三星、力晶猛喊節(jié)制擴產(chǎn)　DRAM廠：高手過招戲碼

　　三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來臺參加全球半導體聯(lián)盟(GSA)論壇，吸引DRAM業(yè)者紛前來聆聽龍頭廠對景氣風向球。權(quán)五鉉表示，2010年下半DRAM價格可以維持穩(wěn)定，未來DRAM業(yè)者不應一昧地追求價格和成本，而是要節(jié)制瘋狂擴充產(chǎn)能;力晶董事長黃崇仁在現(xiàn)場亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴產(chǎn)，要追求合理價格更勝于超額利潤;此番臺、韓存儲器廠高層過招，成為整個論壇最大高潮。

　　權(quán)五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關半導體市場及存儲器技術(shù)演說，臺灣重量級記憶體廠高層紛前來聆聽三星對于產(chǎn)業(yè)看法，包括力晶黃崇仁、瑞晶總經(jīng)理陳正坤、華邦董事長焦佑鈞、旺宏總經(jīng)理盧志遠、鈺創(chuàng)董事長盧超群、南亞科副總白培霖等，均到場聆聽。

　　權(quán)五鉉指出，2010年上半終端市場需求表現(xiàn)相當強勁，對于下半年DRAM價格看法以穩(wěn)定視之，由于產(chǎn)業(yè)正處于DDR2轉(zhuǎn)進DDR3規(guī)格期間，下游廠陸續(xù)導入DDR3規(guī)格，下半年市場不會發(fā)生供過于求情況。他認為，過去數(shù)10年來DRAM產(chǎn)業(yè)價格波動相當劇烈，各家DRAM大廠不應該再陷入盲目擴產(chǎn)，只是一昧追求成本和價格迷思，應該要更重視價值導向，追求先進制程技術(shù)或新技術(shù)產(chǎn)品等。

　　黃崇仁亦在會場問答過程中不斷舉手對三星及同業(yè)建言，他指出，未來DRAM產(chǎn)業(yè)要更重視利潤導向勝于超額獲利，不要再過度投資擴產(chǎn)，重復供過于求和價格崩盤命運。他強調(diào)，未來DRAM市場最好是吃緊，而非缺貨，因為后者會導致價格劇烈波動，目前DRAM價格維持在2.5~3.0美元是很好價位，再超過則非產(chǎn)業(yè)之福。再者，過去幾年DRAM價格大漲大跌，是因為全球經(jīng)濟貨幣過于寬松，導致各廠容易籌資，未來大家募資不易，在擴產(chǎn)上會更加小心。

　　黃崇仁認為，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)未來還是非常有東山再起機會，大家都在談技術(shù)問題，但象是奇夢達(Qimonda)擁有自有技術(shù)，最后還是退出市場，現(xiàn)在DRAM產(chǎn)業(yè)價格回升，大家也都開始賺錢，臺廠在成本競爭上仍具有優(yōu)勢，這2年臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)損失相當慘重，要趕快趁著價格回升至合理時，把錢賺回來。

　　多家存儲器業(yè)者則表示，三星和力晶 16日在公開場合表明要節(jié)制擴產(chǎn)，似乎是上演高手過招戲碼，然大家是內(nèi)行人看門道，深知在DRAM產(chǎn)業(yè)中，向來都只是嘴上呼吁別人要節(jié)制擴產(chǎn)，但私下只要有錢一定是默默增產(chǎn)，這幾年DRAM產(chǎn)業(yè)受到崩盤和大賠之苦，DRAM廠若真的節(jié)制擴產(chǎn)，應該是募不到錢，而非心甘情愿縮手。

　　此外，對于三星未來存儲器產(chǎn)品規(guī)畫，權(quán)五鉉指出，目前三星DRAM主流制程是50奈米，產(chǎn)品規(guī)格以2GB為主，到2012年將進展至20奈米制程，產(chǎn)品會以8GB為主;在NAND Flash產(chǎn)品上，2010年系以35/32奈米制程及32GB產(chǎn)品為主，到2012年技術(shù)會演進至10奈米制程，產(chǎn)品則會以128/256GB為主。

　　對于各界所關心固態(tài)硬碟(SSD)何時普及于個人計算機(PC)，權(quán)五鉉對此直言，目前SSD每GB價格是傳統(tǒng)硬碟10倍，對于消費者而言仍然太貴，即使 SSD每GB價格縮小至硬碟5倍，普及效應仍是有限，最有利于SSD大量普及于PC市場，應是每GB價格下降至1美元，三星推估要等到20奈米或10奈米制程量產(chǎn)后，才能達到此目標。