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中國(guó) CXMT 據(jù)報(bào)道將 DDR5 芯片的大規(guī)模生產(chǎn)推遲至 2025 年底

（圖片來(lái)源：CXMT）長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)（CXMT）不得不將其 DDR5 內(nèi)存設(shè)備的量產(chǎn)推遲至 2025 年晚些時(shí)候，以提升質(zhì)量，據(jù) Digitimes 報(bào)道。然而，據(jù)同一報(bào)道，該公司 DDR5 芯片的質(zhì)量現(xiàn)已與南亞相當(dāng)。改進(jìn)的良率、質(zhì)量以及 CXMT 不斷擴(kuò)大的生產(chǎn)能力相結(jié)合，不僅讓臺(tái)灣的小型供應(yīng)商，也讓全球玩家對(duì) CXMT 對(duì)市場(chǎng)的影響感到擔(dān)憂。質(zhì)量和良率困擾 CXMT 的 DDR5在一個(gè)出乎意料的轉(zhuǎn)折中，據(jù)報(bào)道 CXMT 去年年底開始生產(chǎn)其 DDR5 內(nèi)存，這使行業(yè)擔(dān)心這家中國(guó)內(nèi)存制造
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中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃通過(guò)使用國(guó)產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來(lái)擺脫美國(guó)制裁

(圖片來(lái)源：YMTC)長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（YMTC），中國(guó)領(lǐng)先的 NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來(lái)一直被美國(guó)商務(wù)部列入實(shí)體清單，這基本上禁止了其獲取先進(jìn)制造設(shè)備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計(jì)劃今年擴(kuò)大其生產(chǎn)能力，目標(biāo)是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)市場(chǎng)的 15%，據(jù)《Digitimes》報(bào)道。該公司還計(jì)劃建設(shè)一條僅使用中國(guó)制造設(shè)備的試驗(yàn)生產(chǎn)線。YMTC 將擴(kuò)大產(chǎn)能至每月 15 萬(wàn)片晶圓啟動(dòng)據(jù) DigiTimes 報(bào)道，預(yù)計(jì)到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達(dá)到每月
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據(jù)報(bào)道，2026 年 HBM 價(jià)格面臨兩位數(shù)下跌風(fēng)險(xiǎn)，對(duì) SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)

隨著英偉達(dá)以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動(dòng) HBM 需求增長(zhǎng)，分析師警告明年可能面臨價(jià)格下跌。據(jù)高盛稱，經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，競(jìng)爭(zhēng)加劇和供過(guò)于求可能導(dǎo)致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價(jià)格下跌——這對(duì)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者 SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)。值得注意的是，據(jù)高盛稱，2026 年 HBM 價(jià)格可能下跌兩位數(shù)。此外，競(jìng)爭(zhēng)加劇以及定價(jià)權(quán)向主要客戶轉(zhuǎn)移（SK hynix 受影響嚴(yán)重）可能擠壓該公司的利潤(rùn)空間，高盛警告稱。根據(jù)高盛的預(yù)測(cè)，HBM 價(jià)格下降的趨勢(shì)可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應(yīng)的顯著增加
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存價(jià)格上升，而 PC 內(nèi)存失去動(dòng)力

根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存，供應(yīng)商逐步釋放產(chǎn)能資源，加上中國(guó)國(guó)家補(bǔ)貼的減弱效應(yīng)，導(dǎo)致現(xiàn)貨市場(chǎng)低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：盡管過(guò)去一周現(xiàn)貨價(jià)格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價(jià)格的快速大幅上漲。整體供應(yīng)仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片的現(xiàn)貨價(jià)格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
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AI驅(qū)動(dòng)內(nèi)存革新臺(tái)積電與三星引領(lǐng)存儲(chǔ)技術(shù)搶攻萬(wàn)億商機(jī)

全球新興記憶體與儲(chǔ)存技術(shù)市場(chǎng)正快速擴(kuò)張，而臺(tái)積電、三星、美光、英特爾等半導(dǎo)體巨頭正與專業(yè)IP供應(yīng)商合作，積極推動(dòng)先進(jìn)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案的商業(yè)化。過(guò)去兩年，相變內(nèi)存（PCM）、電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（RRAM）和自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻式隨憶式內(nèi)存（STT-MRAM）已從實(shí)驗(yàn)室走向次22納米節(jié)點(diǎn)的試產(chǎn)階段，并運(yùn)用3D堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)高密度，以解決傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺(tái)積電、三星、美光、英特爾等業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者的合作下，每年超過(guò)50億美元的研發(fā)投入加速新材料與制程的成熟。這
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Q3報(bào)價(jià)談判啟動(dòng) 內(nèi)存供應(yīng)鏈吃緊報(bào)價(jià)看漲

隨著第二季即將結(jié)束，多家內(nèi)存原廠已展開第三季合約報(bào)價(jià)談判。原廠持續(xù)執(zhí)行減產(chǎn)、并調(diào)整產(chǎn)品組合，市場(chǎng)供需變化牽動(dòng)價(jià)格走勢(shì)分歧，尤以高帶寬記憶體（HBM）、LPDDR4X與DDR4等關(guān)鍵產(chǎn)品為觀察重點(diǎn)。根據(jù)TrendForce調(diào)查，2025年DRAM整體位元產(chǎn)出將年增約25%，但若排除HBM產(chǎn)品，一般型DRAM位年增幅約20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原廠成長(zhǎng)幅度僅15%，反映產(chǎn)能資源向HBM傾斜。HBM成為AI服務(wù)器核心零組件，供應(yīng)持續(xù)吃緊，特別是HBM3e更面臨嚴(yán)重短缺，推升報(bào)價(jià)動(dòng)能。在一般型DR
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全球晶圓廠擴(kuò)張能否跟上美光 HBM 的激增？美國(guó)、日本和印度的最新時(shí)間表

美光在 2025 財(cái)年第三季度的創(chuàng)紀(jì)錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動(dòng)的——而且勢(shì)頭仍在繼續(xù)。這家美國(guó)內(nèi)存巨頭現(xiàn)在目標(biāo)是到年底占據(jù)約 25%的 HBM 市場(chǎng)份額，正如 ZDNet 所報(bào)道的那樣。雖然其樂(lè)觀的展望吸引了市場(chǎng)關(guān)注，但焦點(diǎn)也集中在其全球產(chǎn)能擴(kuò)張能否跟上。以下是美光最新制造動(dòng)向的簡(jiǎn)要回顧，包括國(guó)內(nèi)和海外。美國(guó)生產(chǎn)時(shí)間表指向2027年開始2022 年 9 月，美光公司公布了一項(xiàng) 150 億美元的擴(kuò)張計(jì)劃，計(jì)劃在其愛達(dá)荷州博伊西總部建設(shè)一個(gè)尖端研發(fā)和半導(dǎo)體制造設(shè)施——這是
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英飛凌迎接新太空應(yīng)用的內(nèi)存市場(chǎng)挑戰(zhàn)

NewSpace 是指私營(yíng)公司和初創(chuàng)公司將太空探索商業(yè)化，與傳統(tǒng)太空計(jì)劃相比，政府的監(jiān)督通常較少。在對(duì)全球連接（直接到蜂窩）的需求不斷增長(zhǎng)的推動(dòng)下，NewSpace 計(jì)劃旨在將 LEO 衛(wèi)星星座與物聯(lián)網(wǎng)相結(jié)合。這些任務(wù)通常依賴于較小的衛(wèi)星，從納米衛(wèi)星到 250 公斤衛(wèi)星，并且任務(wù)持續(xù)時(shí)間更短，成本更低，能夠部署大規(guī)模 LEO 星座。由于 LEO 的發(fā)射成本較低且輻射暴露較少，許多 NewSpace 應(yīng)用可以從 COTS 組件中受益，這些組件無(wú)需傳統(tǒng)的軍事或航空航天認(rèn)證即可提供強(qiáng)大的性能。Infineon
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微信“史詩(shī)級(jí)”更新：手機(jī)內(nèi)存有救了！

近日有消息稱，微信正在優(yōu)化聊天記錄備份的功能，支持U盤等多種存儲(chǔ)設(shè)備。對(duì)此，微信方面回應(yīng)稱正在小范圍測(cè)試聊天記錄備份功能優(yōu)化。微信表示，和當(dāng)前僅支持備份到電腦相比，優(yōu)化后的功能支持用戶通過(guò)手機(jī)微信，將聊天記錄備份到外部存儲(chǔ)設(shè)備（如U盤、移動(dòng)硬盤），且可創(chuàng)建及管理多份備份文件，并支持自動(dòng)備份。目前，該功能更新在持續(xù)擴(kuò)大測(cè)試范圍。聊天記錄備份的具體路徑是“微信設(shè)置-通用-聊天記錄與遷移-備份與恢復(fù)”，如果你的微信在該功能的灰度測(cè)試范圍，那么就會(huì)看到現(xiàn)在備份與恢復(fù)可以選擇“備份到電腦、U盤等多種存儲(chǔ)設(shè)備”或“支
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4供應(yīng)緊張大幅漲價(jià) DDR5 逐步啟動(dòng)

根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示，由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格相比 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價(jià)和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與合約市場(chǎng)的情況類似，現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示，由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格與 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格也繼續(xù)逐步上漲，因?yàn)槟K公司急于增加庫(kù)存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè) 2Q25
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五大原廠同步減產(chǎn) 內(nèi)存價(jià)格Q2反彈優(yōu)預(yù)期

全球五大NAND Flash原廠同步實(shí)施減產(chǎn)，加上美中之間的新關(guān)稅政策，帶動(dòng)買賣雙方在90天寬限期內(nèi)加速交易與出貨，致使2025年第二季存儲(chǔ)器價(jià)格，出現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期的反彈走勢(shì)。五大NAND原廠同步減產(chǎn)，供給面收縮，助攻內(nèi)存市場(chǎng)行情，根據(jù)調(diào)查，全球市占前五大NAND Flash制造商，包括三星、SK海力士、美光、鎧俠與威騰，皆在2025年上半年啟動(dòng)減產(chǎn)計(jì)劃，幅度在10%~15%，以調(diào)節(jié)供過(guò)于求的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)。此輪原廠同步減產(chǎn)，對(duì)存儲(chǔ)器價(jià)格止跌回升形成支撐，加上中美貿(mào)易政策變量升高，促使業(yè)者加快在政策寬限期內(nèi)完成交易
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Nvidia 推遲了顛覆性的新 SOCAMM 內(nèi)存技術(shù)

據(jù)稱，可靠性和供應(yīng)鏈問(wèn)題迫使 Nvidia 推遲 SOCAMM 開發(fā)下一代零件。據(jù)稱，Nvidia 推遲了即將推出的 SOCAMM 技術(shù)的推出，并推出了即將推出的 Blackwell 企業(yè)級(jí) GPU。ZDNet 報(bào)道稱，SOCAMM 現(xiàn)在計(jì)劃與代號(hào)為“Rubin”的下一代 Nvidia GPU 一起推出。SOCAMM 最初應(yīng)該與 GB300 一起首次亮相，GB300 是一款即將推出的 Blackwell Ultra 產(chǎn)品，針對(duì)工作站而不是服務(wù)器。GB300
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三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合

三星計(jì)劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術(shù)，以減少熱量并實(shí)現(xiàn)超寬內(nèi)存接口，該公司在韓國(guó)首爾舉行的 AI 半導(dǎo)體論壇上透露。相比之下，該公司的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士可能會(huì)推遲采用混合鍵合技術(shù)，EBN 報(bào)道。高帶寬內(nèi)存（HBM）將多個(gè)存儲(chǔ)器件堆疊在基礎(chǔ)芯片上。目前，HBM 堆棧中的內(nèi)存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號(hào)）連接在一起，并使用模塑底部填充質(zhì)量回流（MR-MUF）或使用非導(dǎo)電膜（TC-NCF）的熱壓縮等技術(shù)進(jìn)行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個(gè)晶粒內(nèi)的硅通孔
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DDR3單元測(cè)試規(guī)范

一、測(cè)試目的DDR3的測(cè)試分為三類：1、直流參數(shù)測(cè)試（DC Parameter Testing）：校驗(yàn)工作電流、電平、功率、扇出能力、漏電流等參數(shù)特性。內(nèi)存的工作電流與功耗、負(fù)載有關(guān)，工作電流過(guò)高時(shí)，將造成功耗過(guò)高，給系統(tǒng)造成的負(fù)載過(guò)大，嚴(yán)重情況下將造成系統(tǒng)無(wú)法正常工作。存儲(chǔ)芯片也存在漏電流，當(dāng)漏電流超出閾值時(shí)可能造成系統(tǒng)無(wú)法正常工作。2、交流參數(shù)測(cè)試（AC Parameter Testing）：檢測(cè)諸如建立時(shí)間、保持時(shí)間、訪問(wèn)時(shí)間等時(shí)間參數(shù)特性。3、可靠性測(cè)試（Functional Testing）：測(cè)
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DDR4加速退場(chǎng)，DDR5成為主流

三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級(jí)別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級(jí)別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過(guò)渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡(jiǎn)介】　　在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱內(nèi)存，港臺(tái)稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]