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爾必達蠶食臺12寸廠DRAM產(chǎn)能

  • 　　日系DRAM大廠爾必達(Elpida)社長坂本幸雄再度訪臺，8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長陳民良聯(lián)合召開記者會，說明雙方合作代工細節(jié)。由于坂本幸雄過去慣常與力晶合作亮相，這次換成茂德，變化過程頗耐人尋味，爾必達2009年以來除拉攏茂德合作DDR3代工，亦與華邦電展開繪圖存儲器(GDDR)代工合作，日廠在臺灣存儲器領(lǐng)域勢力越來越龐大，不論臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)未來怎么走，爾必達可說是這場臺美日DRAM廠整并下的大贏家。 　　爾必達經(jīng)過2008年DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤襲擊，2009年元氣逐漸恢復后，
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基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設計

  • 　1 引言　　DDR3 SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）制定的全新下一代內(nèi)存技術(shù)標準，具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信號質(zhì)量更好等優(yōu)點，對于解決高速系統(tǒng)(例如某些高速圖 像處理系統(tǒng))設計中由于存儲
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iSuppli：DDR3將成DRAM市場主流，市占一半以上

  • 　　根據(jù)市場研究機構(gòu)iSuppli的最新預測，DDR3(Double Data Rate 3)標準型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場出貨占比可望突破50%。 　　據(jù)國外媒體報道，以單位出貨量計算，DDR3明年第2季的市占率將達50.9%，較今年第2季的14.2%大幅竄升。 　　iSuppli另預估，至2010年底，DDR3出貨市占率將達到71%。 　　iSuppli分析師Mike Howard于報告中寫道，DDR3的速度比DDR2快50%，耗電量則低30%。他強調(diào)：&ldquo
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iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場主流

  • 　　根據(jù)市場研究機構(gòu) iSuppli 的最新預測，DDR3 (Double Data Rate 3) 標準型內(nèi)存將在 2010 年第 2 季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球 DRAM 市場出貨占比可望突破 50%。 　　以單位出貨量計算，DDR3 明年第 2 季的市占率將達 50.9%，較今年第 2 季的 14.2% 大幅竄升。 　　iSuppli 另預估，至 2010 年底， DDR3 出貨市占率將達到 71%。 　　iSuppli 分析師霍華 (Mike Howard) 于報告中寫道，DDR3 的速度比 DD
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DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過技術(shù)門檻

  • 　　市場研究機構(gòu)DIGITIMES Research指出，2007年以來，全球DRAM廠商在過度樂觀的預期下，相繼投入產(chǎn)能擴充競賽，這也使得DRAM供過于求的陰影揮之不去;自此，DRAM價格持續(xù)下挫，過去八季中，除龍頭廠商三星電子外，多數(shù)DRAM廠商也都難逃嚴重虧損的命運。 　　其中，德國DRAM制造商奇夢達更因不堪虧損，于2009年第一季宣布破產(chǎn)，自此退出DRAM市場。正因如此，新一代DRAM規(guī)格DDR3的推出，被視為全球DRAM產(chǎn)業(yè)再起的重要關(guān)鍵。 　　DIGITIMES Research指出，事
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DDR內(nèi)存合約價格大漲 南科華亞科受惠

  • 　　據(jù)臺灣媒體報道，11月上旬動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)合約價出爐，DDR2 1Gb與DDR3 1Gb顆粒合約均價皆大漲超過15%，DDR2 2Gb合約均價漲幅也達13.9%，預估11月下旬DDR2合約價可望持續(xù)攀高，以合約市場為主的南科、華亞科預估受惠較大。 　　集邦科技昨最新報價，11月上旬DDR2 1Gb顆粒合約均價達2.38美元，比10月下旬大漲15.53%;DDR3 1Gb顆粒合約均價達2.25美元，大漲15.98%。 　　另DDR2 2Gb合約均價從36美元上漲到41美元，漲幅達13.9
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DRAM合約價大漲，今年沒淡季

  • 　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)沒有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合約價持續(xù)大漲近20%，2GB DDR2模塊甚至一度飆到50美元天價，足見PC OEM廠拉貨力道沒有休息跡象，DRAM廠為確保DDR2和DDR3買氣同步增溫，趁機向下游廠祭出搭售方式。DRAM廠認為，隨著PC OEM廠第4季大量轉(zhuǎn)進DDR3平臺，未來DDR3現(xiàn)貨及合約價將同步凌駕DDR2，而現(xiàn)貨市場DDR3報價亦展開攻勢，一舉站上3美元大關(guān)。 　　DRAM價格11月上旬漲幅超乎預期，2GB DDR2模塊漲勢尤其猛烈，大漲19~21%，平均價
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爾必達和茂德簽署DRAM代工協(xié)議

  • 　　茂德(ProMos)已和爾必達(Elpida)簽署DRAM代工合約，爾必達將提供先進的制程技術(shù)與產(chǎn)品技術(shù)給茂德，茂德將以中科12寸晶圓廠提供爾必達DRAM代工服務。 　　茂德表示，代工服務以爾必達最先進的1G DDR3產(chǎn)品為主，預計2010年上半完成試產(chǎn)，2010年下半大量生產(chǎn)。此外，爾必達發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月將使用多達3.5萬片12寸晶圓為爾必達制造芯片，同時，采用65奈米制程技術(shù)。 　　茂德董事長暨總經(jīng)理陳民良表示，爾必達在全球DRAM產(chǎn)業(yè)中以尖端制程技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)
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集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收季增率高達40.7％

  • 　　根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計算機系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價也在合約價的帶動下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價格大漲，亦帶動DDR2合約價格的漲勢，且在第三季國際DRAM大廠轉(zhuǎn)進DDR3相當積極，導致DDR2出貨量減少效應持續(xù)發(fā)酵，部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫存水位，使得本季DDR2合約價漲幅高達31%、現(xiàn)貨價格漲幅亦高達30%，漲幅與DDR3不惶多讓。 　　第三季各DRAM廠商營收在DDR3合約價
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金士頓：看好明年NAND Flash市場前景

  • 　　遠東金士頓(Kingston)董事長蔡篤恭指出，目前PC OEM廠對于DDR2和DDR3貨源都很缺，產(chǎn)業(yè)鏈庫存水位不高，預計到2009年底前都沒有淡季，展望2010年存儲器產(chǎn)業(yè)，NAND Flash市場受惠終端應用多元化發(fā)展，包括手機應用起飛和固態(tài)硬碟(SSD)應用浮出水面，加上NAND Flash端的供應商有限，預計NAND Flash產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)可優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，而DRAM產(chǎn)業(yè)供不應求偏向是短期產(chǎn)能不足，DRAM價格在2.5美元上下是健康的水位，對PC廠、DRAM廠雙方是可接受的價位。 　　蔡篤恭
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海力士半導體預期第四季DRAM價格上揚 明年市場趨緊

  • 　　韓國海力士半導體預估，動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)晶片市場將在第四季維持強勁，并指出合約價格可能在11月進一步揚升，12月時趨穩(wěn)。 　　海力士公司主管在投資人電話會議中稱，由于產(chǎn)業(yè)供應增長有限，2010年料出現(xiàn)DRAM短缺。 　　他們表示，低耗能的高速DDR3晶片將在明年第一季成為DRAM市場的主流。
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南亞科、華亞科沖刺50納米　明年資本支出逾600億新臺幣

  • 　　臺塑集團旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準備沖刺先進制程，其中，南亞科10月中已全數(shù)轉(zhuǎn)換至 68納米制程，首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功，目標2010年第2季全數(shù)轉(zhuǎn)至50納米制程，屆時將全數(shù)出貨2Gb DDR3芯片，趕搭DDR3主流列車;華亞科則預計2010年第1季50納米制程量產(chǎn)，2010年底旗下13萬片12寸晶圓廠產(chǎn)能全轉(zhuǎn)至50納米制程，南亞科和華亞科2010年資本支出合計將達640億元，主要用于50納米制程。 　　南亞科和華亞科第3季營運表現(xiàn)明顯好轉(zhuǎn)，對于先
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南亞科2010年DRAM產(chǎn)業(yè)可望回到1995年榮景

  • 　　隨著DRAM價格開始反彈，南亞科和華亞科財報虧損金額大幅減少，南亞科發(fā)言人白培霖指出，11月DRAM合約價可持續(xù)成長，更看好PC市場因為Vista因素，累計整整3年未換機的能量，加上近2年DRAM產(chǎn)業(yè)都沒有新產(chǎn)能開出，將在2010年出現(xiàn)供不應求的情況，甚至重演1995年DRAM產(chǎn)業(yè)的黃金年代，當時1年的DRAM產(chǎn)值超過400億美元，達到史上最高紀錄。 　　白培霖指出，2009年DRAM合約價從8月開始，每個月以成長20%的速度往上調(diào)，11月DRAM合約價可持續(xù)成長近2個月DDR3幾乎是持平，主要漲幅
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海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　據(jù)報道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內(nèi)存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會在本月開始投入量產(chǎn)。 　　此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號稱是目前主流1Gb DDR3市場上性能最高的內(nèi)存芯片。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計，1Gb DDR3內(nèi)存芯片的市場份額已經(jīng)達到了87%，更高密度的內(nèi)存芯片將在2011年成為市場上的主流。 　　根據(jù)海力士的介紹，數(shù)據(jù)中心、服務器、超級計算機或
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留給DDR2芯片的“蜜月期”只剩6個月

  • 　　據(jù)摩根斯坦利公司的分析師Frank Wang稱，DDR2芯片的價格未來將繼續(xù)上漲，并很有可能會超過DDR3芯片的售價，不過漲價期應該不會超過6個月，而DDR3芯片則將在這段時間內(nèi)漸成市場主流。據(jù)Wang分析，驅(qū)動最近DDR2芯片價格上漲的主要因素是各大內(nèi)存芯片廠商紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)而投放到DDR3芯片的生產(chǎn)上。三星，海力士，爾必達以及鎂光幾家大廠均在積極抬高DDR3芯片的產(chǎn)能，同時壓低DDR2芯片的產(chǎn)能。 　　盡管如此，如果中國大陸國慶節(jié)期間DDR2芯片的市場需求不如預期的強勢，那么DDR2芯片的價格仍有
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ddr3介紹

目錄概述 設計 發(fā)展 DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進 概述 　　針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下： 　　(1)功耗和發(fā)熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。 　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細 ]

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