首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr3

集邦科技: 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收2010第一季營收續(xù)成長6.9%

  • 　　根據(jù)集邦科技公布價格，DDR3合約季均價與現(xiàn)貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與 14%;DDR2合約季均價與現(xiàn)貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價續(xù)漲5%，現(xiàn)貨季均價持平，持續(xù)維持在高檔價格。 　　由于計算機系統(tǒng)廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現(xiàn)貨市場需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠快速轉(zhuǎn)進至DDR3，使買方亦努力拉
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  DDR3  

27日:AMD推7款嵌入式處理器支持DDR3

  • 　　newsfactor.com：谷歌Android市場目前已有3.8萬個應(yīng)用程序 　　Android市場向企業(yè)開放僅僅幾個月之后，這個移動應(yīng)用程序市場就提供了3.8萬多個移動應(yīng)用程序。推出其開源軟件Android操作系統(tǒng)市場的谷歌正在與蘋果應(yīng)用程序商店爭奪人們的注意力。 　　有報道稱，谷歌Android市場已經(jīng)有5萬個應(yīng)用程序。但是，谷歌發(fā)言人Anthony House說，截止到4月15日，谷歌有3.8萬多個應(yīng)用程序。他不愿意對5萬個應(yīng)用程序的報道發(fā)表評論。 　　無論是3.8萬還是5萬個應(yīng)用程序，
  • 關(guān)鍵字： AMD  嵌入式處理器  DDR3  

AMD 集顯SOC芯片將采用基于體硅制程的40nm制程技術(shù)制作

  • 　　AMD公司據(jù)稱已經(jīng)收到了首批Fusion集顯處理器產(chǎn)品Ontario的試產(chǎn)樣件。Ontario是Fusion集顯處理器系列產(chǎn)品中專門面向上網(wǎng)本， 平板電腦以及其它低功耗設(shè)備的處理器。這款處理器將采用內(nèi)部集成Bobcat架構(gòu)雙核x86處理器核心的設(shè)計，同時還將集成DX11級別集顯核心和 DDR3內(nèi)存控制器。不過從本質(zhì)上講，Ontario其實算是一款單芯片式的SOC產(chǎn)品。據(jù)Xbit labs網(wǎng)站的報道，Ontario芯片將會使用基于體硅的40nm制程工藝制作。 　　這款芯片的可能代工方將有Globalf
  • 關(guān)鍵字： AMD  處理器  DDR3  

全球最大容量 爾必達4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成

  • 　　日本DRAM大廠爾必達今天宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量內(nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆粒可節(jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。 　　爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  40nm  CMOS  DDR3  

壞消息：DDR2/DDR3芯片價格仍保持漲勢

  • 　　1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格最近雙雙上漲到了接近3美元的價位，顯示目前內(nèi)存芯片市場仍處于供不應(yīng)求的緊張局面。據(jù)消息來源表示，造成這種局面 的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動作;另外一方面，由于PC廠商事先預(yù)計到了這種狀況，因此這些廠商事先都采取了較大量訂貨的策 略，而這則進一步加劇了這種危機。 　　據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計，3月18日，打標(biāo)和eTT(即經(jīng)過芯片廠商完全測試，但沒有打上原廠激光標(biāo)記的芯片)1Gb DDR2芯片的價格分別上升了3.97%和4.3
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存芯片  DDR3  

三星、力晶猛喊節(jié)制擴產(chǎn)　DRAM廠：高手過招戲碼

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來臺參加全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(GSA)論壇，吸引DRAM業(yè)者紛前來聆聽龍頭廠對景氣風(fēng)向球。權(quán)五鉉表示，2010年下半DRAM價格可以維持穩(wěn)定，未來DRAM業(yè)者不應(yīng)一昧地追求價格和成本，而是要節(jié)制瘋狂擴充產(chǎn)能;力晶董事長黃崇仁在現(xiàn)場亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴產(chǎn)，要追求合理價格更勝于超額利潤;此番臺、韓存儲器廠高層過招，成為整個論壇最大高潮。 　　權(quán)五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關(guān)半導(dǎo)體市場及
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  DDR3  

DDR3測試產(chǎn)能不足　DRAM封測廠加緊進設(shè)備

  • 　　隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進DDR3，對后段廠而言，封裝產(chǎn)能利用率處于高檔，然測試、預(yù)燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象，各家封測廠上演搶機臺戲碼，希望能夠盡量提前讓機臺進駐廠區(qū)，隨著工作天數(shù)恢復(fù)正常，存儲器封測廠3月接單熱絡(luò)，預(yù)期單月營收應(yīng)可處于歷史高檔水平。 　　受惠于2010年存儲器市場復(fù)蘇，以及DDR2轉(zhuǎn)換至DDR3速度加快，力成訂單能見度延展至6~7月，華東也看到4月訂單。整體產(chǎn)能利用率依舊維持滿載，客戶端需求非常強勁，產(chǎn)出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測試部分，卡在測試機臺供應(yīng)不及，測試產(chǎn)能不足
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  DDR3  

三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

  • 　　三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 　　這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產(chǎn)品降低35%，能為數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器系統(tǒng)或者高端筆記本節(jié)省大量能源。 　　三星指出，目前服務(wù)器系統(tǒng)平均每路處理器搭配六條RDIMM內(nèi)存條，總?cè)萘孔畲?6GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，內(nèi)存子系統(tǒng)功耗可達210W，換
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  40nm  DDR3  

鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別的同類產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設(shè)在Boise的研發(fā)中心開始研制。     　　兩家廠商預(yù)計將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片的試樣生產(chǎn)，并將于今年下半年開始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。 　　兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少，可節(jié)省30%電能。 　　這款42nm 2Gb
  • 關(guān)鍵字： 鎂光  內(nèi)存芯片  DDR3  

DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3

  • 　　報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半年超過DDR3。 　　Simon Chen認為，DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元，那么它需求將會出現(xiàn)大幅度增長。 　　Simon Chen還表示，上游芯片供應(yīng)商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過這種升級或許會因為其它設(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。 　　根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測，1Gb DDR2
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR3  DDR2  

三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。 　　三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標(biāo) 準(zhǔn)電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內(nèi)存(Gree
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  30nm  DDR3   

DRAM迎來希望之光 年底將“春光燦爛”

  • 　　在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當(dāng)時廠商能活下來就不錯了。 　　但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達22億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。 　　DDR3來臨 　　第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR3  DDR2  

DRAM跌價襲擊　模塊廠1月營收處變不驚

  • 　　2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預(yù)期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。 　　存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  DDR3  

IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器

  • 　　IDT 公司推出首款針對DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤和電腦主板市場的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、移動及嵌入式計算系統(tǒng)以最高效率運行，通過監(jiān)測各子系統(tǒng)的溫度來節(jié)省總電力，提高可靠性和性能。 　　全新的IDT溫度傳感器可測量計算子系統(tǒng)的局部溫度，一旦溫度上升超過預(yù)定水平，系統(tǒng)控制器就會通過控制系統(tǒng)帶寬、調(diào)整內(nèi)存刷新率或改變風(fēng)扇速度進行響應(yīng)。此外，如果溫度達到臨界點，新的IDT溫度傳感器可以觸發(fā)一個子系統(tǒng)關(guān)閉，從而提高可靠性。IDT 的產(chǎn)品包括一個獨立溫度傳感器(TS3000B3)，以及一
  • 關(guān)鍵字： IDT  傳感器  DDR3  

DDR3來臨 2010年DRAM市場云開月明

  • 　　2009年DRAM 市場烏云籠罩，廠商艱難度過黑暗時期，終于守得云開見月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。 　　三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達22 億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。 　　DDR3 來臨 　　第三季度，下一代 DRAM 技術(shù)——DDR3 看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli 公司預(yù)測，DDR3 出貨量將在2010 年第一季度超過DDR2。 　　三星在 DDR3
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR3  
共126條 4/9 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 »

ddr3介紹

目錄概述 設(shè)計 發(fā)展 DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進 概述 　　針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下： 　　(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。 　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細 ]

熱門主題

DDR3    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473