聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布聯(lián)手開(kāi)發(fā)TSV 3D IC技術(shù)

　　隨著半導(dǎo)體微縮制程演進(jìn)，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3D IC時(shí)代來(lái)臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(dá)(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開(kāi)記者會(huì)對(duì)外宣布共同開(kāi)發(fā)矽穿孔(TSV) 3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以邏輯IC堆疊的前段晶圓制程為主，爾必達(dá)則仍專(zhuān)注于存儲(chǔ)器領(lǐng)域，而力成則提供上述2家公司所需的封測(cè)服務(wù)，成為前后段廠商在 TSV 3D IC聯(lián)手合作的首宗案例。

　　爾必達(dá)、力成和聯(lián)電將于21日在聯(lián)電聯(lián)合大樓舉行技術(shù)合作協(xié)議簽訂記者會(huì)。據(jù)了解，3家公司的董事長(zhǎng)、執(zhí)行長(zhǎng)和技術(shù)長(zhǎng)皆會(huì)親自出席，包括爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄、技術(shù)長(zhǎng)五味秀樹(shù)，力成董事長(zhǎng)蔡篤恭、總經(jīng)理廖忠機(jī)和技術(shù)本部總技術(shù)長(zhǎng)巖田隆夫，以及聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉、先進(jìn)開(kāi)發(fā)技術(shù)副總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰等重量級(jí)人物，顯見(jiàn)3家公司對(duì)此次記者會(huì)十分重視。

　　目前TSV 3D IC技術(shù)最主要應(yīng)用仍為CMOS Image Sensor及部分微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)相關(guān)產(chǎn)品的制造。聯(lián)電對(duì)于邏輯IC方面的堆疊也相當(dāng)有興趣，該公司在5月20日30周年慶時(shí)，即由簡(jiǎn)山杰對(duì)外說(shuō)明該公司在特殊技術(shù)的開(kāi)發(fā)成果，其中在TSV 3D IC方面，簡(jiǎn)山杰說(shuō)，其優(yōu)點(diǎn)在于運(yùn)用不同的IC，使元件更小、效能更高。該公司采先鉆孔(Via First)為主要開(kāi)發(fā)方向，提供芯片間更短及更低電阻的導(dǎo)線連接技術(shù)，符合下一世代高效能IC需求。

　　根據(jù)統(tǒng)計(jì)，隨著TSV加工技術(shù)進(jìn)步，與加工成本下滑，采用TSV 3D IC技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量市占比重會(huì)大幅提高，其中DRAM與Flash等存儲(chǔ)器產(chǎn)品更占TSV 3D IC出貨過(guò)半比重，因此三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(dá)等日、韓系存儲(chǔ)器大廠已投入TSV 3D IC技術(shù)研發(fā)。據(jù)了解，爾必達(dá)已于2010年量產(chǎn)。

　　后段廠力成近年來(lái)積極切入3D IC領(lǐng)域，該公司董事長(zhǎng)蔡篤恭日前曾表示，該公司與客戶(應(yīng)指爾必達(dá))已經(jīng)合作開(kāi)發(fā)將近2年的時(shí)間，并已斥資新臺(tái)幣10億~20億元設(shè)置產(chǎn)線。而力成與爾必達(dá)合作關(guān)系密切，隨著爾必達(dá)已經(jīng)量產(chǎn)，力成也將會(huì)配合提供后段的服務(wù)，將以后鉆孔(Via Last)技術(shù)為主。

　　TSV 3D IC電氣特性雖佳，但技術(shù)難度較高，蔡篤恭當(dāng)時(shí)預(yù)估該公司在TSV 3D IC技術(shù)將在2010~2011年進(jìn)入送樣階段，最快2012年量產(chǎn)。