hbm4 文章進(jìn)入hbm4技術(shù)社區(qū)

臺(tái)積電2027年推出超大版CoWoS封裝，可放置12個(gè)HBM4堆棧

據(jù)媒體報(bào)道，日前，臺(tái)積電11月歐洲開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上宣布，其有望在2027年認(rèn)證超大版本的CoWoS（晶圓上芯片）封裝技術(shù)，該技術(shù)將提供高達(dá)9個(gè)掩模尺寸的中介層尺寸和12個(gè)HBM4內(nèi)存堆棧，推測(cè)它將在2027年至2028年被超高端AI處理器采用。據(jù)悉，這一全新封裝方法將解決性能要求最高的應(yīng)用，并讓AI（人工智能）和HPC（高性能計(jì)算）芯片設(shè)計(jì)人員能夠構(gòu)建手掌大小的處理器。報(bào)道稱，完全希望采用臺(tái)積電先進(jìn)封裝方法的公司也能使用其系統(tǒng)級(jí)集成芯片（SoIC）先進(jìn)封裝技術(shù)垂直堆疊其邏輯，以進(jìn)一步提高晶體管
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英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內(nèi)存2026年量產(chǎn)

7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報(bào)道，英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”，為迎接 AI 時(shí)代共同推進(jìn) HBM4 等下一代技術(shù)。SEMI 計(jì)劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動(dòng)（其影響力可以認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的 CES 大展），包括臺(tái)積電在內(nèi)的 1000 多家公司將展示最新的半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù)，促進(jìn)了合作與創(chuàng)新。預(yù)計(jì)這次會(huì)議的主要焦點(diǎn)是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內(nèi)存，它將開(kāi)啟市場(chǎng)的新紀(jì)元。IT之家援引該媒體報(bào)道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
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傳ASMPT與美光聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備

據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)后端設(shè)備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內(nèi)存 (HBM) 生產(chǎn)的演示熱壓 (TC) 鍵合機(jī)。雙方已開(kāi)始聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代鍵合機(jī)，用于HBM4生產(chǎn)。根據(jù)報(bào)道，美光還從日本新川半導(dǎo)體和韓美半導(dǎo)體采購(gòu)TC鍵合機(jī)，用于生產(chǎn)HBM3E，于今年4月向韓美半導(dǎo)體提供了價(jià)值226億韓元的TC Bonder采購(gòu)訂單。據(jù)透露，美光正在使用熱壓非導(dǎo)電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會(huì)在下一代產(chǎn)品 HBM4 中采用。HBM4 16H產(chǎn)品正在考慮使用混合鍵合。此外，目前美光最大的
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HBM4技術(shù)競(jìng)賽，進(jìn)入白熱化

HBM（HighBandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）是一款新型的 CPU/GPU 內(nèi)存芯片，其實(shí)就是將很多個(gè) DDR 芯片堆疊在一起后和 GPU 封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量，高位寬的 DDR 組合陣列。該內(nèi)存技術(shù)突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代 DRAM 解決方案，也契合了半導(dǎo)體技術(shù)小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)。過(guò)去 10 年里，HBM 技術(shù)性能不斷升級(jí)迭代，已經(jīng)成為高性能計(jì)算領(lǐng)域重要的技術(shù)基石之一。2023 年初以來(lái)，以 ChatGPT 為代表的 AI 大模型催生了巨量的算力需求，使 HBM 成
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NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU：3nm工藝配下代HBM4內(nèi)存

6月2日消息，臺(tái)北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構(gòu)，以及全新CPU+GPU二合一超級(jí)芯片，一直規(guī)劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅(jiān)持?jǐn)?shù)據(jù)中心規(guī)模、一年節(jié)奏、技術(shù)限制、一個(gè)架構(gòu)的路線，也就是使用統(tǒng)一架構(gòu)覆蓋整個(gè)數(shù)據(jù)中心GPU產(chǎn)品線，并最新最強(qiáng)的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現(xiàn)有的高性能GPU架構(gòu)代號(hào)"Blackwell"，已經(jīng)投產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品今年陸續(xù)上市，包括用于HPC/AI領(lǐng)域的B200/GB200、用于游
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這一次，三星被臺(tái)積電卡脖子了

在晶圓代工領(lǐng)域，三星與臺(tái)積電是純粹的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，但在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，作為行業(yè)霸主，三星卻不得不尋求與臺(tái)積電深入合作，這都是英偉達(dá)惹的禍。據(jù) DigiTimes 報(bào)道，三星 HBM3E 內(nèi)存尚未通過(guò)英偉達(dá)的測(cè)試，仍需要進(jìn)一步驗(yàn)證，這是因?yàn)榭ㄔ诹伺_(tái)積電的審批環(huán)節(jié)。作為英偉達(dá) AI GPU 芯片的制造和封裝廠，臺(tái)積電是英偉達(dá)驗(yàn)證環(huán)節(jié)的重要參與者。據(jù)悉，臺(tái)積電采用的是基于 SK 海力士 HBM3E 產(chǎn)品設(shè)定的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，而三星的 HBM3E 產(chǎn)品在制造工藝上有些差異，例如，SK 海力士芯片封裝環(huán)節(jié)采用了 MR-MUF
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臺(tái)積電準(zhǔn)備推出基于12和5nm工藝節(jié)點(diǎn)的下一代HBM4基礎(chǔ)芯片

在 HBM4 內(nèi)存帶來(lái)的幾大變化中，最直接的變化之一就是內(nèi)存接口的寬度。隨著第四代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級(jí)到超寬的 2048 位接口，HBM4 內(nèi)存堆棧將不會(huì)像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現(xiàn)在更先進(jìn)的封裝方法，以適應(yīng)更寬的內(nèi)存。作為 2024 年歐洲技術(shù)研討會(huì)演講的一部分，臺(tái)積電提供了一些有關(guān)其將為 HBM4 制造的基礎(chǔ)模具的新細(xì)節(jié)，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺(tái)積電計(jì)劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來(lái)完成這項(xiàng)任務(wù)，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據(jù)有
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顛覆性的HBM4

一位業(yè)內(nèi)人士表示，「『半導(dǎo)體游戲規(guī)則』可能在 10 年內(nèi)改變，區(qū)別存儲(chǔ)半導(dǎo)體和邏輯半導(dǎo)體可能變得毫無(wú)意義」。HBM4，魅力為何如此？技術(shù)的突破2023 年，在 AI 技術(shù)應(yīng)用的推動(dòng)下，數(shù)據(jù)呈現(xiàn)出爆炸式的增長(zhǎng)，大幅度推升了算力需求。據(jù)悉，在 AI 大模型領(lǐng)域，未來(lái) AI 服務(wù)器的主要需求將從訓(xùn)練側(cè)向推理側(cè)傾斜。而根據(jù) IDC 的預(yù)測(cè)，到 2026 年，AIGC 的算力 62.2% 將作用于模型推理。同時(shí)，預(yù)計(jì)到 2025 年，智能算力需求將達(dá)到當(dāng)前的 100 倍。據(jù)悉，自 2015 年以來(lái)，從 HBM1 到
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存儲(chǔ)器大廠：HBM4，2025年供貨！

人工智能浪潮之下，HBM從幕后走向臺(tái)前，市場(chǎng)需求持續(xù)看漲。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè)，2023年HBM需求量將年增58%，2024年有望再成長(zhǎng)約30%。與傳統(tǒng)DRAM相比，HBM具備高帶寬、高容量、低延時(shí)與低功耗等優(yōu)勢(shì)，可以加快AI數(shù)據(jù)處理速度，更適用于ChatGPT等高性能計(jì)算場(chǎng)景，因而備受青睞，存儲(chǔ)大廠也在積極推動(dòng)HBM技術(shù)迭代。存儲(chǔ)大廠持續(xù)發(fā)力，三星將推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM產(chǎn)品問(wèn)世至今，HBM技術(shù)已經(jīng)更新迭代出多款產(chǎn)品，分別有HBM、HBM2、HBM2E、HB
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三星正在開(kāi)發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨

三星電子日前表示，計(jì)劃開(kāi)始提供HBM3E樣品，正在開(kāi)發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨。據(jù)韓媒，三星電子副總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)部DRAM開(kāi)發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示，計(jì)劃開(kāi)始提供HBM3E樣品，正在開(kāi)發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨。他透露，三星電子還準(zhǔn)備針對(duì)高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的NCF（非導(dǎo)電粘合膜）組裝技術(shù)和HCB（混合鍵合）技術(shù)，以應(yīng)用于該產(chǎn)品。此外，三星還計(jì)劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務(wù)，公司今年年初為此成立了AVP(高級(jí)封裝)業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)，以加強(qiáng)尖端封裝技術(shù)并最大限度地發(fā)揮業(yè)務(wù)部門(mén)之間的協(xié)同作用。
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HBM4將迎來(lái)大突破？

AI大勢(shì)下，高帶寬內(nèi)存 (HBM) 從幕后走向臺(tái)前，備受存儲(chǔ)市場(chǎng)關(guān)注。近期，媒體報(bào)道下一代HBM將迎來(lái)重大變化，HBM4內(nèi)存堆棧將采用2048位內(nèi)存接口。自2015年以來(lái)，所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位，足以可見(jiàn)HBM4具備的變革意義。另?yè)?jù)韓媒報(bào)道，三星為了掌握快速成長(zhǎng)的HBM市場(chǎng)，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)HBM4。盡管HBM4將有大突破，但它不會(huì)很快到來(lái)。當(dāng)前HBM市場(chǎng)以HBM2e為主，未來(lái)HBM3將挑起大梁。全球市場(chǎng)研究機(jī)
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傳三星預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)新一代HBM4

據(jù)韓媒報(bào)道，三星為了掌握快速成長(zhǎng)的HBM市場(chǎng)，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)新一代HBM產(chǎn)品，HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E，I/O接口數(shù)為每顆芯片1024個(gè)，擁有超過(guò)2000個(gè)以上I/O接口的HBM尚未問(wèn)世。以HBM不同世代需求比重而言，據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3，需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場(chǎng)需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3，而2024年將直接超越HBM2
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