首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> hbm

HBM、先進(jìn)封裝利好硅晶圓發(fā)展

  • 隨著人工智能技術(shù)快速發(fā)展，AI芯片需求正急劇上升，推動(dòng)先進(jìn)封裝以及HBM技術(shù)不斷提升，硅晶圓產(chǎn)業(yè)有望從中受益。近期，環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭對(duì)外透露，AI所需的HBM內(nèi)存芯片，比如HBM3以及未來(lái)的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆疊，層數(shù)從12層到16層增加，同時(shí)結(jié)構(gòu)下面還需要有一層基底的晶圓，這增加了硅晶圓的使用量。此前，媒體報(bào)道，AI浪潮之下全球HBM嚴(yán)重供不應(yīng)求，原廠今明兩年HBM產(chǎn)能售罄，正持續(xù)增加資本投資，擴(kuò)產(chǎn)HBM。據(jù)業(yè)界透露，相較于同容量、同制程的DDR5等內(nèi)存技術(shù)，HBM高帶寬存儲(chǔ)芯片晶圓
  • 關(guān)鍵字： HBM  先進(jìn)封裝  硅晶圓  

HBM之后存儲(chǔ)器市場(chǎng)掀起新風(fēng)暴

  • AI人工智能應(yīng)用持續(xù)推動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)前行，其中HBM（高帶寬內(nèi)存）是當(dāng)之無(wú)愧的“寵兒”，不斷吸引存儲(chǔ)器廠商加大資本支出與擴(kuò)產(chǎn)。與此同時(shí)，存儲(chǔ)器市場(chǎng)新的力量已經(jīng)悄然形成，GDDR7有望接過(guò)HBM大棒，在AI浪潮下繼續(xù)推動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)穩(wěn)步向前。GDDR7與HBM的差異GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM，二者均具備高帶寬和高速數(shù)據(jù)傳輸能力，可為AI計(jì)算提供強(qiáng)大支持，不過(guò)GDDR7與HBM在技術(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景與性能表現(xiàn)方面略有不同。GDDR7主要用于增強(qiáng)GPU的可用帶寬和內(nèi)存容量，是GDDR家族的最新一代技術(shù)。今年3月
  • 關(guān)鍵字： HBM  存儲(chǔ)器  

HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲

  • 內(nèi)存大廠美光預(yù)計(jì)6月26日公布季報(bào)，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開(kāi)始供貨給輝達(dá)后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價(jià)大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場(chǎng)分析師預(yù)期，美光經(jīng)營(yíng)層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價(jià)格進(jìn)一步上揚(yáng)，以及他們供應(yīng)給輝達(dá)和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對(duì)后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求，人們對(duì)DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場(chǎng)通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯(cuò)失機(jī)會(huì)」，在美光
  • 關(guān)鍵字： HBM  DRAM  美光  

HBM產(chǎn)能緊 美光傳大舉擴(kuò)產(chǎn)

  • 在人工智能（AI）熱潮席卷全球下，帶動(dòng)市場(chǎng)對(duì)于高帶寬內(nèi)存（HBM）需求大幅增長(zhǎng)，造成產(chǎn)能緊張。知情者透露，美國(guó)內(nèi)存芯片大廠美光（Micron）為掌握更多HBM產(chǎn)量，正在美國(guó)打造多條測(cè)試生產(chǎn)線以求擴(kuò)大產(chǎn)能，并首度考慮在馬來(lái)西亞生產(chǎn)HBM，同時(shí)擴(kuò)大在臺(tái)中的產(chǎn)能。 日本經(jīng)濟(jì)新聞20日?qǐng)?bào)導(dǎo)，美光今年6月初曾經(jīng)表示目標(biāo)在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，達(dá)到25％附近，這跟其目前在全球DRAM市占率差不多，美光正積極要在HBM領(lǐng)域追上韓國(guó)SK海力士與三星電子。知情者表示，美光正擴(kuò)大其愛(ài)達(dá)荷州博伊
  • 關(guān)鍵字： HBM  美光  

有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D

  • IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報(bào)道同時(shí)指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡(jiǎn)寫(xiě)）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項(xiàng) 3DIC 先進(jìn)封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報(bào)道
  • 關(guān)鍵字： HBM  內(nèi)存  三星  

三星否認(rèn)HBM3E品質(zhì)問(wèn)題，聲明巧妙回避

  • 有報(bào)導(dǎo)稱，三星的高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）產(chǎn)品因過(guò)熱和功耗過(guò)大等問(wèn)題，未能通過(guò)Nvidia品質(zhì)測(cè)試，三星對(duì)此否認(rèn)。韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo)稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開(kāi)展HBM供應(yīng)測(cè)試，強(qiáng)調(diào)將繼續(xù)合作，確保品質(zhì)和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測(cè)試HBM供應(yīng)，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴(yán)格測(cè)試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，以便為客戶提供最佳解決方案?！比墙陂_(kāi)始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設(shè)備。外媒Tom′s Har
  • 關(guān)鍵字： 三星  內(nèi)存  HBM  

三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，“正改善質(zhì)量”

  • 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測(cè)試過(guò)程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
  • 關(guān)鍵字： 三星  HBM  內(nèi)存芯片  英偉達(dá)  

三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

  •  5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測(cè)試過(guò)程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
  • 關(guān)鍵字： 三星  存儲(chǔ)  HBM  英偉達(dá)  

美光：已基本完成 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判，相關(guān)訂單價(jià)值數(shù)十億美元

  • IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會(huì)議活動(dòng)上表示，美光 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判基本完成。美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規(guī)模和價(jià)格。美光預(yù)計(jì) HBM 內(nèi)存將在其截至 2024 年 9 月的本財(cái)年中創(chuàng)造數(shù)億美元量級(jí)的營(yíng)收，而在 25 財(cái)年相關(guān)業(yè)務(wù)的銷售額將增加到數(shù)十億美元。美光預(yù)測(cè)，未來(lái)數(shù)年其 HBM 內(nèi)存位元產(chǎn)能的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到 50%。為了應(yīng)對(duì) HBM 領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求，美光調(diào)升了本財(cái)年資本支出的預(yù)計(jì)規(guī)模，從 75~80 億美
  • 關(guān)鍵字： 美光  HBM  內(nèi)存  

HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求

  • 三星、SK海力士及美光等國(guó)際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來(lái)看，2024年HBM3e將是市場(chǎng)主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
  • 關(guān)鍵字： HBM  DRAM  TrendForce  

三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

  • 近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過(guò)渡，此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫(kù)存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
  • 關(guān)鍵字： 三星  SK海力士  內(nèi)存  DRAM  HBM  

存儲(chǔ)大廠業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)移？

  • 近期，媒體報(bào)道三星電子在最新財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示，未來(lái)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的重心不再放在消費(fèi)級(jí)PC和移動(dòng)設(shè)備上，而將放在HBM、DDR5服務(wù)器內(nèi)存以及企業(yè)級(jí)SSD等企業(yè)領(lǐng)域。三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)副總裁 Kim Jae-june在電話會(huì)議上透露，公司計(jì)劃到今年年底，HBM芯片的供應(yīng)量比去年增加3倍以上。2025年HBM芯片產(chǎn)量再翻一番。AI熱潮推動(dòng)下，HBM需求持續(xù)高漲，部分原廠表態(tài)，HBM產(chǎn)品在今年已經(jīng)售罄，有的甚至表態(tài)明年的HBM也已經(jīng)售罄。這一背景下，三星調(diào)整業(yè)務(wù)方向，專攻HBM等高附加值產(chǎn)品也就順理成章。另?yè)?jù)媒體報(bào)道，三
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)  HBM  先進(jìn)封裝  

AI硬件核心HBM，需求爆發(fā)增長(zhǎng)

  • 2022年末，ChatGPT的面世無(wú)疑成為了引領(lǐng)AI浪潮的標(biāo)志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來(lái)。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無(wú)數(shù)大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過(guò)一浪。       在這波浪潮中，伴隨著人才、數(shù)據(jù)、算力的不斷升級(jí)，AI產(chǎn)業(yè)正展現(xiàn)出巨大的潛力和應(yīng)用前景，并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出重要作用。AI的快速發(fā)展對(duì)算力的需求呈現(xiàn)井噴的態(tài)勢(shì)，全球算力規(guī)模超高速增長(zhǎng)。在這場(chǎng)浪潮中，最大的受益者無(wú)疑是英偉達(dá)，其憑借在GPU領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)脫穎而出，然
  • 關(guān)鍵字： 三星  海力士  美光  HBM  

2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。2024年HBM
  • 關(guān)鍵字： HBM  DRAM  TrendForce  

SK海力士與臺(tái)積電攜手加強(qiáng)HBM技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力

  • ·雙方就HBM4研發(fā)和下一代封裝技術(shù)合作簽署諒解備忘錄·通過(guò)采用臺(tái)積電的先進(jìn)制程工藝，提升HBM4產(chǎn)品性能·“以構(gòu)建IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠、存儲(chǔ)器廠三方合作的方式，突破面向AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器性能極限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強(qiáng)整合HBM與邏輯層的先進(jìn)封裝技術(shù)，將與臺(tái)積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計(jì)劃與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)預(yù)計(jì)在2026年投產(chǎn)的HBM4，即第六代HBM產(chǎn)品。SK海力士表示：“公司作為AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)先者，與全球頂級(jí)邏輯代
  • 關(guān)鍵字： 海力士  HBM  臺(tái)積電  
共89條 3/6 « 1 2 3 4 5 6 »

hbm介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條hbm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)hbm的理解，并與今后在此搜索hbm的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473