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DDR3內存正式終結！三星、SK海力士停產 漲價20％

  • 5月15日消息，據(jù)市場消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產、供應DDR3內存，轉向利潤更豐厚的DDR5內存、HBM系列高帶寬內存。DDR3雖然在技術、性能上已經落伍，PC、服務器都不再使用，但因為非常成熟，功耗和價格都很低，在嵌入式領域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡交換機等。但對于芯片廠商來說，DDR3利潤微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅動下，HBM高帶寬內存需求飆升，產能遠遠無法滿足，2024年和2025年的大部分產能都已經被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預計明年
  • 關鍵字： 存儲  DDR3  三星  SK海力士  

「落后」的內存要大幅漲價，中國廠商迎來商機

  • 當下，AI 服務器系統(tǒng)和應用最為火爆，其對 DDR5 和 HBM 的需求量大增，因此，在全球內存市場，DDR5 和 HBM 成為大宗存儲器市場的寵兒。AI 大模型持續(xù)迭代升級，參數(shù)持續(xù)增長，大模型的參數(shù)規(guī)模越大，算力負擔越重，而 AI 服務器是算力的核心。2023 年，AI 服務器出貨量近 120 萬臺，年增 38.4%，占整體服務器出貨量的 9%，按照這個勢頭發(fā)展下去，2026 年將占到 15% 的市場份額。更多的大模型參數(shù)需要大容量、高速的內存支持。針對 AI 服務器的高性能要求，更強大的內存——DD
  • 關鍵字： DDR3  

第三季利基型DRAM價格持平，DDR3具成本優(yōu)勢短期仍為主流

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心最新調查，DRAM原廠已陸續(xù)與客戶談定7月份利基型內存合約價，價格大致和6月相同。展望第三季，預期DDR4利基型內存報價水平將較接近主流標準型與服務器內存，因原廠可透過封裝打線形式的改變(bonding option)做產品類別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對穩(wěn)健的供需結構，報價預期沒有明顯變動。整體而言，第三季利基型內存價格走勢預估將持平?！　DR3具成本優(yōu)勢，短期仍為利基型記內存主流　　就產品應用種類觀察，首先在利基型內存需求大宗的電視，今年出貨量持穩(wěn)，約為2.157億臺。不過
  • 關鍵字： DRAM  DDR3  

內存狂漲價：臺灣南亞量產DDR3/4

  • 　　內存價格持續(xù)上漲，主要是源頭的三星、SK海力士、美光三大家DRAM顆粒供應嚴重不足，而且整個2018年都不會緩和。 　　其實在臺灣還有一家DRAM廠商南亞科技，只是市場規(guī)模偏小而已。DRAM市場需求如此旺盛的情況下，南亞也積極動手了，首先已經開始量產20nm4GbDDR3顆粒，今年第四季度還會量產20nm8GbDDR4。 　　DDR4的時代為何還要大規(guī)模生產DDR3?主要還是DDR4產能即便再怎么擴充，也需要時間，一時半會不可能緩解，而在很多領域，DDR3仍然有很大的需求。 　　最近不少主板廠商
  • 關鍵字： 內存  DDR3  

DDR3與DDR2內存區(qū)別

  • DDR3內存相對于DDR2內存，其實只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構。DDR3同DDR2接觸針腳數(shù)目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量內存的支持較好，而大容量內存的分水嶺是4GB這個容量，4GB是32位操作系統(tǒng)的執(zhí)行上限當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內存的普及時期。
  • 關鍵字： DDR3  DDR2  內存  CPU  

DDR4內存的未來

  • 我們知道現(xiàn)在DDR3內存逐步發(fā)展，已經成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達到了DDR3-2133，明年DDR4內存將會出現(xiàn)，預計數(shù)據(jù)傳輸率將會從1600起跳，可以達到4266的水平.
  • 關鍵字： DDR4內存  Intel  DDR3-2133  

DDR3存儲器接口控制器IP加速了數(shù)據(jù)處理應用

  • DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點，使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制器是非常重要的。視屏處理應用就是一個很好的示例，說明了DDR3存儲器系統(tǒng)的主要需求以及在類似數(shù)據(jù)流處理系統(tǒng)中DDR3接口所需的特性。
  • 關鍵字： DDR3  存儲器  IP  接口控制器  

DDR4陣營持續(xù)擴大 將首度超越DDR3

  • 　　第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 　　調研機構ICInsights預估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷售額占比將會揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過去6年DDR3占比持續(xù)維持第一的
  • 關鍵字： DDR4  DDR3  

FPGA與DDR3 SDRAM的接口設計

  • DDR3 SDRAM內存的總線速率達到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作電壓，采用90nm制程達到2Gbits的高密度。這個架構毫無疑問更快、更大，每比特的功耗也更低，但是如何實現(xiàn)FPGA和DDR3 SDRAM DI
  • 關鍵字： SDRAM  FPGA  DDR3  接口設計    

基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理設計

  • 引言本文以Xilinx公司的Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片Micron公司的MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺，設計并實現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲管理。1 總體架構設計機載視頻圖形顯示系
  • 關鍵字： 存儲器控制  多端口  幀地址  DDR3  FPGA  

基于FPGA的DDR3控制器設計

  • 基于FPGA的DDR3控制器設計,摘要 介紹了DDR3 SDRAM的技術特點、工作原理，以及控制器的構成。利用Xilinx公司的MIG軟件工具在Virtex-6系列FPGA芯片上，實現(xiàn)了控制器的設計方法，并給出了ISim仿真驗證結果，驗證了該設計方案的可行性。DDR3 SDRAM
  • 關鍵字： FPGA  DDR3 SDRAM控制器  MIG  ISim  

iSuppli明年第2季DDR3躍登DRAM市鮒髁

  • 根據(jù)市場研究機構 iSuppli 的最新預測，DDR3 (Double Data Rate 3) 標準型內存將在 2010 年第 2 季成為產業(yè)主流，全球 DRAM 市場出貨占比可望突破 50%。以單位出
  • 關鍵字： 微處理器  DDR3  Nehalem   

Xilinx MIG IP核的研究及大容量數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的實現(xiàn)

  • 為了使DDR3 SDRAM更方便、多樣地用于工程開發(fā)中，本文對XILINX公司DDR3 SDRAM提供的MIG核進行了分析研究，并在此基礎上實現(xiàn)了大容量數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的邏輯設計。通過對系統(tǒng)中各模塊的作用及相互間關系的研究，發(fā)現(xiàn)該控制器256位接口對工程開發(fā)十分不便，通過創(chuàng)建FIFO控制系統(tǒng)和讀寫接口FIFO的方式，將接口轉換為64位。該方案對控制核重新構建并上板測試，均符合高速數(shù)據(jù)傳輸緩存的要求，使DDR3成為一個大容量且可控的高速FIFO。
  • 關鍵字： MIG核  FIFO  DDR3 SDRAM  201608  

基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理系統(tǒng)設計

  • 　　機載視頻圖形顯示系統(tǒng)主要實現(xiàn)2D圖形的繪制，構成各種飛行參數(shù)畫面，同時疊加實時的外景視頻。由于FPGA具有強大邏輯資源、豐富IP核等優(yōu)點，基于FPGA的嵌入式系統(tǒng)架構是機載視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數(shù)據(jù)，F(xiàn)PGA內部的存儲資源無法滿足存儲需求，因此需要配置外部存儲器。 　　與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求，因此選擇DDR3 SDRAM作為機載視頻圖形顯示系統(tǒng)的外部存儲器。 　　本文以
  • 關鍵字： FPGA  DDR3  

小改變大不同 揭秘DDR4內存與DDR3區(qū)別

  • DDR3內存自從2007年服役以來，至今已經走過了8個年頭。相比Intel的更新?lián)Q代步伐來說，內存發(fā)展可謂相當緩慢。不過好在2014年底，各大廠商紛紛上架DDR4內存產品，起跳頻率達到2133MHz，標志著DDR3時代的終結。
  • 關鍵字： DDR4  DDR3  
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ddr3介紹

目錄概述 設計 發(fā)展 DDR3內存的技術改進 概述 　　針對Intel新型芯片的一代內存技術（但目前主要用于顯卡內存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下： 　　(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。 　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細 ]

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