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ddr3 文章 最新資訊

第三季度及下半年 DRAM價格預計下挫

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場報告，第三季度DRAM市場將面臨供應嚴重過剩和價格下滑的局面，導致下半年DRAM供應商陷入困境。 　　主流DRAM產(chǎn)品——2Gb DDR3的平均銷售價格預計第三季度將降到1.60美元，比第二季度的2.10美元下降24%。這將是今年的最大降幅，此前在第二季度表現(xiàn)異常堅挺，價格只比第一季度下降5%，如圖4所示。第四季度價格可能進一步下降22%至1.25美元，接近許多生產(chǎn)商的現(xiàn)金成本。一年前的第三季度，價格還保持在4.70美元。
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第3季度DRAM展望

  • 　　第2季DRAM報價下跌幅度相當大，主要是日本311地震后，下游客戶擔心斷鏈危機擴大，因此提前拉貨，但最后發(fā)現(xiàn)PC終端需求低于預期，導致整個第2季記憶體市場都處于消化庫存情況，且一直到第3季庫存水位仍是偏高，因此DRAM市場持續(xù)陷入供過于求情況。
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DDR3仍是主流DRAM技術(shù)

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。 　　
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一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營收環(huán)比降低4%

  • 　　市場調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布的全球一季度DRAM內(nèi)存芯片市場統(tǒng)計報告顯示，DRAM內(nèi)存芯片市場該季度營收83億美元，相比去年第四季度的86億美元下降4%。 　　
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內(nèi)存芯片廠商醞釀漲價

  • 　　據(jù)《蘋果日報》援引匿名消息提供者的說法稱，由于PC OEM廠商正在積極囤積庫存，內(nèi)存芯片廠商南亞公司計劃四月份將其產(chǎn)品的價格提價5%。報道還稱三星公司已經(jīng)知會其客戶稱4月上半月將對旗下內(nèi)存芯片產(chǎn)品漲價5-6%，2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的合約價格有望爬升到2美元以上。 　
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爾必達瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功

  • 　　日本爾必達與臺灣瑞晶公司近日發(fā)表聯(lián)合聲明稱兩家公司已經(jīng)成功完成了4F2架構(gòu)設(shè)計1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產(chǎn)，這次試產(chǎn)是由瑞晶的研發(fā)中心主導的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開始正式運作，他們一直在和爾必達公司一起研發(fā)4F2 DRAM芯片產(chǎn)品。兩家公司目前已經(jīng)合力成功制造出了基于65nm設(shè)計準則的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片產(chǎn)品?！?/li>
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DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應用

  • DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應用,DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點，使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制器
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如何實現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

  • 采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲密度更可高達2Gbits。該架構(gòu)無疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問
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爾必達推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒

  • 　　最近，內(nèi)存顆粒的工藝進步速度非?？欤钕冗M的30nm工藝甚至已經(jīng)超過了處理器。在功耗與散熱方面也有了長足的進步。 　　今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達也成功開發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒，并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀錄。 　　據(jù)了解，爾必達這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率，可以在1.35V低電壓下實現(xiàn)1600MHz頻率。同時，其工作電流相比同廠40nm產(chǎn)品工作電流降低15%，待機電流下降10%。 　　爾必達聲稱該內(nèi)存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品
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三星量產(chǎn)8GB DDR3筆記本電腦內(nèi)存模組

  • 　　三星剛剛公布其量產(chǎn)8GB DDR3筆記本內(nèi)存模組的消息，根據(jù)計劃，三星將為筆記本和移動工作站生產(chǎn)SODIMM接口內(nèi)存模塊，該模塊基于40納米制程，1333MHz頻率，1.5V電壓，比上一代4GB DDR3模組節(jié)電53%，比1.8V DDR2節(jié)電67%。 　　這種模組最早將被提供到戴爾Precision M6500移動工作站上，如將插槽插滿，共可容下32GB內(nèi)存。
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DRAM價15天爆跌10% 恐跌至2美元線

  • 　　韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當緊張。據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅 在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。 　　D
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DRAM價15天爆跌10%　恐跌至2美元線

  • 　　韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當緊張。 　　據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。DD
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三星宣布開始量產(chǎn)30nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　今年早些時候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內(nèi)存芯片的開發(fā)工作，而最近他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進入批量生產(chǎn)階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數(shù)據(jù)傳輸率下，加壓到1.5V之后數(shù)據(jù)傳輸率則可提升至2133MHz，適用于 臺式機，筆記本，服務器，上網(wǎng)本，移動設(shè)備的各種應用。 　　三星表示目前他們正在開發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，預計這款產(chǎn)品今年才會投入使用。
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DDR3存儲器接口控制器IP加速數(shù)據(jù)處理應用

  • DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件...
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茂德成功試產(chǎn)63nm DDR3顆粒

  • 　　臺灣媒體報道，茂德今天宣布，他們已在其臺灣科技園中部的12寸晶圓廠使用爾必達 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產(chǎn)出了1Gb DDR3內(nèi)存顆粒。首批測試結(jié)果顯示，顆粒規(guī)格符合業(yè)界規(guī)范，并全面兼容PC、數(shù)碼移動電子品應用。茂德今年三月份開始使用爾必達的63nm堆疊制程工藝試產(chǎn)DDR3顆粒，計劃在今年三季度實現(xiàn)量產(chǎn)。到年底時，茂德每月為DDR3芯片生產(chǎn)提供的晶圓產(chǎn)量 將達到3.5萬片。 　　茂德表示，他們預計將在明年下半年開始使用爾必達的45nm工藝進行生產(chǎn)，并計劃在明年年底
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ddr3介紹

目錄概述 設(shè)計 發(fā)展 DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進 概述 　　針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下： 　　(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。 　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細 ]

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