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三維封裝DDR2存儲器VD2D4G72XB191XX3U6測試

  • DDR2 SDRAM具有速度快、價(jià)格便宜、容量大的特點(diǎn)，應(yīng)用非常廣泛。通過采用三維封裝技術(shù)將5片數(shù)據(jù)位寬為16 bits的DDR2 SDRAM芯片封裝成一個存儲模塊VD2D4G72XB191XX3U6，在不額外占用PCB面積的情況下，提高了存儲容量，并將位寬擴(kuò)展到72 bits。
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DDR3與DDR2內(nèi)存區(qū)別

  • DDR3內(nèi)存相對于DDR2內(nèi)存，其實(shí)只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3同DDR2接觸針腳數(shù)目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量內(nèi)存的支持較好，而大容量內(nèi)存的分水嶺是4GB這個容量，4GB是32位操作系統(tǒng)的執(zhí)行上限當(dāng)市場需求超過4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。
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如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手

  • 差分時(shí)鐘是DDR的一個重要且必要的設(shè)計(jì)，但大家對CK#（CKN）的作用認(rèn)識很少，很多人理解為第二個觸發(fā)時(shí)鐘，其實(shí)它的真實(shí)作用是起到觸發(fā)時(shí)鐘校準(zhǔn)的作用。
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基于FPGA的視頻圖像畫面分割器設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了解決在一個屏幕上收看多個信號源的問題，對基于FPGA技術(shù)的視頻圖像畫面分割器進(jìn)行了研究。研究的主要特色在于構(gòu)建了以FPGA為核心器件的視頻畫面分割的硬件平臺，首先，將DVI視頻信號，經(jīng)視頻解碼芯片轉(zhuǎn)換為
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基于Xilinx V5的DDR2數(shù)據(jù)解析功能實(shí)現(xiàn)

  • 基于Xilinx V5的DDR2數(shù)據(jù)解析功能實(shí)現(xiàn),摘要：介紹了一種基于Xilinx V5芯片的硬件板卡上，利用Verilog硬件編程語言，來實(shí)現(xiàn)DDR2對數(shù)據(jù)文件解析的目的：分析了CPCI總線與FPGA之間的通信特點(diǎn);然后根據(jù)收到的數(shù)據(jù)文件要求，介紹了DDR2的使用方法;最后介紹了對
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基于千兆網(wǎng)的FPGA多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 　　FPGA豐富的邏輯資源、充沛的I/O引腳以及較低的功耗，被廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)和高速數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域?，F(xiàn)如今，各大FPGA生產(chǎn)廠商為方便用戶的設(shè)計(jì)和使用，提供了較多的、可利用的IP核資源，極大地減少了產(chǎn)品的開發(fā)周期和開發(fā)難度，從而使用戶得以更專注地構(gòu)思各種各樣創(chuàng)意且實(shí)用的功能，而不是把大量時(shí)間浪費(fèi)在產(chǎn)品的調(diào)試和驗(yàn)證中。 　　千兆以太網(wǎng)技術(shù)在工程上的應(yīng)用是當(dāng)前的研究熱點(diǎn)之一。相比于其他RS-232或RS-485等串口通信，千兆以太網(wǎng)更加普及和通用，可以直接與Internet上的其他終端相連;相比于百兆網(wǎng)絡(luò)
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基于FPGA的DDR2 SDRAM存儲器用戶接口設(shè)計(jì)

  • 使用功能強(qiáng)大的FPGA來實(shí)現(xiàn)一種DDR2 SDRAM存儲器的用戶接口。該用戶接口是基于XILINX公司出產(chǎn)的DDR2 SDRAM的存儲控制器，由于該公司出產(chǎn)的這種存儲控制器具有很高的效率，使用也很廣泛，可知本設(shè)計(jì)具有很大的使用前景。本設(shè)計(jì)通過采用多路高速率數(shù)據(jù)讀寫探作仿真驗(yàn)證，可知其完全可以滿足時(shí)序要求，由綜合結(jié)果可知其使用邏輯資源很少，運(yùn)行速率很高，基本可以滿足所有設(shè)計(jì)需要。
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DDR2 SDRAM介紹及其基于MPC8548 CPU的硬件設(shè)計(jì)

  • DR2(Double Data Rate 2，兩倍數(shù)據(jù)速率，版本2) SDRAM，是由JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織開發(fā)的基于DDR SDRAM的升級存儲技術(shù)。 相對于DDR SDRAM，雖然其仍然保持了一個時(shí)鐘周期完成兩次數(shù)據(jù)傳輸?shù)奶匦?，但DDR2 SDRAM在數(shù)據(jù)傳輸率、
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Xilinx Spartan-3A FPGA 的DDR2接口設(shè)計(jì)

  • 1 引言DDR2(Double DataRate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同：雖然采用 時(shí)鐘的上升／下降沿同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)的基本方式，但DDR2卻擁有2倍的DDR
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DDR測試系列之一――力科DDR2測試解決方案

  • DDR2簡介從1998年的PC100到今天的DDR3，內(nèi)存技術(shù)同CPU前端總線一道經(jīng)歷著速度的提升及帶寬的擴(kuò)展。雖然DDR3在當(dāng)今已經(jīng)量產(chǎn)與使用，DDR2在實(shí)際上還擔(dān)任著內(nèi)存業(yè)界應(yīng)用最廣泛最成熟的中流砥柱的角色。DDR2在DDR的基礎(chǔ)上
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便攜設(shè)備DDR2-3內(nèi)存電源解決方案

  • 在筆記本電腦和PDA便攜系統(tǒng)中，為達(dá)到JEDEC(電子器件工程設(shè)計(jì)聯(lián)合會)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范(JESD79E)，對DDR2-3內(nèi)存在靜態(tài)穩(wěn)壓和動態(tài)響應(yīng)方面提出了嚴(yán)格的要求。DDR2-3基本上需要三條電源軌：一個給內(nèi)核供電的主電源(VDDQ)、一個
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采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計(jì)

  • 采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計(jì),本白皮書討論各種存儲器接口控制器設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時(shí)也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)來為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣的更
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Nufront第三代處理器采用Cadence接口IP解決方案

  • 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司 (NASDAQ: CDNS)，日前宣布Nufront(新岸線)的NS115芯片組采用了Cadence可配置的DDR3/3L/LPDDR2存儲控制器與硬化PHY IP核，應(yīng)用于其雙核ARM Cortex –A9移動應(yīng)用處理器。TSMC 40LP工藝， 32位DDR3/LPDDR2接口的數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達(dá)800Mbps，并能提供對超薄筆記本、平板電腦和智能手機(jī)等產(chǎn)品至關(guān)重要的基于數(shù)據(jù)流量的自動功耗管理。 Cadence 的DDR3/3L/LPDDR2 IP
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一種矢量信號發(fā)生器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 摘要：充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號的特點(diǎn)，以FPGA為邏輯時(shí)序控制器，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種靈活、簡單、低成本的矢量信號發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDMA為例，詳細(xì)介紹了矢量信號發(fā)生器的設(shè)計(jì)方案與實(shí)現(xiàn)過程，使用Verilog HDL描述并實(shí)現(xiàn)了DDR2 SDRAM的時(shí)序控制和FPGA的邏輯控制。
  • 關(guān)鍵字： DDR2 SDRAM  FLASH  201205  

高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了滿足高速圖像處理系統(tǒng)中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設(shè)計(jì)方法，提出一種基于VHDL語言的DDR2-SDRAM控制器的方案，針對高速圖像處理系統(tǒng)中的具體情況，在Xilinx的ML506開發(fā)
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ddr2介紹

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制 [ 查看詳細(xì) ]

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