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爾必達擬在臺發(fā)行TDR　籌措新臺幣43.2億元

  • 　　彭博信息(Bloomberg)報導(dǎo)指出，全球第3大DRAM業(yè)者爾必達(Elpida)計劃來臺發(fā)行臺灣存托憑證(TDR)，募資約123億日圓(約新臺幣43.2億元)，作為次世代DRAM制程所需的研發(fā)資金之用，而爾必達亦將成為首家來臺發(fā)行TDR的日本業(yè)者。 　　據(jù)悉，爾必達擬發(fā)行2億單位的TDR;2月18日將敲定確切的發(fā)行價格。 　　另據(jù)路透(Reuters)報導(dǎo)，在發(fā)行TDR的同時，爾必達亦計劃增發(fā)1,000萬股新股，新股發(fā)行后，爾必達的股數(shù)將增為2.16億股左右。 　　報導(dǎo)提到，爾必達透過發(fā)行T
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爾必達2010年第四季度大虧3.6億美元

  • 　　存儲器大廠爾必達(Elpida)公布2010會計年度第3季財報(2010年10~12月)，受存儲器價格大跌拖累，爾必達第3季大虧296億日圓(約3.6億美元)。 　　2010 會計年度第3季爾必達營收為970.7億日圓，較前1年同期的1,510.1億日圓大幅萎縮36%，第3季凈損為296億日圓，較前1年同期凈賺 210.5億日圓大幅惡化。此外，爾必達第3季的虧損較路透(Reuters)調(diào)查、分析師預(yù)估的凈損161.7億日圓還大。 　　爾必達虧損龐大的主因為DRAM價格崩盤，受個人計算機(PC)需求
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報道稱Elpida將在臺灣建研發(fā)中心

  • 　　報道稱Elpida計劃投資30億新臺幣(約合9550萬美元)在臺灣設(shè)立研發(fā)中心。 　　報道引述政府官員的話稱Elpida已經(jīng)向臺灣“經(jīng)濟部”申請了財政補助來建立該中心。 　　Elpida已向Powerchip、ProMOS和Winbond許可了其DRAM工藝技術(shù)，已換取臺灣合作伙伴的產(chǎn)能。
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Elpida 和Spansion開始合作生產(chǎn)電荷俘獲型NAND閃存

  • 　　Elpida和Spansion發(fā)明一種電荷俘獲型閃存，為1.8V SLC(單層單元)4Gb NAND閃存存儲器。它是基于Spansion的MirrorBit電荷俘獲型技術(shù)在Elpida的廣島廠進行量產(chǎn)。 　　按公司的說法，與通常的浮柵NAND閃存相比，電荷俘獲型NAND在更簡單的單元結(jié)構(gòu)下可以作到尺寸更小，同時功能更強，讀出速度更快及可編程速度更快。 　　Elpida計劃把NAND閃存與移動RAM結(jié)合一起銷售移動消費類產(chǎn)品。除此之外，Spansion正開發(fā)用于嵌入式及選擇無線市場的NAND，以及繼
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爾必達財報亮眼　7月Mobile RAM導(dǎo)入40納米

  • 　　日系存儲器大廠爾必達 (Elpida)29日公布2010年第1季(會計年度4-6月)財報，單季營收為1,763億日圓(約20.28億美元)，較上一季增加28%，較 2009年同期增加103%，單季毛利率為35%，凈利為307億日圓(約3.52億美元)，較上一季小幅下跌，但較2009年同期大幅增加75%。 　　爾必達第1季位元成長率(Bit Growth)為8%，預(yù)計第2季目標(biāo)可達5~10%，全年的位元成長率維持45%目標(biāo)不變，2010年資本支出為1,150億日圓。 　　爾必達2010年積極搶占Mo
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Immersion機臺缺貨　臺DRAM廠改采購舊機種應(yīng)急

  • 　　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走入50奈米制程后，浸潤式曝光機臺(Immersion Scanner)出現(xiàn)大缺貨，尤其是最新款的NXT:1950i機種上，交期幾乎拉到快12個月，使得2010年才下訂單的臺系DRAM廠苦等多時;存儲器業(yè)者透露，爾必達(Elpida)陣營開始轉(zhuǎn)向采購舊機種XT:1950i應(yīng)急。然美光(Micron)陣營則認(rèn)為，舊機種頂多用到40奈米制程就是極限，不像新機種NXT:1950i可以一路做到30奈米。 　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在進入50奈米以下制程，都必須開始用Immersion Scanner，此機
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DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順　新產(chǎn)能變數(shù)多

  • 　　近期DRAM市場供需雜音多，由于終端需求前景不明，7月合約價不見起色，仍持續(xù)往下修正，加上隨著40和50納米制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)能增加，進而壓抑價格走勢，然值得注意的是，目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉(zhuǎn)換不順消息頻傳，新產(chǎn)能是否能如期出籠仍存變量，因此，第3季DRAM價格還有多少修正空間，目前仍處于混沌狀態(tài)。 　　DRAM業(yè)者表示，自從PC大廠祭出降低DRAM搭載率策略后，原本供給吃緊的DRAM市場頓時松動，原本搭配4GB模塊被砍到僅搭配2GB，等于少掉50%的DRAM產(chǎn)能消耗量，加上歐洲債信問題
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聯(lián)電、爾必達第2階段合作朝交叉持股進行

  • 　　邏輯和DRAM技術(shù)跨產(chǎn)業(yè)合作大戲正式登場，聯(lián)電、爾必達(Elpida)攜手開發(fā)TSV技術(shù)的簽約儀式將于21日召開記者會對外宣布;值得注意的是，業(yè)界透露，雙方技術(shù)合作僅是第1階段，未來第2階段考慮以交叉持股的方式，讓雙方的合作關(guān)系更為緊密，因此聯(lián)電為引進策略聯(lián)盟伙伴而辦理的私募案，爾必達將是口袋人選之一。 　　聯(lián)電、爾必達和力成將于今日針對TSV技術(shù)舉行簽約儀式，這是近年來邏輯和存儲器技術(shù)領(lǐng)域罕見的跨產(chǎn)業(yè)大合作，爾必達(Elpida)社長坂本幸雄過去是聯(lián)日半導(dǎo)體(UMCj)的總經(jīng)理，因此爾必達與聯(lián)電雙
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聯(lián)電、爾必達、力成宣布聯(lián)手開發(fā)TSV 3D IC技術(shù)

  • 　　隨著半導(dǎo)體微縮制程演進，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3D IC時代來臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開記者會對外宣布共同開發(fā)矽穿孔(TSV) 3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以邏輯IC堆疊的前段晶圓制程為主，爾必達則仍專注于存儲器領(lǐng)域，而力成則提供上述2家公司所需的封測服務(wù)，成為前后段廠商在 TSV 3D IC聯(lián)手合作的首宗案例。 　　爾必達、力成和聯(lián)電將于21日在聯(lián)電聯(lián)合大樓舉行技術(shù)合作協(xié)議簽訂記者會。據(jù)了解，3家公司的董事長、執(zhí)行長和技術(shù)長
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爾必達中國大陸設(shè)廠將引發(fā)新一輪DRAM戰(zhàn)火

  • 　　繼三星電子(Samsung Electronics)宣布巨額資本支出計畫后，爾必達(Elpida)社長坂本幸雄亦表示，最快將在2012年前與臺系DRAM廠到大陸設(shè)新廠房，并將邀請大陸政府官方入股。業(yè)界推測爾必達落腳之處有兩個選項，其一是茂德的重慶渝德廠旁空地，其二是2008年爾必達與蘇州創(chuàng)投原本要合建12寸晶圓廠和發(fā)用地，坂本幸雄所指合作的臺系DRAM廠，茂德雀屏中選機率相當(dāng)高。不過，茂德對此表示不方便評論。 　　DRAM產(chǎn)業(yè)好不容易走出崩盤的跌價陰霾，但各廠才開始賺錢，再度展現(xiàn)積極投入擴產(chǎn)的豪情壯
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投資高潮下有隱患

  • 　　SEMI于6月1日公布全球半導(dǎo)體投資的報告，之前曾預(yù)測2010年增長60%，而如今已修正為增長117%，從2009年的163億美元，到2010年的355億美元(把分立器件的投資計在內(nèi))，如扣除分立器件為335億美元，增長115.7%。 　　誰在積極擴充產(chǎn)能 　　去年全球半導(dǎo)體業(yè)處于減投資時期，今年產(chǎn)業(yè)受需求增長及價格上升的雙重夾攻的影響，許多公司宣布積極的擴張策略，所以在2010年投資中有部分仍是為技術(shù)升級，但也有許多為了擴充產(chǎn)能。 　　如果依類別看，全球代工與2009年相比，其2010年安裝產(chǎn)
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爾必達獲利持續(xù)成長　今年資本支出增加163%

  • 　　日系存儲器大廠爾必達(Elpida)和子公司瑞晶12日同步公布2010年1~3月財報，爾必達單季營收為1,475億日圓，毛利率36.8%，營運獲利持續(xù)成長，達337億日圓;爾必達表示，2010年資本支出將達1,150億日圓，較2009年增加163%，2010年位元成長率將達45%;瑞晶首季營收則是新臺幣121.58億元，稅后獲利40.81億元，換算每股稅后1.39元。 　　爾必達受惠DRAM價格上揚，12日公布2009年財報(會計年度為2009年4月1日~2010年3月31日)的獲利持續(xù)成長，而20
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茂德出售竹科12寸廠　爾必達旺宏受益

  • 　　茂德以新臺幣85億元價格將茂德位于竹科12寸晶圓廠Fab-2(未來將成為旺宏的Fab-3)出售予旺宏電子。茂德售廠所獲得新臺幣85億元資金中，估計約有25億~30億元將用于償還銀行債務(wù)，減輕償債壓力。由于茂德另一12寸廠位于中科的Fab-3制程僅為75nm，欠缺競爭力，因此茂德售廠后獲得資金將可提升其Fab-3，并于2010年第4季增加產(chǎn)出。 　　因茂德替爾必達(Elpida)代工，故在 DRAM市場爭奪戰(zhàn)中，爾比達將是主要受益者;另一方面，旺宏在ROM及NOR Flash產(chǎn)品市場近一年來，因NOR
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爾必達CEO看好DRAM市場 重申6億美元的年度資本開支預(yù)算

  • 　　爾必達(Elpida Memory Inc.)總裁兼首席執(zhí)行長阪本幸雄(Yukio Sakamoto)上周五表示，目前個人電腦市場的內(nèi)存芯片需求十分強勁，而今年的全球供應(yīng)有可能低于需求。 　　阪本幸雄在臺灣舉行的新聞發(fā)布會上對記者表示，今年動態(tài)隨機存儲器(DRAM)芯片的全球產(chǎn)能可能增長30%-40%，但需求增幅有可能高達50%-60%。 　　爾必達與臺灣茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)上周五還共同宣布，雙方將擴大合作，生產(chǎn)用于數(shù)字消費電子產(chǎn)品和移動設(shè)備的DRAM芯片。
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爾必達釋配貨權(quán)力晶獲瑞晶產(chǎn)能　然DRAM現(xiàn)貨供應(yīng)恐減少

  • 　　盡管爾必達(Elpida)與力晶之間買回瑞晶股權(quán)爭議還未達成協(xié)議，但在DRAM產(chǎn)能分配上已先獲得共識，力晶已超過1年未向瑞晶拿貨，近期與爾必達協(xié)商成功，4月起重獲瑞晶產(chǎn)能分配權(quán)，未來每月將多出2.4萬片產(chǎn)能挹注，爾必達則要求力晶12寸廠代工比重要提升50%，且力晶自瑞晶所取得配貨權(quán)，多數(shù)要再回銷給爾必達來供應(yīng)PC客戶，未來該陣營釋放至現(xiàn)貨市場DRAM貨源，恐將進一步短缺。 　　爾必達與力晶分別對瑞晶持股 64%和34%，目前瑞晶12寸晶圓廠產(chǎn)能8萬片，2大股東可按照持股比例，獲得同等的瑞晶產(chǎn)能分配，
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