ddr3 文章 最新資訊
8月上半月1Gb DDR3芯片價格上漲11.9%

- 據(jù)DRAMeXchange分析,由于受到新上市的超薄筆記本和內(nèi)存市場供不應(yīng)求態(tài)勢的影響,8月上半月1Gb DDR3芯片的平均交易價已繼續(xù)上揚至1.5美元,比上月提升11.9%。自今年6月下半月開始,DDR3內(nèi)存芯片的交易價格就開始上揚。 現(xiàn)貨市場方面,1Gb DDR3內(nèi)存芯片臺灣當(dāng)?shù)貢r間8月10日早11:00的價格是2.16美元.另外,1Gb DDR2內(nèi)存芯片的價格也達到了1.45美元的水平。 DRAMeXchange七月份曾預(yù)計內(nèi)存業(yè)者將加速向DDR3內(nèi)存轉(zhuǎn)換的進程。韓國的三星和
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分析師擔(dān)心:臺灣存儲業(yè)能否籌足資金實現(xiàn)復(fù)蘇
- 據(jù)金融時報報道,盡管有跡象表明,臺灣的DRAM存儲芯片產(chǎn)業(yè)可能擺脫為期三年的低迷,但分析師和高管仍然認為,臺灣可能無法充分利用改善中的市場前景。分析師普遍擔(dān)心臺灣DRAM存儲芯片公司是否能籌足現(xiàn)金,為工廠引進50納米技術(shù)。 DRAM芯片是每臺計算機不可缺少的部分,但該產(chǎn)業(yè)的過度擴張導(dǎo)致產(chǎn)品價格大幅下跌,過去三年累計虧損150億美元。 而經(jīng)濟危機更加深了該行業(yè)的困境,唯一的歐洲領(lǐng)先DRAM存儲芯片廠商德國奇夢達今年破產(chǎn)。 臺灣南亞科技,——世界排名第五,上周稱公
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第三季全球電子元器件價格上漲 市場短暫回溫
- 8月5日消息,據(jù)市場調(diào)研公司iSuppli日前發(fā)布的報告顯示,由于產(chǎn)品短缺,以及內(nèi)存芯片市場價格上漲,預(yù)計在今年第三季度中,全球電子元器件的定價將比第二季度增長2.3%。 據(jù)國外媒體報道,iSuppli公司表示,在2008年第四季度中,全球電子元器件的價格就下降了8.4%;在今年第一季度中,價格繼續(xù)下降了9.2%;甚至在接下來的第二季度中仍然下降了5%。不過,預(yù)計在第三季度中,電子元器件市場的價格將經(jīng)歷一段較短的增長期。事實上,大多數(shù)元器件的價格在第三季度都可能下跌,但是其平均價格將被DRAM芯
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爾必達的DDR3 DRAM產(chǎn)量將提高一倍以上
- 日本爾必達存儲公司稱,計劃下月將把用于高速計算機和服務(wù)器的高級DRAM 芯片產(chǎn)量提高一倍多。此消息一出,周一該公司股價被推高。 爾必達表示,從9月開始,將把DDR3芯片的產(chǎn)量從現(xiàn)在的月產(chǎn)20000-30000片提高到每月75000片。 DDR3 芯片的現(xiàn)貨價格大約在2.10美元,比5月時的價格上漲了約30%,這促使爾必達及其競爭對手三星電子有限公司和海力士半導(dǎo)體公司將重心更多地轉(zhuǎn)移到這種新型芯片上。今年第二季度期間,韓國包括三星電子和海力士在內(nèi)的芯片企業(yè)在全球半導(dǎo)體市場上占有的份額超過60
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美光推出增加服務(wù)器內(nèi)存容量和提升性能的新方法
- 美光科技股份有限公司近日宣布生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)首個DDR3低負載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM),并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務(wù)器內(nèi)存總線上的負載,美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內(nèi)存容量。 新的LRDIMM將采用美光先進的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內(nèi)存芯片制造。由于芯片的高密度和業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的小尺寸,使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務(wù)器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產(chǎn)品目前正在進行客戶認證,將很快進行大量生產(chǎn)。 如今多數(shù)中端企
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華亞科完成百億元募資 加速轉(zhuǎn)進50納米制程
- DRAM大廠華亞科日前辦理的海外存托憑證案(GDR)原本價格訂為新臺幣14.5元,預(yù)期募集資金116億元,然近期股價受惠DRAM產(chǎn)業(yè)回春和DRAM價格反彈,因此一路上漲,最后完成定價,訂為每股約16.02元,與日前收盤價相較,則是折價約10%,預(yù)計可募得102.5億元資金,加速華亞科下半年將12寸晶圓廠到入50納米制程。 科技大廠法說會起跑,2009年DRAM產(chǎn)業(yè)由華亞科和南亞科打頭陣舉辦,將于本周登場,也是華亞科已公布第2季的營運數(shù)字,虧損縮小至41億元,南亞科估計虧損也將較第1季大幅減少,約
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南亞科成臺灣首家獲營運資金DRAM廠
- 南亞科努力進行營運轉(zhuǎn)型,如期在6月底之前達成減資和增資的動作。日前辦理10億股的私募,正式以每股私募價格新臺幣12.22元的定價,取得122.2億元的資金,認購人包括南亞塑料、臺灣化學(xué)纖維、臺灣塑料、臺塑石化、麥寮汽電和長庚醫(yī)療財團法人,全數(shù)由母公司相關(guān)企業(yè)力挺到底,成為臺灣第1家獲得營運資金的DRAM廠,南亞科表示,三廠(Fab3)要盡快轉(zhuǎn)入50奈米的堆疊式技術(shù)制程,降低成本結(jié)構(gòu)。 臺塑集團對外宣示不加入TMC以來,以實際行動力挺自家DRAM廠進行營運體質(zhì)強化運動,并挹注新的營運資金,使得旗下
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韓國海力士在無錫成功“擴容” 規(guī)模國內(nèi)最大
- 繼韓國海力士十二英寸封裝測試項目落戶無錫,其在無錫的銷售中心日前也正式簽約。海力士無錫工廠新任董事權(quán)五哲日前透露,十二英寸后工序項目明年初將建設(shè)完畢,屆時,該集團將真正實現(xiàn)在無錫的一體化生產(chǎn),成為中國最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。 海力士半導(dǎo)體是世界第二大DRAM制造商,也在全球半導(dǎo)體公司中名列前茅。無錫工廠是其在海外唯一的生產(chǎn)基地,承擔(dān)了韓國總部百分之五十的DRAM生產(chǎn)量,占全世界DRAM市場的百分之十。 權(quán)五哲稱,金融危機下,國際內(nèi)存需求量逆勢上升,該公司目前內(nèi)存價格較年初已上漲二倍。明年實現(xiàn)
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三星開始DDR3存儲器量產(chǎn)
- 為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問題,三星電子準備開始50納米的DDR3量產(chǎn)。 DDR3是第3代的同步雙速率存儲器。三星及業(yè)界都相信今年底將成為全球存儲器的主流技術(shù)。但也有些分析師,包括Needham的Edwin Mok認為DDR3今年可能不會有實質(zhì)性的太多進展。 三星表示DDR3能使設(shè)計servers的OEM與DDR2相比較,每個系統(tǒng)提升到192Gb,并在功能提高一倍時功耗降低60%(速度提高到每秒133Mb時)。 未來Xeon 5500處理器結(jié)合DD
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傳英特爾AMD將向DDR3內(nèi)存過渡推遲到2010年
- 據(jù)臺灣地區(qū)的主板廠商稱,雖然英特爾和AMD原來預(yù)計其所有產(chǎn)品都要在2009年全面向DDR3內(nèi)存過渡,但是,這兩家廠商現(xiàn)在要推遲僅支持DDR3內(nèi)存的芯片組。DDR3這代內(nèi)存預(yù)計要在2010年之后才能廣泛應(yīng)用。 由于DDR3內(nèi)存價格的下降沒有英特爾預(yù)期的那樣快,同時英特爾Corei7CPU和X58芯片組還沒有達到預(yù)期,英特爾決定將僅支持DDR3內(nèi)存的5系列芯片組推遲到今年9月。 同時,AMD仍在努力解決技術(shù)難題,以便實現(xiàn)建在基于AM3的處理器中的DDR3控制器的穩(wěn)定性和兼容性。因此,AMD在它
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安森美半導(dǎo)體為DDR3存儲器模塊應(yīng)用推出集成EEPROM的溫度傳感器
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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ddr3介紹
目錄概述
設(shè)計
發(fā)展
DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進
概述
針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上,和DDR2相比優(yōu)勢如下:
(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn),在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量,使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。
(2)工作頻率更高:由于能耗降低,DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率,在一定程度 [ 查看詳細 ]
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