ddr 文章進(jìn)入ddr技術(shù)社區(qū)

365天：DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂

　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價還在0.5美元，當(dāng)時生產(chǎn)成本還在2美元，可見虧損有多嚴(yán)重，各廠只好宣布停工、減產(chǎn)，巨額虧損的問題延伸至臺、美、日DRAM廠大整合階段，也演變成國與國之間的戰(zhàn)爭。但到了年底，DRAM廠又開始生龍活虎起來，中間歷程看似短短 365天，但個中辛酸DRAM廠冷暖自知，未來各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景，終于擺脫地獄魔咒，前進(jìn)在通往天堂的路上。　　365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺幣1億元、每1季虧損超過百億元的DRAM
關(guān)鍵字： Microsoft DRAM DDR

泰克為DDR測試和驗(yàn)證解決方案系列增加兩項(xiàng)新功能

　　泰克公司日前宣布增強(qiáng)和升級其業(yè)界領(lǐng)先的DDR測試和驗(yàn)證解決方案系列。用于泰克TLA7000系列邏輯分析儀的新型內(nèi)插器為工程師提供了最新DDR3-1867標(biāo)準(zhǔn)的總線捕捉和分析功能。新型內(nèi)插器大大降低了TLA7000系列的DDR3測試成本，使存儲器總線捕捉功能能為更多的設(shè)計人員所使用。泰克同時還為DDR標(biāo)準(zhǔn)最新的節(jié)能版LP-DDR2推出業(yè)內(nèi)第一款電氣接口測試和驗(yàn)證解決方案。這些新功能完善了泰克全面而廣泛的DDR存儲器解決方案，為驗(yàn)證和改善工程師的設(shè)計提供幫助。　　DDR3-1867是最新一代雙倍數(shù)
關(guān)鍵字：泰克 DDR TLA7000

DDR存儲器電氣特性驗(yàn)證

在本應(yīng)用文章中，描述了與DDR相關(guān)的許多測試挑戰(zhàn)，并提出了驗(yàn)證和調(diào)試存儲器設(shè)計的工具。
關(guān)鍵字： DDR 存儲器電氣特性

電源管理IC是DDR SDRAM存儲器的理想選擇(二)

與其它存儲器技術(shù)相比，DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競爭力的成本。可與以前的SDRAM技術(shù)相...
關(guān)鍵字：電源管理IC DDR SDRAM 存儲器便攜設(shè)備

電源管理IC是DDR SDRAM存儲器的理想選擇

與其它存儲器技術(shù)相比，DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競爭力的成本?？膳c以前的SDRAM技術(shù)相...
關(guān)鍵字：電源管理IC DDR SDRAM 存儲器便攜設(shè)備

泰克推出第三代經(jīng)過驗(yàn)證的DDR分析軟件產(chǎn)品

　　全球領(lǐng)先的測試、測量和監(jiān)測儀器提供商--泰克公司日前宣布，為DPO/DSA70000B系列和DPO7000系列示波器推出第三代經(jīng)過驗(yàn)證的DDR分析軟件產(chǎn)品(DDRA選件)。泰克DDR測試解決方案支持DDR、DDR2、DDR3、LP-DDR和GDDR3的全部速度，同時覆蓋了物理層和數(shù)字域。泰克公司還為DDR3存儲器設(shè)計推出一套新的擁有Nexus Technology技術(shù)的球柵陣列(BGA)元件內(nèi)插器(Interposers)，改善了連接能力。泰克系列邏輯分析儀、示波器和探測系統(tǒng)共同構(gòu)成了DDR設(shè)計和測試
關(guān)鍵字： tektronix 示波器 DPO/DSA70000B DPO7000 DDR

一種基于DDR高速圖像緩存的實(shí)現(xiàn)

隨著半導(dǎo)體傳感器技術(shù)的發(fā)展，在實(shí)際應(yīng)用中越來越多地用到了高幀頻、大面陣的CCD相機(jī)以獲取高質(zhì)量、高分辨率的圖像數(shù)據(jù)。以分辨率為1K×1K、幀頻為200f/s、8bit灰度級的相機(jī)為例，其圖像數(shù)據(jù)流速率就將高達(dá)200MB/s，
關(guān)鍵字：實(shí)現(xiàn) 圖像高速 DDR 基于 DDR存儲控制器高速緩存 FIFO

Spartan-3A 的 DDR 2 接口數(shù)據(jù)采集

1引言DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一...
關(guān)鍵字： DDR FPGA 接口數(shù)據(jù)采集

嵌入式DDR息線的布線分析與設(shè)計

嵌入式DDR息線的布線分析與設(shè)計,
關(guān)鍵字： DDR 時鐘終端匹配阻抗設(shè)計

NAND閃存的下一個熱點(diǎn)：性能

　　利用50-40nm的工藝制程節(jié)點(diǎn)，NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費(fèi)者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價格急劇下降，高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
關(guān)鍵字： NAND 柵極感應(yīng) DDR MLC MLC

TI推出新一代 3A DDR 端接穩(wěn)壓器

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲器終端電源管理要求的汲極／源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該簡便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF，比同類競爭解決方案的電容降低了近 80%。這樣，設(shè)計人員可利用該器件實(shí)現(xiàn)更低成本、更小型化的 DDR 存儲器終端解決方案，以滿足數(shù)字電視、機(jī)頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據(jù)通信、筆記本以及臺式機(jī)電腦等現(xiàn)代大容量存儲器電子產(chǎn)品以及日益豐富的消費(fèi)類電子產(chǎn)品的需求。
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Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC

　　Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC DS2731。該P(yáng)MIC集成了單節(jié)Li+電池充電器、控制系統(tǒng)電源和電池電源切換的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、以及用于“調(diào)節(jié)”DDR存儲器電源的2MHz同步降壓調(diào)節(jié)器。這種空前的高度集成特性省去了現(xiàn)有方案中15個以上的分立元件，從而節(jié)省了成本和空間。DS2731能夠兼容DDRII和DDRIII中的PCI Express® 12V電源，非常適合用于RAID服務(wù)器/系統(tǒng)存儲卡、板載RAID (ROMB)以及板載模塊化RAID
關(guān)鍵字： Maxim DDR 存儲器電源管理 IC

基于FPGA的DDR SDRAM控制器在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速大容量存儲是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。本設(shè)計采用Altera公司Cyclone系列的FPGA完成了對DDR SDRAM的控制，以狀態(tài)機(jī)來描述對DDR SDRAM的各種時序操作，設(shè)計了DDR SDRAM的數(shù)據(jù)與命令接口。用控制核來簡化對DDR SDRAM的操作，并采用自頂至下模塊化的設(shè)計方法，將控制核嵌入到整個數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的控制模塊中，完成了數(shù)據(jù)的高速采集、存儲及上傳。使用開發(fā)軟件Quartus II中內(nèi)嵌的邏輯分析儀SignalTap II對控制器的工作流程進(jìn)行了驗(yàn)證和調(diào)試。最終采集到的
關(guān)鍵字： FPGA DDR SDRAM 數(shù)據(jù)采集

針對DDR供電飛思卡爾推出全線電源芯片產(chǎn)品

　　模擬市場正在茁壯成長，按照12%的年復(fù)增長率估算，將超過許多其他的數(shù)字IC市場。在這樣的發(fā)展速度下，據(jù)預(yù)測，模擬市場將在2012年達(dá)到680億美元，屆時將實(shí)現(xiàn)近1390億的出貨量。亞太地區(qū)是模擬市場的最大消費(fèi)區(qū)域，但設(shè)計和生產(chǎn)遍布在世界各地。　　模擬市場是一個高度競爭的市場，一些供應(yīng)商只關(guān)注特定的產(chǎn)品，而另一些則進(jìn)行全面組合，以覆蓋各個領(lǐng)域的特色模擬產(chǎn)品，事實(shí)上，新興業(yè)務(wù)已經(jīng)加速發(fā)展。模擬領(lǐng)域有大量的新業(yè)務(wù)出現(xiàn)，尤其是在研發(fā)新技術(shù)方面，但是進(jìn)入這一領(lǐng)域的門檻依然很高，由于工程人才，渠道力量和全球?qū)?/li>
關(guān)鍵字： DDR 飛思卡爾 200802

集邦：9月下旬DRAM合約價格預(yù)計下滑10%

DRAM現(xiàn)貨市場需求不佳，整體報價呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達(dá)7.8%，價格下跌至1.54美元。其余顆粒報價皆呈現(xiàn)微幅下跌，DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來由于市場需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度，使得價格持續(xù)緩跌。然而當(dāng)DDR2eTT價格跌破5月低點(diǎn)后，部分分銷商及模塊廠開始備貨，使得現(xiàn)貨價格出現(xiàn)反彈，間接帶動了些許買氣。而合約市場方面，由于現(xiàn)貨價格快速下跌，加上PCOEM廠商已經(jīng)備足旺季所需的庫存水位，因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動作。
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DRAM DDR DDR2 MCU和嵌入式微處理器

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ddr介紹

　DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存　　嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹紻DR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SD [ 查看詳細(xì) ]