茂德成功試產(chǎn)63nm DDR3顆粒

　　臺灣媒體報道，茂德今天宣布，他們已在其臺灣科技園中部的12寸晶圓廠使用爾必達 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產(chǎn)出了1Gb DDR3內(nèi)存顆粒。首批測試結(jié)果顯示，顆粒規(guī)格符合業(yè)界規(guī)范，并全面兼容PC、數(shù)碼移動電子品應用。茂德今年三月份開始使用爾必達的63nm堆疊制程工藝試產(chǎn)DDR3顆粒，計劃在今年三季度實現(xiàn)量產(chǎn)。到年底時，茂德每月為DDR3芯片生產(chǎn)提供的晶圓產(chǎn)量 將達到3.5萬片。

　　茂德表示，他們預計將在明年下半年開始使用爾必達的45nm工藝進行生產(chǎn)，并計劃在明年年底將其12寸晶圓廠的月產(chǎn)能提高到8萬片。

　　今年早些時候，爾必達將其位于新竹科技園的一座12寸DRAM工廠賣給了ROM和NOR閃存顆粒制造商臺灣旺宏，這樣就使得茂德目前只擁有一座12 寸DRAM工廠。

　　此外茂德2010年投資削減計劃已經(jīng)獲得了董事會的批準，他們計劃通過發(fā)行10億股普通股的方式籌集資金，其債券出售計劃也獲得董事會的批準。茂德董事長ML Chen稱，茂德今年計劃尋找到3-5個戰(zhàn)略合作伙伴。