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HBM3e 12hi面臨良率和驗證挑戰(zhàn),2025年HBM是否過剩仍待觀察

作者: 時間:2024-10-08 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

近期市場對于2025年可能供過于求的擔(dān)憂加劇,而據(jù)集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示,由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)3e仍是未知數(shù),加上量產(chǎn)3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長,目前尚難判定是否會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202410/463442.htm

根據(jù)集邦咨詢最新調(diào)查,Samsung(三星)、SK hynix(SK海力士)與Micron(美光)已分別于2024年上半年和第三季提交首批樣品,目前處于持續(xù)階段。其中SK hynix與Micron進(jìn)度較快,有望于今年底完成

市場傳出因部分DRAM供應(yīng)商積極增加硅穿孔(Through-Silicon Via, TSV)制程產(chǎn)能,將造成2025年出現(xiàn)供過于求與價格下滑的可能。根據(jù)兩家韓國DRAM廠商目前的TSV產(chǎn)能提升計劃,Samsung將從2024年底的單月120K至2025年底增加為單月170K,提升幅度超過40%,而SK hynix在同期的月產(chǎn)能提升比例預(yù)估為25%。但由于廠商產(chǎn)品尚未完全通過,產(chǎn)能提升規(guī)劃是否能落實有待觀察。

吳雅婷表示,從過去HBM3與HBM3e世代的量產(chǎn)歷程來看,8hi產(chǎn)品的至少歷經(jīng)兩個季度的學(xué)習(xí)曲線才達(dá)到穩(wěn)定,因此,當(dāng)市場需求快速轉(zhuǎn)向HBM3e 12hi產(chǎn)品時,預(yù)計學(xué)習(xí)曲線也無法明顯縮短。此外,NVIDIA B200、GB200和AMD MI325、MI350都將采用HBM3e 12hi,由于整機(jī)造價高昂,對HBM的穩(wěn)定度要求將更嚴(yán)苛,無疑成為了量產(chǎn)過程的一項變量。

集邦咨詢預(yù)估,受AI平臺積極搭載新世代HBM產(chǎn)品推動,2025年HBM需求位元將有逾80%落在HBM3e世代產(chǎn)品上,其中12hi的占比將超過一半,成為明年下半年AI主要競爭廠商爭相競爭的主流產(chǎn)品,其次則是8hi。因此,即便出現(xiàn)供過于求情況,推測最有可能發(fā)生在HBM2e和HBM3等舊世代產(chǎn)品上,至于對各DRAM供應(yīng)商的影響程度,將取決于各家的產(chǎn)品組合。

目前TrendForce集邦咨詢對DRAM產(chǎn)業(yè)展望維持不變,預(yù)估2025年HBM將貢獻(xiàn)10%的DRAM總位元產(chǎn)出,較2024年增長一倍。由于HBM平均單價高,估計對DRAM產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值的貢獻(xiàn)度將突破30%。




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