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爾必達(dá)瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功
- 日本爾必達(dá)與臺(tái)灣瑞晶公司近日發(fā)表聯(lián)合聲明稱兩家公司已經(jīng)成功完成了4F2架構(gòu)設(shè)計(jì)1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產(chǎn)，這次試產(chǎn)是由瑞晶的研發(fā)中心主導(dǎo)的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開(kāi)始正式運(yùn)作，他們一直在和爾必達(dá)公司一起研發(fā)4F2 DRAM芯片產(chǎn)品。兩家公司目前已經(jīng)合力成功制造出了基于65nm設(shè)計(jì)準(zhǔn)則的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片產(chǎn)品?！?/li>
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爾必達(dá)推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒
- 最近，內(nèi)存顆粒的工藝進(jìn)步速度非?？?，最先進(jìn)的30nm工藝甚至已經(jīng)超過(guò)了處理器。在功耗與散熱方面也有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。 今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達(dá)也成功開(kāi)發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒，并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀(jì)錄。 據(jù)了解，爾必達(dá)這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率，可以在1.35V低電壓下實(shí)現(xiàn)1600MHz頻率。同時(shí)，其工作電流相比同廠40nm產(chǎn)品工作電流降低15%，待機(jī)電流下降10%。 爾必達(dá)聲稱該內(nèi)存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品
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DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線
- 韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)，1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來(lái)，固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí)，價(jià)格僅 在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。 D
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM DDR3
DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線
- 韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。 據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)，1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來(lái)，固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí)，價(jià)格僅在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。DD
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三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)30nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片
- 今年早些時(shí)候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內(nèi)存芯片的開(kāi)發(fā)工作，而最近他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數(shù)據(jù)傳輸率下，加壓到1.5V之后數(shù)據(jù)傳輸率則可提升至2133MHz，適用于 臺(tái)式機(jī)，筆記本，服務(wù)器，上網(wǎng)本，移動(dòng)設(shè)備的各種應(yīng)用。 三星表示目前他們正在開(kāi)發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，預(yù)計(jì)這款產(chǎn)品今年才會(huì)投入使用。
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DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP加速數(shù)據(jù)處理應(yīng)用
- DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而，和過(guò)去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲(chǔ)器器件...
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茂德成功試產(chǎn)63nm DDR3顆粒
- 臺(tái)灣媒體報(bào)道，茂德今天宣布，他們已在其臺(tái)灣科技園中部的12寸晶圓廠使用爾必達(dá) 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產(chǎn)出了1Gb DDR3內(nèi)存顆粒。首批測(cè)試結(jié)果顯示，顆粒規(guī)格符合業(yè)界規(guī)范，并全面兼容PC、數(shù)碼移動(dòng)電子品應(yīng)用。茂德今年三月份開(kāi)始使用爾必達(dá)的63nm堆疊制程工藝試產(chǎn)DDR3顆粒，計(jì)劃在今年三季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。到年底時(shí)，茂德每月為DDR3芯片生產(chǎn)提供的晶圓產(chǎn)量 將達(dá)到3.5萬(wàn)片。 茂德表示，他們預(yù)計(jì)將在明年下半年開(kāi)始使用爾必達(dá)的45nm工藝進(jìn)行生產(chǎn)，并計(jì)劃在明年年底
- 關(guān)鍵字： 茂德 DDR3 內(nèi)存
Quamtum-SI DDR3仿真解析
- Automated DDR3 Analysis
Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam - 關(guān)鍵字： Quamtum-SI DDR3 仿真
Q1全球DRAM產(chǎn)值續(xù)增 三星穩(wěn)居龍頭
- DRAM價(jià)格走揚(yáng)，帶動(dòng)全球第一季DRAM產(chǎn)值持續(xù)攀高至92.77億美元，較去年第4季再成長(zhǎng)6.9%;其中，南韓三星市占率達(dá)32.3%，穩(wěn)居全球DRAM龍頭寶座。 集邦科技表示，盡管第一季為DRAM產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季，不過(guò)，在電腦系統(tǒng)廠商擔(dān)心下半年恐將缺貨、積極儲(chǔ)備安全庫(kù)存下，帶動(dòng)第 1季DRAM市場(chǎng)需求淡季不淡，價(jià)格也持續(xù)走揚(yáng)。 根據(jù)統(tǒng)計(jì)，第一季DDR3合約季均價(jià)上漲16%，現(xiàn)貨季均價(jià)也上漲14%;DDR2產(chǎn)品方面，第1季合約季均價(jià)上漲5%，現(xiàn)貨季均價(jià)則持平表現(xiàn)。 而在產(chǎn)品價(jià)格走揚(yáng)，加上各
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三星將加大40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)能
- 頂級(jí)內(nèi)存/閃存芯片廠商三星公司近日宣布由于Intel至強(qiáng)5600系列新處理器的出爐，刺激服務(wù)器廠商對(duì)DDR3內(nèi)存的需求量大增，因此公司將增加 40nm制程DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)能。三星表示其40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的耗電量將比60nm制程產(chǎn)品低40%左右，目前其40nm制程 DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的型號(hào)主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種，可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內(nèi)存條。 三星半導(dǎo)體公司的副總裁Jim Elliott表示：“當(dāng)與
- 關(guān)鍵字： 三星 內(nèi)存芯片 40nm DDR3
ddr3介紹
目錄概述
設(shè)計(jì)
發(fā)展
DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn)
概述
針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢(shì)如下：
(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。
(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細(xì) ]
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