聯(lián)電、爾必達第2階段合作朝交叉持股進行

　　邏輯和DRAM技術(shù)跨產(chǎn)業(yè)合作大戲正式登場，聯(lián)電、爾必達(Elpida)攜手開發(fā)TSV技術(shù)的簽約儀式將于21日召開記者會對外宣布;值得注意的是，業(yè)界透露，雙方技術(shù)合作僅是第1階段，未來第2階段考慮以交叉持股的方式，讓雙方的合作關(guān)系更為緊密，因此聯(lián)電為引進策略聯(lián)盟伙伴而辦理的私募案，爾必達將是口袋人選之一。

　　聯(lián)電、爾必達和力成將于今日針對TSV技術(shù)舉行簽約儀式，這是近年來邏輯和存儲器技術(shù)領(lǐng)域罕見的跨產(chǎn)業(yè)大合作，爾必達(Elpida)社長坂本幸雄過去是聯(lián)日半導(dǎo)體(UMCj)的總經(jīng)理，因此爾必達與聯(lián)電雙方一向關(guān)系良好，而力成大股東金士頓更是爾必達的股東和關(guān)系緊密的合作伙伴，這次3大廠聯(lián)手宣布跨界大合作，并不令人意外。

　　半導(dǎo)體業(yè)者分析，由英特爾創(chuàng)辦人之一的高登摩爾 (Gorden Moore)在 1965年所提出的「摩爾定律」，在近40多年來一直被半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)視為最高法則，但當(dāng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制程發(fā)展至20奈米制程技術(shù)以下時，摩爾定律 (Moore's Law)的法則恐可失去其效用，取而代之的是矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技術(shù)的崛起。

　　半導(dǎo)體業(yè)者進一步分析，存儲器業(yè)者和邏輯制程業(yè)者其實都看到摩爾定律的極限，業(yè)界甚至有「摩爾已死」的聲浪出現(xiàn)，因此各業(yè)者都積極尋找取代方案，TSV 3D IC技術(shù)被視為下個明日之星。

　　其中，爾必達在TSV 3D IC技術(shù)上投入研發(fā)已久，2009年甚至做出停止相位變化隨機存取存儲器 (PRAM)的決定，而將公司的研發(fā)資源都轉(zhuǎn)進TSV 3D IC技術(shù)，爾必達在TSV 3D IC技術(shù)上的成果引來聯(lián)電的興趣，進一步促成今日雙方的技術(shù)合作開發(fā)。

　　值得注意的是，相關(guān)業(yè)者透露，聯(lián)電與爾必達雙方針對技術(shù)合作開發(fā)簽署協(xié)議，只是雙方合作的第一階段，為了讓TSV 3D IC技術(shù)在邏輯和存儲器領(lǐng)域都只有聯(lián)電和爾必達擁有使用權(quán)，第2階段雙方考慮以交叉持股的方式，讓彼此的技術(shù)合作更為緊密。

　　聯(lián)電日前股東會正式通過私募案，表示未來將在適當(dāng)時機時，引進策略聯(lián)盟伙伴入股投資，其策略聯(lián)盟伙伴的對象引發(fā)市場一陣揣測。

　　相關(guān)業(yè)者透露，爾必達是目前聯(lián)電在私募案上的洽談人選之一，但若是爾必達以私募方式入股聯(lián)電，聯(lián)電也將以投資方式與爾必達進行交叉持股，不會僅是單一公司單項投資而已，此舉用意在于宣示雙方未來在合作TSV 3D IC技術(shù)上的決心。

　　再者，隨著聯(lián)電與爾必達的攜手合作，除了雙方共同利用TSV 3D IC技術(shù)突破半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)未來的障礙外，最大受益者之一就是力成，因為力成將是聯(lián)電和爾必達在TSV 3D IC制程技術(shù)產(chǎn)品上的封裝業(yè)務(wù)供應(yīng)者，未來是聯(lián)電和爾必達的最佳后援部隊。