AI和數(shù)據(jù)中心需求激增，美光確認內(nèi)存價格上漲

美光已確認其提高內(nèi)存價格的計劃，理由是未來幾年對 DRAM 和 NAND 閃存的需求強勁。該公司的最新公告表明，隨著供應限制以及人工智能、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品的需求增長推高了成本，價格將在 2025 年和 2026 年繼續(xù)上漲。

價格上漲之際，內(nèi)存市場正從供應過剩和收入下降的時期反彈。在過去的一年里，由于主要供應商的減產(chǎn)以及對高性能計算和 AI 工作負載的需求增加，DRAM 和 NAND 閃存的價格穩(wěn)步回升。隨著美光確認有意提高價格，三星和 SK 海力士等其他內(nèi)存制造商預計將效仿，進一步鞏固價格上漲趨勢。

在給其渠道合作伙伴的一份聲明中，美光指出“各個業(yè)務部門未預測的需求”是價格上漲背后的關(guān)鍵因素。該公司強調(diào)，對 AI 相關(guān)應用的需求不斷增長，以及保持有競爭力的產(chǎn)品組合的必要性，這些都是這些調(diào)整的驅(qū)動力。美光還鼓勵合作伙伴提供長期預測，以幫助確保未來幾年的供應穩(wěn)定。

價格上漲背后的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一是對高帶寬內(nèi)存 （HBM） 的需求不斷增長，這對于 AI 加速器和下一代 GPU 至關(guān)重要。隨著 Nvidia、AMD 和 Intel 等公司推動更先進的 AI 解決方案，對更快、更高效的內(nèi)存解決方案的需求激增。Micron 及其競爭對手正在提高 HBM 的產(chǎn)量以滿足這一需求，但供應仍然緊張，導致成本上升。

該公司最近宣布投資 70 億美元在新加坡新建 HBM 組裝廠，旨在滿足 AI 進步帶來的增長需求。該工廠計劃于 2026 年投產(chǎn)，將增強美光生產(chǎn) HBM3E、HBM4 和 HBM4E 內(nèi)存的能力，使公司能夠在不斷增長的 HBM 市場中占據(jù)更大的份額。

此外，隨著 PC 和智能手機制造商增加 DRAM 和 NAND 閃存的訂單，預計更廣泛的消費電子市場將復蘇。隨著設(shè)備制造商為 2025 年底和 2026 年推出新產(chǎn)品做準備，預計內(nèi)存需求將保持強勁，這進一步證明了美光調(diào)整價格的合理性。

隨著美光為新的定價趨勢奠定基礎(chǔ)，現(xiàn)在所有的目光都集中在競爭對手和客戶將如何應對。如果需求保持強勁，該行業(yè)的價格可能會持續(xù)上漲，從而在未來幾年影響從游戲 PC 到企業(yè)數(shù)據(jù)中心的方方面面。