HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求

三星、SK海力士及美光等國(guó)際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。

據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。

由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來(lái)看，2024年HBM3e將是市場(chǎng)主流，集中在2024年下半年出貨。

SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1beta nm制程，兩家業(yè)者現(xiàn)已出貨輝達(dá)（NVIDIA）；三星則采用1alpha nm制程，預(yù)期2024年第二季完成驗(yàn)證，于年中開(kāi)始交付。

PC、服務(wù)器、智能型手機(jī)三大應(yīng)用單機(jī)搭載容量增長(zhǎng)，對(duì)先進(jìn)制程的消耗量也逐季提升，其中，又以服務(wù)器容量提升最高，隨著Intel、AMD新平臺(tái)Sapphire Rapids、Genoa量產(chǎn)后，其內(nèi)存規(guī)格僅能采用DDR5，預(yù)期2024年DDR5滲透率至年底將逾50％。

HBM3e出貨將集中下半年，期間同屬內(nèi)存需求旺季，DDR5與LPDDR5（X）預(yù)期需求也將看增。在HBM投片比重?cái)U(kuò)大的情況下，將使得產(chǎn)出有限，下半年產(chǎn)能配置，將會(huì)是供給是否充足的關(guān)鍵。

三星現(xiàn)有廠房年底產(chǎn)能大致滿載，新廠房P4L規(guī)劃于2025年完工，同時(shí)Line15廠區(qū)將進(jìn)行制程轉(zhuǎn)換，由1Ynm轉(zhuǎn)換至1beta nm以上。

SK海力士M16產(chǎn)能將于2025年擴(kuò)大，M15X規(guī)劃于2025年完工，并于年底量產(chǎn)。美光中國(guó)臺(tái)灣廠區(qū)估2025年恢復(fù)滿載，后續(xù)產(chǎn)能擴(kuò)張將以美國(guó)為主，Boise廠區(qū)2025年完工并陸續(xù)移機(jī)，并計(jì)劃2026年量產(chǎn)。

由于NVIDIA GB200將于2025年放量，其規(guī)格為HBM3e 192／384GB，預(yù)期HBM產(chǎn)出將接近翻倍，各原廠將投入HBM4研發(fā)，因各家產(chǎn)能規(guī)劃皆以HBM為優(yōu)先，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，DRAM產(chǎn)品恐供應(yīng)不及。