠積極瞄準(zhǔn)HBM擴(kuò)產(chǎn)。其中，三星電子從2023年四季度開始擴(kuò)大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計(jì)劃在今年上半年開始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計(jì)將
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價(jià)格暴漲500%，HBM市場(chǎng)徹底被引爆

  • 內(nèi)存技術(shù)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對(duì)于整體計(jì)算能力的提升至關(guān)重要。在這個(gè)背景下，高帶寬內(nèi)存（HBM）以其卓越的性能表現(xiàn)，正逐漸在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域嶄露頭角，成為推動(dòng)計(jì)算領(lǐng)域進(jìn)入全新時(shí)代的關(guān)鍵力量。相較于傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），HBM 的性能優(yōu)勢(shì)顯而易見。遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越 DDRDDR 是一種常見的計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型，最早是為了提高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾识O(shè)計(jì)的。它采用了雙倍數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可以傳輸兩次數(shù)據(jù)，從而提高了數(shù)據(jù)傳輸速率。目前最常見的 DDR 版本是 DDR4、DDR5，但在過(guò)去還
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SK海力士“狂飆”，HBM是“救命良藥”

  • 最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財(cái)報(bào)，2023 年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，當(dāng)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn) 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營(yíng)業(yè)虧損 1.91 萬(wàn)億韓元。這意味著，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來(lái)一直持續(xù)的營(yíng)業(yè)虧損情況。相比之下，同為韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭的三星，業(yè)績(jī)卻不盡如人意。數(shù)據(jù)顯示，三星電子去年銷售額為 258.16 萬(wàn)億韓元（1.4 萬(wàn)億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導(dǎo)體部門業(yè)績(jī)不佳影響，三星電子全年?duì)I業(yè)利潤(rùn)時(shí)隔 15 年再次跌至 10 萬(wàn)億韓元（544
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為什么仍然沒有商用3D-IC？

  • 摩爾不僅有了一個(gè)良好的開端，但接下來(lái)的步驟要困難得多。
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對(duì)內(nèi)存的重新思考

  • 馮·諾依曼架構(gòu)將繼續(xù)存在，但人工智能需要新的架構(gòu)，3D 結(jié)構(gòu)需要新的測(cè)試工具。
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大廠有意擴(kuò)產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存

  • 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月營(yíng)收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價(jià)續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計(jì)劃階段性擴(kuò)產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對(duì)內(nèi)存大廠有意擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商則認(rèn)為，海力士擴(kuò)廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因?yàn)榕_(tái)灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報(bào)價(jià)。TrendForc
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你所需要知道的HBM技術(shù)

  • 在2024年即將到來(lái)之際，多家機(jī)構(gòu)給出預(yù)測(cè)，認(rèn)定生成式AI將成為2024年的增長(zhǎng)重點(diǎn)之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場(chǎng)的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長(zhǎng)空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時(shí)，也極大帶動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來(lái)了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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