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大廠有意擴(kuò)產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存

  • 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月營收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價(jià)續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計(jì)劃階段性擴(kuò)產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對內(nèi)存大廠有意擴(kuò)產(chǎn)，國內(nèi)存儲器廠商則認(rèn)為，海力士擴(kuò)廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因?yàn)榕_灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報(bào)價(jià)。TrendForc
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你所需要知道的HBM技術(shù)

  • 在2024年即將到來之際，多家機(jī)構(gòu)給出預(yù)測，認(rèn)定生成式AI將成為2024年的增長重點(diǎn)之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時(shí)，也極大帶動(dòng)了市場對新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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三大原廠 HBM 路線圖

  • 預(yù)計(jì)英偉達(dá) HBM3e 驗(yàn)證將于 2024 Q1 完成。
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DRAM掀起新一輪熱潮，封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用

  • 處理器，無論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運(yùn)行，都離不開 RAM，特別是 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器），它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)（PC，手機(jī)，數(shù)據(jù)中心等）中內(nèi)存的代名詞。根據(jù)應(yīng)用不同，系統(tǒng)對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標(biāo)準(zhǔn) DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）、LPDDR、GDDR 等，當(dāng)然，主要就是這三類。其中，DDR 是相對于 SDR（單數(shù)據(jù)速率）而言的，將 I/O 時(shí)鐘加倍了，主要為 PC 和數(shù)據(jù)中心的 CPU 服務(wù)，目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
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SK海力士成立新部門負(fù)責(zé)AI半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

  • 據(jù)韓媒，韓國SK海力士公司周四表示，將成立一個(gè)名為AI Infra的新部門，負(fù)責(zé)人工智能（AI）半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)，由現(xiàn)任全球銷售營銷部門負(fù)責(zé)人Kim Juseon管理。報(bào)道稱，新部門將整合分散在公司內(nèi)部的高帶寬內(nèi)存（HBM）能力和功能，還將主導(dǎo)新一代HBM芯片等人工智能技術(shù)的發(fā)展，尋找并開發(fā)新市場。
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存儲器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞

  • 今年以來，ChatGPT持續(xù)推動(dòng)生成式AI需求上漲，加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5：美光發(fā)布新品、三星計(jì)劃擴(kuò)大產(chǎn)線當(dāng)前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達(dá) 7200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內(nèi)存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高
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一文看懂TSV技術(shù)

  • 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛?。?000年的第一個(gè)月，Santa Clara Universi
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三星、美光大動(dòng)作，擴(kuò)產(chǎn)HBM

  • 存儲市場消費(fèi)電子應(yīng)用疲軟的環(huán)境下，HBM成為發(fā)展新動(dòng)能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴(kuò)產(chǎn)HBM的消息。大廠積極布局HBM近期，媒體報(bào)道三星為了擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設(shè)備，用于HBM生產(chǎn)。據(jù)悉，三星計(jì)劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM，該公司已花費(fèi)105億韓元購買上述建筑和設(shè)備等，預(yù)計(jì)追加投資7000億-1萬億韓元。 此前，據(jù)三星電子副社長、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人黃尚俊透露，三星已開發(fā)出9.8Gbps的H
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HBM 的未來是光速 - 集成光子學(xué)的未來設(shè)計(jì)

  • HBM 的未來不僅是光明的：它還具有光速、超帶寬和超低功耗。 在今年的開放計(jì)算項(xiàng)目 (OCP) 全球峰會上，三星先進(jìn)封裝團(tuán)隊(duì) Yan Li 向我們展示了一個(gè)比我們想象的更加集成的未來：隨著高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的進(jìn)一步發(fā)展，熱和晶體管密度問題可能會得到解決。 通過光子學(xué)來解決。 光子學(xué)基于一種可以對單個(gè)光子（光的粒子/波）信息進(jìn)行編碼的技術(shù)，這意味著它改善了（幾乎）我們當(dāng)前計(jì)算環(huán)境中我們關(guān)心的一切。 功耗大幅降低（發(fā)射的是光粒子而不是電子流），處理速度也得到提高（延遲達(dá)到飛秒級，傳播速度接近光
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三星、美光計(jì)劃擴(kuò)大HBM產(chǎn)能

  • 在消費(fèi)級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動(dòng)力，最新報(bào)告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴(kuò)張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設(shè)備，以擴(kuò)大HBM產(chǎn)能。三星還計(jì)劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。此前報(bào)道，三星副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發(fā)出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計(jì)劃開始向客戶提供樣品。同時(shí)，三星還正在開發(fā)HBM4的各種技術(shù)，包括針對高溫?zé)崽匦院突旌湘I
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抓住 AI 大趨勢，三星、美光積極籌備 HBM 擴(kuò)建計(jì)劃

  • IT之家 11 月 8 日消息，在消費(fèi)級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動(dòng)力，最新報(bào)告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴(kuò)張 HBM DRAM。圖源：三星最新報(bào)道稱三星電子耗資 105 億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設(shè)備，以擴(kuò)大 HBM 產(chǎn)能。三星電子還計(jì)劃再投資 7000 億至 1 萬億韓元，用于新建新的封裝線。IT之家此前報(bào)道，三星電子副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品和技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已開發(fā)出速度為 9.8Gbp
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HBM：高帶寬內(nèi)存吸引各大科技巨頭搶購的“魔力”到底是什么？

  • 由于各大企業(yè)對布局AI領(lǐng)域的興趣激增，同時(shí)，SK海力士在用于生成式AI領(lǐng)域的高帶寬存儲器（HBM）DRAM方面處于市場領(lǐng)先地位，其二季度用于AI領(lǐng)域的高性能DRAM銷售增長強(qiáng)勁，對高端DRAM的需求增長了一倍多。繼英偉達(dá)之后，全球多個(gè)科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
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大模型市場，不止帶火HBM

  • 近日，HBM 成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù) TrendForce 預(yù)測，2023 年高帶寬內(nèi)存（HBM）比特量預(yù)計(jì)將達(dá)到 2.9 億 GB，同比增長約 60%，2024 年預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長 30%。2008 年被 AMD 提出的 HBM 內(nèi)存概念，在 2013 年被 SK 海力士通過 TSV 技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)，問世 10 年后 HBM 似乎真的來到了大規(guī)模商業(yè)化的時(shí)代。HBM 的概念的起飛與 AIGC 的火爆有直接關(guān)系。AI 服務(wù)器對帶寬提出了更高的要求，與 DDR SDRAM 相比，HBM 具有更高的帶寬和更
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AI及HPC需求帶動(dòng)對HBM需求容量將年增近60%

  • 為解決高速運(yùn)算下，存儲器傳輸速率受限于DDR SDRAM帶寬而無法同步成長的問題，高帶寬存儲器（High Bandwidth Memory，HBM）應(yīng)運(yùn)而生，其革命性傳輸效率是讓核心運(yùn)算元件充分發(fā)揮效能的關(guān)鍵。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM已成主流，預(yù)估2023年全球HBM需求量將年增近六成，來到2.9億GB ，2024年將再成長三成。TrendForce集邦咨詢預(yù)估到2025年，全球若以等同ChatGPT的超大型AIGC產(chǎn)品5款、Midjourney的
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三星將于今年下半年開始批量生產(chǎn)HBM芯片

  • AI服務(wù)器需求，帶動(dòng)HBM提升，繼HanmiSemiconductor之后，又有一存儲大廠在加速HBM布局。據(jù)韓媒《TheKoreaTimes》6月27日報(bào)道，三星電子將于今年下半年開始批量生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，以滿足持續(xù)增長的人工智能（AI）市場。根據(jù)報(bào)道，三星將量產(chǎn)16GB、24GB的HBM3存儲芯片，這些產(chǎn)品數(shù)據(jù)處理速度可達(dá)到6.4Gbps，有助于提高服務(wù)器的學(xué)習(xí)計(jì)算速度。三星執(zhí)行副總裁Kim Jae-joon在4月份的電話會議上表示，該公司計(jì)劃在今年下半年推出下一代HBM3P產(chǎn)品，以滿
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