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電源DDR硬件設(shè)計技巧

1、電源DDR的分類A、主電源VDD和VDDQ主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給內(nèi)核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有專門的VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計時，需要考慮電壓、電流是否滿足要求。電源的上電順序和電源的上電時間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個數(shù)等進(jìn)行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計時，如果有一個完整的電源平面
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雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存簡介

了解雙數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲器的關(guān)鍵概念和圍繞這一數(shù)字通信技術(shù)的應(yīng)用，其中兩個數(shù)據(jù)字在一個時鐘周期內(nèi)傳輸。串行數(shù)據(jù)傳輸比并行數(shù)據(jù)傳輸具有重要優(yōu)勢，并且在許多系統(tǒng)中，這些優(yōu)勢足夠顯著，足以證明添加串行化和反串行化并行數(shù)據(jù)的電路是合理的，從而可以將其作為串行數(shù)據(jù)傳輸。然而，計算機存儲器是并行數(shù)據(jù)傳輸仍然普遍存在的一個應(yīng)用領(lǐng)域。由于它們可以同時讀取和寫入許多數(shù)字信號，并行接口速度很快，設(shè)計師們一直在尋找使其更快的方法。一種用于實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率的大幅提高的古老但仍然相關(guān)的技術(shù)被稱為雙泵浦，而這一特性正是將存儲器系
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存儲大廠現(xiàn)場展示HBM3E產(chǎn)品

近日，存儲大廠美光科技在GTC 2024活動，展示一系列存儲解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預(yù)計2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲器工作負(fù)載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲器模組，并攜手MemVerg
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集邦咨詢：存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩

邁過2023年的經(jīng)濟逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
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2024年，存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！

邁過2023年的經(jīng)濟逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不同的
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DDR硬件設(shè)計要點

1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計時，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個數(shù)等進(jìn)行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計時，如果有一個完整的電源平
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你所需要知道的HBM技術(shù)

在2024年即將到來之際，多家機構(gòu)給出預(yù)測，認(rèn)定生成式AI將成為2024年的增長重點之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)威機構(gòu)預(yù)測，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。 HBM是何方神圣？首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！

簡單解釋ROMROM：只讀存儲器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復(fù)使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
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燦芯半導(dǎo)體推出兩項創(chuàng)新技術(shù)用于DDR物理層

一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency （零延遲）和True-Adaptive（真自適應(yīng)）兩項技術(shù)。這兩項技術(shù)已經(jīng)開始在12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理層IP上進(jìn)行部署，將為客戶帶來更高效、更穩(wěn)定的全新體驗。 Zero-Latency （零延遲）技術(shù)在讀數(shù)據(jù)通路上，采用了兩種可選的、獨特的采樣方式進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換，而不像其他DDR物理層供貨商采用FIFO進(jìn)行跨時鐘域轉(zhuǎn)換，此技術(shù)將延遲降低
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7200MHz! DDR4內(nèi)存超頻記錄被刷新

　　DDR4內(nèi)存已經(jīng)誕生了有10年之久，從一開始的2133MHz頻率到后期逐漸站上2400MHz、2666MHz，一直到工藝與電路架構(gòu)升級后，現(xiàn)在民用普遍的3200MHz和性能玩家追捧的4166MHz?？梢哉f這十年以來，DDR4內(nèi)存的頻率也是有了快翻倍的提升。　　而日前，有超頻愛好者將DDR4內(nèi)存的頻率超頻至7200MHz，打破了世界紀(jì)錄。該記錄由微星MEG Z590 Unify-X主板創(chuàng)造，超頻內(nèi)存上使用了兩條士頓的HyperX Predator 8GB內(nèi)存，組成16GB雙通道。為了能讓內(nèi)存實現(xiàn)如此高頻
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NVIDIA選用新思科技經(jīng)驗證DesignWare DDR IP核

重點：高質(zhì)量DesignWare DDR PHY IP核為NVIDIA提供無與倫比的性能、延遲和電源效率DDR PHY支持DDR5/4的每個通道多個DIMM，滿足NVIDIA的網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)速率和內(nèi)存容量要求基于固件的現(xiàn)場可升級訓(xùn)練可提高通道的穩(wěn)定性和可靠性，并且有助于算法更新，從而降低采用新內(nèi)存協(xié)議的風(fēng)險新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，NVIDIA的網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門Mellanox將采用經(jīng)驗證的DesignWare? DDR5/4 PHY IP核，以滿足其針對高性能計算和人工智能應(yīng)用的Infin
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燦芯半導(dǎo)體為NVDIMM OEM提供完整解決方案

國際領(lǐng)先的定制化芯片（ASIC）設(shè)計方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡稱“燦芯半導(dǎo)體”）近日對外宣布為一家著名的NVDIMM供應(yīng)商提供完整的NVDIMM控制器芯片解決方案。非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊（NVDIMM）是計算機的一種隨機存取存儲器,即使在遇到供電不穩(wěn)、系統(tǒng)崩潰或正常關(guān)機等斷電情況時仍保留其內(nèi)容。NVDIMM可快速恢復(fù)現(xiàn)場，提高應(yīng)用程序性能，數(shù)據(jù)安全性和系統(tǒng)崩潰修復(fù)時間，加強了固態(tài)驅(qū)動器（SSD）的耐用性和可靠性。當(dāng)前，大多數(shù)NVDIMM控制器采用F
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宏旺半導(dǎo)體ICMAX置辦全自動化大型DDR測試機臺填補國內(nèi)市場空白

在國內(nèi)疫情尚還未完全好轉(zhuǎn)的情況下，全球疫情開始逐漸惡化。而日韓疫情的兇猛，更是給全球半導(dǎo)體領(lǐng)域投下了“重磅炸彈”。
關(guān)鍵字：宏旺半導(dǎo)體 DDR ICMAX

DDR硬件設(shè)計要點都在這里

　　DDR硬件設(shè)計要點　　1. 電源 DDR的電源可以分為三類：　　a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。　　有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計時，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個數(shù)等進(jìn)行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以P
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DDR內(nèi)存的發(fā)展簡史：和三星有關(guān)

　　DDR的種類：　　1、DDR SDRAM：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器;　　2、DDR2 SDRAM：Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，第二代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器;　　3、DDR3 SDRAM：Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Ra
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ddr介紹

　DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存　　嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹紻DR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SD [ 查看詳細(xì) ]