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第三季全球電子元器件價格上漲 市場短暫回溫

  • 　　8月5日消息，據(jù)市場調(diào)研公司iSuppli日前發(fā)布的報告顯示，由于產(chǎn)品短缺，以及內(nèi)存芯片市場價格上漲，預(yù)計在今年第三季度中，全球電子元器件的定價將比第二季度增長2.3%。 　　據(jù)國外媒體報道，iSuppli公司表示，在2008年第四季度中，全球電子元器件的價格就下降了8.4%;在今年第一季度中，價格繼續(xù)下降了9.2%;甚至在接下來的第二季度中仍然下降了5%。不過，預(yù)計在第三季度中，電子元器件市場的價格將經(jīng)歷一段較短的增長期。事實上，大多數(shù)元器件的價格在第三季度都可能下跌，但是其平均價格將被DRAM芯
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爾必達的DDR3 DRAM產(chǎn)量將提高一倍以上

  • 　　日本爾必達存儲公司稱，計劃下月將把用于高速計算機和服務(wù)器的高級DRAM 芯片產(chǎn)量提高一倍多。此消息一出，周一該公司股價被推高。 　　爾必達表示，從9月開始，將把DDR3芯片的產(chǎn)量從現(xiàn)在的月產(chǎn)20000-30000片提高到每月75000片。 　　DDR3 芯片的現(xiàn)貨價格大約在2.10美元，比5月時的價格上漲了約30%，這促使?fàn)柋剡_及其競爭對手三星電子有限公司和海力士半導(dǎo)體公司將重心更多地轉(zhuǎn)移到這種新型芯片上。今年第二季度期間，韓國包括三星電子和海力士在內(nèi)的芯片企業(yè)在全球半導(dǎo)體市場上占有的份額超過60
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美光推出增加服務(wù)器內(nèi)存容量和提升性能的新方法

  • 　　美光科技股份有限公司近日宣布生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)首個DDR3低負載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務(wù)器內(nèi)存總線上的負載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內(nèi)存容量。 　　新的LRDIMM將采用美光先進的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內(nèi)存芯片制造。由于芯片的高密度和業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的小尺寸，使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務(wù)器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產(chǎn)品目前正在進行客戶認證，將很快進行大量生產(chǎn)。 　　如今多數(shù)中端企
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華亞科完成百億元募資　加速轉(zhuǎn)進50納米制程

  • 　　DRAM大廠華亞科日前辦理的海外存托憑證案(GDR)原本價格訂為新臺幣14.5元，預(yù)期募集資金116億元，然近期股價受惠DRAM產(chǎn)業(yè)回春和DRAM價格反彈，因此一路上漲，最后完成定價，訂為每股約16.02元，與日前收盤價相較，則是折價約10%，預(yù)計可募得102.5億元資金，加速華亞科下半年將12寸晶圓廠到入50納米制程。 　　科技大廠法說會起跑，2009年DRAM產(chǎn)業(yè)由華亞科和南亞科打頭陣舉辦，將于本周登場，也是華亞科已公布第2季的營運數(shù)字，虧損縮小至41億元，南亞科估計虧損也將較第1季大幅減少，約
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iSuppli把DRAM市場狀況評級調(diào)升至“正面”

  • 　　在DDR3內(nèi)存供應(yīng)短缺并導(dǎo)致價格上漲之際，iSuppli公司日前把DRAM供應(yīng)商的近期形勢評級調(diào)升到了“正面”。 　　自從2008年9月以來，iSuppli公司一直維持對DRAM市場的“負面”評級，兩周前才調(diào)高至“中性”。 　　“DRAM市場近三年來一直處於供應(yīng)過剩狀態(tài)，局面改善令人高興，”iSuppli公司的首席分析師Nam Hyung Kim表示，“供應(yīng)過剩對於全球DRAM產(chǎn)業(yè)是一大災(zāi)難
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南亞科成臺灣首家獲營運資金DRAM廠

  • 　　南亞科努力進行營運轉(zhuǎn)型，如期在6月底之前達成減資和增資的動作。日前辦理10億股的私募，正式以每股私募價格新臺幣12.22元的定價，取得122.2億元的資金，認購人包括南亞塑料、臺灣化學(xué)纖維、臺灣塑料、臺塑石化、麥寮汽電和長庚醫(yī)療財團法人，全數(shù)由母公司相關(guān)企業(yè)力挺到底，成為臺灣第1家獲得營運資金的DRAM廠，南亞科表示，三廠(Fab3)要盡快轉(zhuǎn)入50奈米的堆疊式技術(shù)制程，降低成本結(jié)構(gòu)。 　　臺塑集團對外宣示不加入TMC以來，以實際行動力挺自家DRAM廠進行營運體質(zhì)強化運動，并挹注新的營運資金，使得旗下
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韓國海力士在無錫成功“擴容” 規(guī)模國內(nèi)最大

  • 　　繼韓國海力士十二英寸封裝測試項目落戶無錫，其在無錫的銷售中心日前也正式簽約。海力士無錫工廠新任董事權(quán)五哲日前透露，十二英寸后工序項目明年初將建設(shè)完畢，屆時，該集團將真正實現(xiàn)在無錫的一體化生產(chǎn)，成為中國最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。 　　海力士半導(dǎo)體是世界第二大DRAM制造商，也在全球半導(dǎo)體公司中名列前茅。無錫工廠是其在海外唯一的生產(chǎn)基地，承擔(dān)了韓國總部百分之五十的DRAM生產(chǎn)量，占全世界DRAM市場的百分之十。 　　權(quán)五哲稱，金融危機下，國際內(nèi)存需求量逆勢上升，該公司目前內(nèi)存價格較年初已上漲二倍。明年實現(xiàn)
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DDR2時代終結(jié)？三星啟動DDR3交替計劃

  • 　　三星近日宣布，將全力推動DDR3的普及。由于2GB容量DDR3與DDR2模組差價模已拉近至1美元，近期三星鎖定部分一線大客戶，利用DDR3與DDR2的差價策略，鼓勵PC用戶積極采購DDR3平臺。 　　三星力推DDR3與DDR2無價差策略 　　DRAM廠表示，三星規(guī)劃DDR3交替腳步相當(dāng)積極，多次出面力挺DDR3時代將來臨，使得其他DRAM廠包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、爾必達(Elpida)等，對于加快腳步導(dǎo)入DDR3，亦顯得興致高昂。不過，近期三星對于DDR3價格殺傷力極大，恐
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三星開始DDR3存儲器量產(chǎn)

  • 　　為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問題，三星電子準備開始50納米的DDR3量產(chǎn)。 　　DDR3是第3代的同步雙速率存儲器。三星及業(yè)界都相信今年底將成為全球存儲器的主流技術(shù)。但也有些分析師，包括Needham的Edwin Mok認為DDR3今年可能不會有實質(zhì)性的太多進展。 　　三星表示DDR3能使設(shè)計servers的OEM與DDR2相比較，每個系統(tǒng)提升到192Gb，并在功能提高一倍時功耗降低60%(速度提高到每秒133Mb時)。 　　未來Xeon 5500處理器結(jié)合DD
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安捷倫推出測試快速DDR3存儲器系統(tǒng)套件

  •         近日，安捷倫科技公司推出目標應(yīng)用為板級或嵌入式存儲器應(yīng)用的DDR3協(xié)議調(diào)試和測試套件，由硬件和軟件的組成。據(jù)說該套件是業(yè)界首個功能最齊全的DDR3測試工具，包含業(yè)界最快的（2.0-Gtransfer/s）全通道16962A邏輯分析模塊，用于DDR3 BGA和DIMM器件的探針，以及一個DDR3兼容性和高性能軟件環(huán)境。       該套件具有2GHz觸發(fā)序列速度，邏輯模塊
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傳英特爾AMD將向DDR3內(nèi)存過渡推遲到2010年

  • 　　據(jù)臺灣地區(qū)的主板廠商稱，雖然英特爾和AMD原來預(yù)計其所有產(chǎn)品都要在2009年全面向DDR3內(nèi)存過渡，但是，這兩家廠商現(xiàn)在要推遲僅支持DDR3內(nèi)存的芯片組。DDR3這代內(nèi)存預(yù)計要在2010年之后才能廣泛應(yīng)用。 　　由于DDR3內(nèi)存價格的下降沒有英特爾預(yù)期的那樣快，同時英特爾Corei7CPU和X58芯片組還沒有達到預(yù)期，英特爾決定將僅支持DDR3內(nèi)存的5系列芯片組推遲到今年9月。 　　同時，AMD仍在努力解決技術(shù)難題，以便實現(xiàn)建在基于AM3的處理器中的DDR3控制器的穩(wěn)定性和兼容性。因此，AMD在它
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安森美半導(dǎo)體為DDR3存儲器模塊應(yīng)用推出集成EEPROM的溫度傳感器

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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DDR3：千呼萬喚始出來 尤抱琵琶半遮面

  • 內(nèi)存是PC機重要的部件之一，一般而言，每代內(nèi)存規(guī)格的生命周期為3-5年，如今DDR2規(guī)格在經(jīng)歷了4年左右的發(fā)展后，已經(jīng)進入了其生命的最后歷程。 　　隨著電腦技術(shù)以及應(yīng)用軟件的不斷進步，在各種應(yīng)用當(dāng)中， DDR2內(nèi)存無論在性能還是功耗上對現(xiàn)今以及未來的需求都顯的有些捉襟見肘。作為IT行業(yè)的領(lǐng)跑者，在Intel現(xiàn)階段以及今后的發(fā)展藍圖中，我們可以看見DDR3內(nèi)存正逐漸取代DDR2。 　　作為即將取代DDR2規(guī)格內(nèi)存的DDR3，相比DDR2頻率上限更高且電壓更低，這些改進能為我們帶來什么好處呢？
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在DDR3 SDRAM存儲器接口中使用調(diào)平技術(shù)

  • 　　引言 　　DDR3 SDRAM存儲器體系結(jié)構(gòu)提高了帶寬，總線速率達到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz)，它采用1.5V工作，降低了功耗，90-nm工藝密度提高到2 Gbits。這一體系結(jié)構(gòu)的確速率更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但是怎樣才能實現(xiàn)DDR3 SDRAM DIMM和FPGA的接口呢?調(diào)平技術(shù)是關(guān)鍵。如果FPGA I/O結(jié)構(gòu)中沒有直接內(nèi)置調(diào)平功能，和DDR3 SDRAM DIMM的接口會非常復(fù)雜，成本也高，需要采用大量的外部元件。那么，什么是調(diào)平技術(shù)，這一技
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DRAM過剩為DDR3內(nèi)存加速普及帶來良機

  • 　　據(jù)國外媒體報道，人們現(xiàn)在可以歡呼DRAM內(nèi)存芯片的供過于求，雖然它影響了一些公司和它們的庫存產(chǎn)品價格。從積極的角度看，較低的內(nèi)存價格正在刺激電腦制造商在新機器上安裝更多DRAM芯片，同時將促使DRAM制造商加快推出速度更快和更先進的第三代內(nèi)存芯片。 　　全球最大DRAM制造商三星電子公司相信，內(nèi)存價格下跌將加快業(yè)界采用更大字節(jié)容量DRAM芯片的步伐，其速度將大大超過以往。就在三個月前，三星公司曾表示，由于價格疲弱，電腦標配內(nèi)存已從512M變成了1G。 　　目前，主流DRAM芯片為1G字
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ddr3介紹

目錄概述 設(shè)計 發(fā)展 DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進 概述 　　針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下： 　　(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。 　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細 ]

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