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內存 文章 最新資訊

據報道,2026 年 HBM 價格面臨兩位數下跌風險,對 SK hynix 構成挑戰(zhàn)

  • 隨著英偉達以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入,推動 HBM 需求增長,分析師警告明年可能面臨價格下跌。據高盛稱,經濟日報報道,競爭加劇和供過于求可能導致 2026 年首次出現 HBM 價格下跌——這對市場領導者 SK hynix 構成挑戰(zhàn)。值得注意的是,據高盛稱,2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數。此外,競爭加劇以及定價權向主要客戶轉移(SK hynix 受影響嚴重)可能擠壓該公司的利潤空間,高盛警告稱。根據高盛的預測,HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應的顯著增加
  • 關鍵字: HBM  內存  海力士  

內存現貨價格更新:16Gb DDR4 消費者內存價格上升,而 PC 內存失去動力

  • 根據 TrendForce 最新的內存現貨價格趨勢報告,關于 DRAM,16Gb DDR4 消費者內存芯片的現貨價格持續(xù)上漲,而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現輕微回調。至于 NAND 閃存,供應商逐步釋放產能資源,加上中國國家補貼的減弱效應,導致現貨市場低迷。詳情如下:DRAM 現貨價格:盡管過去一周現貨價格略有下降,但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是,16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現貨價格繼續(xù)上漲,而 8Gb DDR4 等
  • 關鍵字: 內存  DDR4  DRAM  

AI驅動內存革新 臺積電與三星引領存儲技術搶攻萬億商機

  • 全球新興記憶體與儲存技術市場正快速擴張,而臺積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業(yè)IP供應商合作,積極推動先進非揮發(fā)性存儲器解決方案的商業(yè)化。過去兩年,相變內存(PCM)、電阻式隨機存取內存 (RRAM) 和 自旋轉移矩磁阻式隨憶式內存 (STT-MRAM) 已從實驗室走向次22納米節(jié)點的試產階段,并運用3D堆疊技術實現高密度,以解決傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺積電、三星、美光、英特爾等業(yè)界領導者的合作下,每年超過50億美元的研發(fā)投入加速新材料與制程的成熟。 這
  • 關鍵字: AI  內存  臺積電  三星  存儲技術  

Q3報價談判啟動 內存供應鏈吃緊 報價看漲

  • 隨著第二季即將結束,多家內存原廠已展開第三季合約報價談判。 原廠持續(xù)執(zhí)行減產、并調整產品組合,市場供需變化牽動價格走勢分歧,尤以高帶寬記憶體(HBM)、LPDDR4X與DDR4等關鍵產品為觀察重點。根據TrendForce調查,2025年DRAM整體位元產出將年增約25%,但若排除HBM產品,一般型DRAM位年增幅約20%,其中,三星、SK海力士及美光三大原廠成長幅度僅15%,反映產能資源向HBM傾斜。HBM成為AI服務器核心零組件,供應持續(xù)吃緊,特別是HBM3e更面臨嚴重短缺,推升報價動能。在一般型DR
  • 關鍵字: 內存  供應鏈  TrendForce  

全球晶圓廠擴張能否跟上美光 HBM 的激增?美國、日本和印度的最新時間表

  • 美光在 2025 財年第三季度的創(chuàng)紀錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動的——而且勢頭仍在繼續(xù)。這家美國內存巨頭現在目標是到年底占據約 25%的 HBM 市場份額,正如 ZDNet 所報道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場關注,但焦點也集中在其全球產能擴張能否跟上。以下是美光最新制造動向的簡要回顧,包括國內和海外。美國生產時間表指向2027年開始2022 年 9 月,美光公司公布了一項 150 億美元的擴張計劃,計劃在其愛達荷州博伊西總部建設一個尖端研發(fā)和半導體制造設施——這是
  • 關鍵字: 美光  HBM  內存  

英飛凌迎接新太空應用的內存市場挑戰(zhàn)

  • NewSpace 是指私營公司和初創(chuàng)公司將太空探索商業(yè)化,與傳統(tǒng)太空計劃相比,政府的監(jiān)督通常較少。在對全球連接(直接到蜂窩)的需求不斷增長的推動下,NewSpace 計劃旨在將 LEO 衛(wèi)星星座與物聯網相結合。這些任務通常依賴于較小的衛(wèi)星,從納米衛(wèi)星到 250 公斤衛(wèi)星,并且任務持續(xù)時間更短,成本更低,能夠部署大規(guī)模 LEO 星座。由于 LEO 的發(fā)射成本較低且輻射暴露較少,許多 NewSpace 應用可以從 COTS 組件中受益,這些組件無需傳統(tǒng)的軍事或航空航天認證即可提供強大的性能。Infineon
  • 關鍵字: 英飛凌  太空  內存  

微信“史詩級”更新:手機內存有救了!

  • 近日有消息稱,微信正在優(yōu)化聊天記錄備份的功能,支持U盤等多種存儲設備。對此,微信方面回應稱正在小范圍測試聊天記錄備份功能優(yōu)化。微信表示,和當前僅支持備份到電腦相比,優(yōu)化后的功能支持用戶通過手機微信,將聊天記錄備份到外部存儲設備(如U盤、移動硬盤),且可創(chuàng)建及管理多份備份文件,并支持自動備份。目前,該功能更新在持續(xù)擴大測試范圍。聊天記錄備份的具體路徑是“微信設置-通用-聊天記錄與遷移-備份與恢復”,如果你的微信在該功能的灰度測試范圍,那么就會看到現在備份與恢復可以選擇“備份到電腦、U盤等多種存儲設備”或“支
  • 關鍵字: 微信  內存  

內存現貨價格更新:DDR4供應緊張大幅漲價 DDR5 逐步啟動

  • 根據 TrendForce 集邦咨詢最新的內存現貨價格趨勢報告,關于 DRAM,現貨市場顯示,由于預期未來供應趨緊,DDR4 產品的價格相比 DDR5 產品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存,買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下:DRAM 現貨價格:與合約市場的情況類似,現貨市場顯示,由于預期未來供應趨緊,DDR4 產品的價格與 DDR5 產品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產品的價格也繼續(xù)逐步上漲,因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信,整體而言,現貨價格在整個 2Q25
  • 關鍵字: 內存  DDR4  DDR5  

五大原廠同步減產 內存價格Q2反彈優(yōu)預期

  • 全球五大NAND Flash原廠同步實施減產,加上美中之間的新關稅政策,帶動買賣雙方在90天寬限期內加速交易與出貨,致使2025年第二季存儲器價格,出現優(yōu)于預期的反彈走勢。五大NAND原廠同步減產,供給面收縮,助攻內存市場行情,根據調查,全球市占前五大NAND Flash制造商,包括三星、SK海力士、美光、鎧俠與威騰,皆在2025年上半年啟動減產計劃,幅度在10%~15%,以調節(jié)供過于求的市場結構。此輪原廠同步減產,對存儲器價格止跌回升形成支撐,加上中美貿易政策變量升高,促使業(yè)者加快在政策寬限期內完成交易
  • 關鍵字: 內存  

Nvidia 推遲了顛覆性的新 SOCAMM 內存技術

  • 據稱,可靠性和供應鏈問題迫使 Nvidia 推遲 SOCAMM 開發(fā)下一代零件。據稱,Nvidia 推遲了即將推出的 SOCAMM 技術的推出,并推出了即將推出的 Blackwell 企業(yè)級 GPU。ZDNet 報道稱,SOCAMM 現在計劃與代號為“Rubin”的下一代 Nvidia GPU 一起推出。SOCAMM 最初應該與 GB300 一起首次亮相,GB300 是一款即將推出的 Blackwell Ultra 產品,針對工作站而不是服務器。GB300
  • 關鍵字: Nvidia  SOCAMM  內存  

三星將采用HBM4內存的混合鍵合

  • 三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術,以減少熱量并實現超寬內存接口,該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導體論壇上透露。相比之下,該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術,EBN 報道。高帶寬內存 (HBM) 將多個存儲器件堆疊在基礎芯片上。目前,HBM 堆棧中的內存芯片通常使用微凸塊(在堆疊芯片之間傳輸數據、電源和控制信號)連接在一起,并使用模塑底部填充質量回流 (MR-MUF) 或使用非導電膜 (TC-NCF) 的熱壓縮等技術進行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內的硅通孔
  • 關鍵字: 三星  HBM4  內存  混合鍵合  

DDR3單元測試規(guī)范

  • 一、測試目的DDR3的測試分為三類:1、直流參數測試(DC Parameter Testing):校驗工作電流、電平、功率、扇出能力、漏電流等參數特性。內存的工作電流與功耗、負載有關,工作電流過高時,將造成功耗過高,給系統(tǒng)造成的負載過大,嚴重情況下將造成系統(tǒng)無法正常工作。存儲芯片也存在漏電流,當漏電流超出閾值時可能造成系統(tǒng)無法正常工作。2、交流參數測試(AC Parameter Testing):檢測諸如建立時間、保持時間、訪問時間等時間參數特性。3、可靠性測試(Functional Testing):測
  • 關鍵字: 內存  DDR3  測試測量  

DDR4加速退場,DDR5成為主流

  • 三星已向其供應鏈傳達消息,多款基于1y nm(第二代10nm級別)工藝制造的DDR4產品本月即將停產,以及1z nm(第三代10nm級別)工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時,美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊,而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡,把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度:DDR4帶寬為25.6GB/s,DDR5帶寬為32GB/s;· 芯片密度:DDR4芯片密度為
  • 關鍵字: DDR4  DDR5  三星  SK海力士  內存  HBM  

在鐵電RAM內存中執(zhí)行計算

  • 在一項新的 Nature Communications 研究中,研究人員開發(fā)了一種內存鐵電微分器,能夠直接在內存中執(zhí)行計算,而無需單獨的處理器。擬議的差異化因素承諾能源效率,尤其是對于智能手機、自動駕駛汽車和安全攝像頭等邊緣設備。圖像處理和運動檢測等任務的傳統(tǒng)方法涉及多步驟的能源密集型流程。這從記錄數據開始,這些數據被傳輸到存儲單元,存儲單元進一步將數據傳輸到微控制器單元以執(zhí)行差分作。由于差分運算是多項計算任務的基礎,研究人員利用鐵電材料的特性來制造他們的設備。Tech Xplore
  • 關鍵字: 鐵電RAM  內存  執(zhí)行計算  

備貨熱潮提前到 內存廠Q2有望價量齊揚

  • 內存產業(yè)在美國對等關稅政策反復變動下,提前出現備貨熱潮。 根據TrendForce最新調查,美方雖釋出90天寬限期,卻已實質改變內存供需方的作策略,買賣雙方急于在寬限期內完成交易、生產出貨,預期將推升第二季市場交易熱度,DRAM、NAND Flash價格也同步上修。TrendForce資深研究副總吳雅婷指出,盡管關稅寬限期暫時緩解市場對需求下滑的疑慮,品牌與通路商仍普遍抱持「降低不確定因素、建立安全庫存」的心態(tài),拉貨力道顯著升溫,積極提高DRAM及NAND Flash的庫存水位,進而帶動供應鏈產能,尤其以
  • 關鍵字: 備貨熱潮  內存  
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內存介紹

【內存簡介】   在計算機的組成結構中,有一個很重要的部分,就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件,對于計算機來說,有了存儲器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器,主存儲器又稱內存儲器(簡稱內存,港臺稱之為記憶體)。   內存是電腦中的主要部件,它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序,如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等, [ 查看詳細 ]

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